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[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200480001492.0无效
发明人： 井上满夫;宫川修;坂本孝雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2004-08-31 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底(1)上形成非晶硅膜(2)的非晶硅层叠工序；对上述非晶硅膜(2)照射激光(16)，将上述非晶硅膜(2)的至少一部分变换为多晶硅膜(3)的照射工序；以及在上述照射工序之后，在含氧的气氛中氧化上述多晶硅膜(3)表面的氧化工序，作为上述激光(16)，使用将波长为≥350nm且≤800nm的脉冲激光变换成在宽度方向上具有至少≥3(mJ/cm²)/μm的能量密度梯度的线形光束的激光，在温度为≥500℃且≤650℃、且压力≥10大气压的饱和水蒸气的气氛中进行上述氧化工序。利用此方法，能够容易地制造出结晶性优良的半导体器件。
半导体器件制造方法

[发明专利]薄膜半导体的制造方法-CN200480001244.6无效
发明人： 井上满夫;时冈秀忠;由良信介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2004-08-17 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种薄膜半导体的制造方法，包括：为了在基板(9)的表面上形成多晶硅膜，使具有可见光波长的第1脉冲激光(22)在上述基板的表面上聚光成具有在宽度方向上大致为高斯形状的强度分布的细线形状(33)，并以上述细线形状在上述宽度方向上移动的方式进行照射的扫描照射工序；在一个位置上在一个方向进行了上述扫描照射工序之后，对完成了该扫描照射的区域(36)中的与上述宽度方向平行的外缘的端部区域照射具有紫外波长的第2脉冲激光的外缘处理工序；以及再次进行上述扫描照射工序，以覆盖与被上述扫描照射工序覆盖的区域(36)相邻、且与实施了上述外缘处理工序的上述端部区域的一部分重叠的区域(39)的工序。
薄膜半导体制造方法

[发明专利]薄膜半导体的制造方法及制造装置-CN200480001234.2无效
发明人： 井上满夫;时冈秀忠;由良信介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2004-08-17 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种薄膜半导体的制造方法，包括：将可见光脉冲激光(22)在被照射物的表面上聚光成细线形状，并且移动位置以使得在上述细线形状的照射区域(35)的宽度方向上与下一个定时的照射区域(35)重合，同时进行反复照射，在上述被照射物的表面上形成多晶硅膜的多晶化工序；上述多晶化工序在上述可见光脉冲激光(22)对第1照射区域(35)照射的期间或照射之前，对与上述第1照射区域(35)部分重合的第2照射区域(36)照射紫外光脉冲激光(23)。
薄膜半导体制造方法装置

[发明专利]显示装置-CN03814148.5有效
发明人：上里将史;时冈秀忠;桥户隆一;浦壁隆浩;后藤末广;冈部正志;井上满夫 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-06-17 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：配置对具有发光元件的各像素电路(32～34)供给信号电流IL_R(m)、IL_G(m)、IL_B(m)用的信号线(28～30)。信号线驱动电路通过利用根据对应的比特被导通、截止的开关电路(18～20，21～23，24～26)切换从与图像数据(R[2..0]，G[2..0]，B[2..0])的每一个比特对应地设置的比特加权电流源电路(9～11，12～14，15～17)输出的比特加权电流，在信号线上产生与图像数据对应的信号电流。由于各电流源电路具有根据从基准电流线(5～7)供给的比特加权电流的基准电流校正从自身输出的比特加权电流的电平的功能，故即使是构成各电流源电路的TFT的特性离散大的情况，也能抑制每条信号线的信号电流的离散，可抑制发光亮度的不匀。
显示装置

