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[发明专利]高效配电-CN201880032042.X有效
发明人：卡尔·韦恩·维内亚德;乔治·麦克尼尔·拉蒂摩尔;克里斯托弗·尼尔·海因兹;罗伯特·约翰·哈里森;米卡尔·里恩;阿德林-弗勒尔·弗莱明;罗伯特·克里斯蒂安·斯豪滕;吉恩-查尔斯·博利尼亚斯;阿卜杜拉·巴哈利 -专利权人： ARM有限公司
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：从来自多个电荷存储件的第一电荷存储件的第一功率信号接收功率。从所述多个电荷存储件的第二电荷存储件输出第二功率信号。所述第二功率信号与所述第一电源隔离。
高效配电

[发明专利]读出放大器-CN201780013131.5有效
发明人：巴尔·S·桑德胡;塞扎里·皮耶奇克;罗伯特·坎贝尔·艾特肯;乔治·麦克尼尔·拉蒂摩尔 -专利权人： ARM有限公司
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：概括地说，本技术的实施例提供了一种放大电路，所述放大电路包括读出放大器和被配置为向读出放大器提供信号的至少一个相关电子开关(CES)。所述读出放大器根据所述CES元件提供的信号来输出放大版本的输入信号。所述CES元件提供的信号取决于所述CES材料的状态。所述CES元件向所述读出放大器提供稳定的阻抗，这可以提高从位线读取数据的可靠性，并减少读取期间引入的误差的数量。
读出放大器

[发明专利]基于相关电子存储器元件的锁存电路-CN201780012848.8有效
发明人：罗伯特·坎贝尔·艾特肯;维卡斯·钱德拉;巴尔·S·桑德胡;乔治·麦克尼尔·拉蒂摩尔;施达尔哈·达斯;约翰·菲利普·比格斯;帕拉姆施瓦拉帕·阿南德·库马尔·塞万斯;詹姆斯·爱德华·迈尔斯 -专利权人： ARM有限公司
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：根据本公开的一个实施例，一种装置包括锁存电路，其中锁存电路包括至少一个相关电子开关(以下称为CES)元件。锁存电路进一步包括耦接至至少一个CES元件的控制电路。控制电路被配置为接收至少一个控制信号。基于所述至少一个控制信号，执行将数据存储到所述锁存电路中以及从所述锁存电路输出数据中的至少一个。
基于相关电子存储器元件电路

[发明专利]用于相关电子开关的可编程电流-CN201680058993.5有效
发明人：巴尔·S·桑德胡;乔治·麦克尼尔·拉蒂摩尔;罗伯特·坎贝尔·艾特肯 -专利权人： ARM有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本技术总地涉及用于为相关电子开关提供可编程电流的装置和方法。
用于相关电子开关可编程电流

[发明专利]CMOS工艺偏斜传感器-CN201810999021.7有效
发明人：巴尔·S·桑杜;乔治·麦克尼尔·拉蒂摩尔 -专利权人： ARM 有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本文描述的各种实现针对一种集成电路。该集成电路可以包括操作以提供驱动电流的转换器电路。该集成电路可以包括具有多个驱动强度器件的工艺检测器电路，该多个驱动强度器件由来自转换器电路的驱动电流驱动。多个驱动强度器件可以基于驱动电流提供多个驱动强度信号。该集成电路可以包括具有比较器的比较器电路，该比较器接收来自多个驱动强度器件的多个驱动强度信号，检测多个驱动强度信号之间的电压差，并基于检测到的电压差提供输出信号。
cmos 工艺偏斜传感器

[发明专利]用于使用量子力学转变的非易失性存储器设备操作的方法、系统和设备-CN201680058997.3有效
发明人：巴尔·S·桑德胡;塞扎里·皮耶奇克;乔治·麦克尼尔·拉蒂摩尔 -专利权人： ARM有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：公开了用于非易失性存储器设备的操作的方法、系统和设备。通过控制施加到非易失性存储器件的端子的电流和电压，可以在写入操作中将非易失性存储器设备置于多个存储器状态中的任何一个中。例如，写入操作可以跨非易失性存储器设备的端子施加编程信号，该编程信号具有特定电流和特定电压以用于将非易失性存储器设备置于特定存储器状态中。
用于使用量子力学转变非易失性存储器设备操作方法系统

[发明专利]存储器写入驱动、方法、和系统-CN201680058996.9有效
发明人：巴尔·S·桑德胡;塞扎里·皮耶奇克;乔治·麦克尼尔·拉蒂摩尔 -专利权人： ARM有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：公开了用于非易失性存储器设备的操作的方法、系统和设备。通过控制施加到非易失性存储器设备的端子的电流和电压，可以在写入操作中将非易失性存储器设备置于多个存储器状态中的任何一个中。例如，写入操作可以跨非易失性存储器设备的端子施加编程信号，该编程信号具有特定电流和特定电压以用于将非易失性存储器设备置于特定存储器状态中。
存储器写入驱动方法系统

[发明专利]可编程电压参考-CN201680058941.8有效
发明人：巴尔·S·桑德胡;乔治·麦克尼尔·拉蒂摩尔;罗伯特·坎贝尔·艾特肯 -专利权人： ARM有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本技术总地涉及用于生成可编程电压参考信号的装置和方法。
可编程电压参考

[发明专利]用于集成易失性和非易失性存储器位单元的方法、系统和设备-CN201980027401.7在审
发明人：姆迪特·巴尔加瓦;施德哈尔萨·达斯;乔治·麦克尼尔·拉蒂摩尔;布莱恩·特雷西·克莱因 -专利权人： ARM有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：至少第一非易失性存储器阵列(304)；至少第一易失性存储器阵列(302)；至少一条非易失性存储器数据总线(328)，用于在读取操作中从非易失性位单元转移数据/在写入操作中将数据转移到非易失性位单元；至少一条易失性存储器数据总线(326)，用于在写入操作中将数据转移易失性位单元/在读取操作中从易失性位单元转移数据；共享数据总线结构(330)；和至少一个外部数据端口(332)，用于在共享总线结构(330)与集成电路器件的外部端子之间转移值，其中共享数据总线结构(330)耦合到至少一条非易失性存储器数据总线(328)和至少一条易失性存储器数据总线(326)以使得能够在至少一个外部数据端口(332)与至少一条非易失性存储器数据总线(328)或至少一条非易失性存储器数据总线(326)或它们的组合之间进行数据转移，并且使得能够在至少一条非易失性存储器数据总线(328)与至少一条易失性存储器数据总线(326)之间进行数据转移。
用于集成易失性非易失性存储器单元方法系统设备

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