专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种制备微孔铜箔的电解液方法-CN202310735778.6在审
  • 董朝龙;江泱;葛洪鑫;何博通;范晓涛;吴莹 - 九江德福科技股份有限公司
  • 2023-06-21 - 2023-09-29 - C25D1/04
  • 本发明公开了一种制备微孔铜箔的电解液方法,包括如下步骤:将铜原材料根据工艺配比与硫酸、去离子水一起加入到溶铜罐中混合,在通入蒸汽条件下,铜发生氧化并与硫酸发生反应生成硫酸铜溶液,所述硫酸铜溶液经过滤后得到的硫酸铜电解液,将硫酸铜电解液加入电解液罐中。本发明通过硫酸铜电解液的制备,并在硫酸铜电解液中加入所需的铜箔添加剂,获得微孔大小一致、微孔分布均匀、箔面色泽光亮的微孔铜箔;并且微孔区域结晶致密且平滑,抗拉强度较高,可以满足全固态二次电池、聚合物二次电池、锂离子超级电容器等多种领域使用。
  • 一种制备微孔铜箔电解液方法
  • [发明专利]一种生箔机阴极辊表面涂胶装置-CN202310734515.3在审
  • 张代平;夏波平;王鹏;周宇;毛子胜 - 九江德福科技股份有限公司
  • 2023-06-20 - 2023-09-22 - B05C1/02
  • 本发明涉及阴极辊加工设备技术领域,具体公开了一种生箔机阴极辊表面涂胶装置,包括阴极辊、胶桶、磨床、设置于磨床上方的Y方向滑动导轨,Y方向滑动导轨顶部滑动设置有滑座,滑座顶部固定设有X方向滑动导轨,X方向滑动导轨顶部滑动设置有刀架台。本发明技术方案通过设置X方向滑动导轨、Y方向滑动导轨以及可竖向调节的衔接架,有利于根据涂胶位置的变化来调整四氟涂胶块的位置,并且四氟涂胶块与阴极辊的预紧力可调节,从而使得阴极辊的胶层边缘齐整,并且阴极辊的胶层厚度、宽度可控,可大大避免人工涂胶带来的误触影响,同时兼容紫外烘干,很大程度解放人工,并获得更高质量的涂层。
  • 一种生箔机阴极表面涂胶装置
  • [实用新型]一种降低可变幅宽铜箔边部结铜速率装置-CN202320822624.6有效
  • 江泱;刘超;杨磊鑫;杨帅国;董朝龙 - 九江德福科技股份有限公司
  • 2023-04-14 - 2023-09-19 - C25D1/04
  • 本实用新型涉及铜箔生产设备技术领域,具体公开了一种降低可变幅宽铜箔边部结铜速率装置,包括电解槽、阳极弧形板、阴极辊、矩形辅助阴极一、矩形辅助阴极二,电解槽中部开设有弧形槽,阳极弧形板固定于弧形槽内部,阴极辊设置于阳极弧形板的弧面上方,阴极辊的两端分别粘接有绝缘胶带一。本实用新型技术方案通过外接电源使阴极辊与矩形辅助阴极一、矩形辅助阴极二间通过高强度的电流,使阴极辊面与矩形辅助阴极一、矩形辅助阴极二形成一定的过电位,使得矩形辅助阴极一、矩形辅助阴极二与阴极辊正对区域的铜转变成铜离子,达到去铜的效果,从而降低阴极辊边部屏蔽区域结铜速率。
  • 一种降低可变幅宽铜箔边部结铜速率装置
  • [发明专利]附载体极薄铜箔及其制备方法-CN202310552455.3在审
  • 吕吉庆;吴松;齐朋伟;杨红光;金荣涛 - 九江德福科技股份有限公司
  • 2023-05-16 - 2023-08-25 - C23C14/02
  • 本发明公开了一种附载体极薄铜箔及其制备方法,所述方法包括:S1、利用离子源在氩气下对载体箔材的表面进行离子轰击,得到载体层;载体层的表面洁净均一;S2、利用溅射镀膜技术,在载体层的表面形成致密的阻挡/剥离层,阻挡/剥离层具有阻挡层功能和剥离层功能;S3、利用真空镀膜技术,在阻挡/剥离层上沉积铜金属,得到种子铜层;S4、利用电镀技术在种子铜层表面电镀加厚层,得到预处理铜箔;加厚层的厚度为目标厚度;S5、对预处理铜箔进行表面处理形成表面处理层,得到附载体极薄铜箔。本发明的阻挡/剥离层具有阻挡层功能和剥离层功能,实现了载体层和极薄铜层的分离力在一定范围内稳定可控。
  • 载体铜箔及其制备方法
  • [发明专利]一种铜箔微观晶粒应变的分析方法-CN202310550157.0在审
  • 李红琴;杨红光;金荣涛 - 九江德福科技股份有限公司
  • 2023-05-16 - 2023-08-18 - G01N23/203
  • 本发明涉及材料微观分析技术领域,公开了一种铜箔微观晶粒应变的分析方法,包括如下步骤:S1、准备铜箔样品,确定待分析铜箔样品表面为截面;S2、剪取铜箔样品;S3、抛光铜箔样品表面,将铜箔样品放入离子束切割抛光仪,对铜箔样品表面进行抛光;S4、对S3中的抛光后的铜箔样品采用电子背散射衍射分析技术设备进行测试;S5、对S4中得到的测试结果进行图像匹配分析处理,得到样品的内核平均取向差、晶粒取向散布和晶粒参照取向偏差角分布数据。本发明对铜箔进行离子抛光并通过EBSD技术得到了样品的内核平均取向差、晶粒取向散布和晶粒参照取向偏差角分布数据,实现了铜箔材料断裂、翘曲的原因以及晶粒变形情况的可视化。
  • 一种铜箔微观晶粒应变分析方法

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