[发明专利]液晶显示装置用背光-CN200410012057.X无效
发明人：笹川智广;结城昭正;岩崎直子;松本贞行;井上满夫;小田恭一郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2000-10-20 - 公布日： 2005-05-18 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：根据本发明的背光能够得到合适的配光分布和均匀的射出光，具有提供为了液晶板的显示而用于照射的光的棒状光源(1)和平板状的导光板(3)，该导光板具有平行于棒状光源的位于侧面的入射端面(20)，平行于液晶板地配置的出光面(21)以及平行地面对出光面的底面(22)，其特征在于在导光板的底面(22)上设置了反射棱镜，该反射棱镜具有在沿入射端面(20)的方向上延伸的楔状反射槽(4)和为了不形成楔状反射槽，沿着与该楔状反射槽(4)延伸的方向交叉的方向分断该楔状反射槽的带状分断平坦部(5)，其中，上述楔状反射槽(4)的深度随着距入射端面(20)的距离增加而加深，上述带状分断平坦部(5)的宽度随着距入射端面(20)的距离增加而渐减。
液晶显示装置背光

[发明专利]反射型液晶显示装置-CN02824641.1无效
发明人：上里将史;井上满夫;山本卓;吉田重之;坂本孝雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2002-12-09 - 公布日： 2005-03-30 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：提供一种反射型液晶显示装置，该装置与液晶显示屏(1)形成为一体，通过设置在显示面附近的多个光传感器(10)来检测显示面照度，基于该检测结果，通过照明控制电路(22)对前光源(照明单元)(19)的发光强度进行控制，以使显示面照度成为规定的大小。即使反射型液晶显示装置的使用环境变了，即，即使从装置外部入射到显示面的外光强度变化，利用该结构也能自动地对前光源的发光量进行调光，能够自动地保持最佳的显示亮度，且可以抑制电力消耗。
反射液晶显示装置

[发明专利]液晶显示装置、便携电话机和便携信息终端设备-CN00137093.6有效
发明人：时冈秀忠;上里将史;村井博之;井上满夫 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2000-12-29 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：一种液晶显示装置，配置成矩阵状的各个像素20分割为多个副像素。由于对应于副像素的各行以及各列配置水平扫描线60以及垂直扫描线70，因此能够独立地进行各个副像素的导通/断开控制。各个像素20包括设置在副像素之间的副像素连接电路25。副像素连接电路25与垂直扫描线70的激活相同步，响应从数据线65输入的副像素连接信号，把对应的副像素的像素电极之间进行连接。
液晶显示装置便携电话机信息终端设备

[发明专利]摄象装置系统-CN01101697.3无效
发明人： 井上满夫;笹川智广;杉浦博明;滨村正夫 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2001-01-15 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： H04N5/30 文献下载
摘要：一种摄象装置系统，至少具备将光电变换器件配置成矩阵形状的摄象器件和用于使被摄影物的像在摄象器件的受光面上成像的成像装置。其中，所述成像装置在摄象器件的受光面的不同区域上至少形成2个相似的所述被摄影物的像，并还包括从至少2个所述被摄影物的像构成1个被摄影物的像的信号处理装置。因为做到了用多个成像透镜在摄象器件表面形成多个被摄影物的像，因此能够实现薄型的摄象装置系统。
装置系统

[发明专利]薄膜半导体装置的制造方法-CN00800777.2有效
发明人：宫坂光敏;小川哲也;时冈秀忠;佐藤行雄;井上满夫;笹川智广 -专利权人：精工爱普生株式会社;三菱电机株式会社
申请日： 2000-01-14 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种以在基板上被形成的硅作为主体的结晶性半导体膜作为有源层来使用的半导体装置的制造方法，包括：在基板上形成成为基底保护膜的氧化硅膜的基底保护膜形成工序；在该基底保护膜上形成以硅作为主体的半导体膜的第一工序；以及对半导体膜照射脉冲激光的第二工序，脉冲激光的波长定为370nm以上至710nm以下。由此，采用低温工艺可容易地且稳定地制造高性能的薄膜半导体装置。
薄膜半导体装置制造方法

[发明专利]液晶显示装置-CN00137004.9无效
发明人： 井上满夫;上里将史;村井博之;时冈秀忠 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2000-12-27 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：在彩色液晶显示装置中，采用在象素信号线(4)和液晶单元(2)的电极(2a)之间，并联连接2个电容器(18、19)这两方，或仅仅连接两者中的任何一方，或全部不连接的办法，就可以把液晶单元(2)的电极(2a)的电位(V2)切换成4个等级。因此，可以进行4个等级的灰度等级显示而无须使用数-模转换电路，因而可以实现装置的低价格化。
液晶显示装置

[发明专利]电流供给电路和具备该电路的显示装置-CN03148706.8有效
发明人：時岡秀忠;桥户隆一;浦壁隆浩;上里将文;岡部正志;井上满夫 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-06-24 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：向电流驱动型发光元件提供对应于显示亮度的数据电流的电流供给电路(10a)在于供给模式之前执行的补偿模式下，使基准电流(Iref)通过在供给模式下用于向数据线(DL)供给数据电流(Idat)的驱动晶体管(T11a)。与此时的驱动晶体管(T11a)的栅极连接的节点(N2(a))的电压由电压保持电容器(C2a)保持。在供给模式下，该节点(N2(a))的电压依据数据电压(Vdat)而变化。数据电压(Vdat)依据应供给的数据电流(Idat)和基准电流(Iref)之差而设定。
电流供给电路具备显示装置

[发明专利]自发光型显示装置-CN02800797.2有效
发明人：岩田修司;冈部正志;井上满夫;山本卓 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2002-03-15 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：提供一种自发光型显示装置，可以抑制发光象素的驱动用元件的特性波动，没有发光元件的发光亮度的波动，且耗电少。其中，在以矩阵状配置的多个发光象素的每一个上设置接收发光象素的发光的光电变换部，用从光电变换部得到的电压控制流过发光象素的电流。而且，还具备即使光电变换部的变换增益有变化，也能抑制发光象素的亮度变化的单元。
发光显示装置

[发明专利]自发光显示装置-CN02800787.5无效
发明人：冈部正志;井上满夫;岩田修司;山本卓 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2002-03-15 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：本发明的自发光型显示装置，在利用有源矩阵方式的驱动电路之中，补偿控制发光元件电流的晶体管的门限电压的波动时，防止噪声电流流入发光元件，从而使亮度精度提高。其结构是：设置可将自发光之件的电极短路的开关元件，在噪声电流流入发光元件的时间内，导通该开关元件，使噪声电流通过修路该开关元件流走。
发光显示装置

[发明专利]自发光型显示装置-CN02800727.1无效
发明人： 井上满夫;冈部正志;岩田修司;山本卓 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2002-03-15 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：提供一种自发光型显示装置，可以在有源矩阵方式的自发光型显示装置的象素驱动电路中，抑制控制发光元件的电流的晶体管的阈值电压的波动、和发光元件发出的光阈值电压的波动，由此可以抑制发光元件的亮度波动。其中，检测发光元件发出的光的光检测元件与电阻串联连接，通过其连接点的电位检测晶体管的阈值电压。并设置由光检测元件的信号控制的晶体管，以检测发光元件发出的光阈值电压。
发光显示装置

[发明专利]多晶态硅膜的制造方法和制造装置、以及半导体装置及其制造方法-CN00816776.1有效
发明人：小川哲也;时冈秀忠;西前顺一;冈本达树;佐藤行雄;井上满夫;宫坂光敏;次六宽明 -专利权人：三菱电机株式会社;精工爱普生股份有限公司
申请日： 2000-10-06 - 公布日： 2003-04-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种多晶态硅膜的制造方法，包括下列步骤在衬底(31)上形成具有第一区(33a)和与该第一区(33a)相接的第二区(33b)的非晶态硅膜(33)的步骤；在上述非晶态硅膜(33)的第一区(33a)上照射波长390nm以上、640nm以下的激光(35)，形成第一多晶态部分(34a)的步骤；以及在上述非晶态硅膜(33)的第二区(33b)和与上述第二区(33b)相接的上述第一多晶态部分(34a)的一部分区域上照射390nm以上、640nm以下的激光(35)，与上述第一多晶态部分(34a)相接地形成第二多晶态部分(34b)的步骤。
多晶态硅膜制造方法装置以及半导体及其

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