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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种BE结集成电阻的改进型槽型联栅晶体管-CN201320264090.6有效
发明人：张雷;乔宇波;梁明 -专利权人：深圳市盛元半导体有限公司
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种BE结集成电阻的改进型槽型联栅晶体管，包括集电极的引出端、N+衬底、N+导电材料层、N-导电材料层、槽型栅极、基区、氧化层、多晶硅层以及发射极，所述集电极的引出端、N+衬底、N+导电材料层以及N-导电材料层依次相连，所述N-导电材料层上设有两个注有B的槽型栅极，所述栅极之间设有注有B的基区，栅极和基区通过扩散后连成一体，栅极和基区上面设有氧化层，基区和氧化层上开有发射极，同时氧化层上淀积有多晶硅层，多晶硅层通过离子注入As/P形成导电层。本实用新型热稳定性好，抗冲击能力和抗高频辐射能力强；为终端客户节省成本，提升电路的集成度，具有一定的应用与推广价值。
一种 be 结集电阻改进型槽型联栅晶体管

[发明专利]LED恒流驱动电路-CN201280000621.9无效
发明人：高源;乔宇波 -专利权人：深圳市富鑫雅科技发展有限公司
申请日： 2012-02-13 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：一种LED恒流驱动电路，包括：由变压器T1、二极管D9、电容C5和场效应管Q1构成BUCK电路；由电阻R1、二极管D8、电容C1、电阻R3、三极管Q2、稳压二极管DZ1和二极管D10构成限压电路；由电阻R4、三极管Q3、三极管Q4和电阻R2构成限流电路；其中：场效应管Q1导通电流流经变压器T1原边，流经LED负载，再流过场效应管Q1和电阻R2回到电源负极，场效应管Q1断开时候，电流流经变压器T1原边、LED负载、二极管D9形成回路。
led 驱动电路

[实用新型]一种基于GAT的恒流驱动电路-CN201320264157.6有效
发明人： 乔宇波;梁明;张雷 -专利权人：深圳市盛元半导体有限公司
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：一种基于GAT的恒流驱动电路，包括由自激模式工作的开关电源T、三极管Q1、三极管Q2、二极管D2、电容C2、低电阻R1以及高电阻R2组成的保护电路，所述开关电源T上连接有二极管D2、电容C2、高电阻R2、三极管Q1，所述三极管Q1的输出端同三极管Q2输入端相连，三极管Q2输出端同开关电源T以及低电阻R1相连。本实用新型结构简单，可靠性较高；不采用定制型器件IC，既降低了电路成本，又不受市场供需关系影响。
一种基于 gat 驱动电路

[实用新型]一种提高小功率紧凑型荧光灯可靠性的电路-CN201320264205.1有效
发明人：梁明;张雷;乔宇波 -专利权人：深圳市盛元半导体有限公司
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：一种提高小功率紧凑型荧光灯可靠性的电路，包括半桥逆变电路，在抑制三极管Q1的电流尖峰时采用磁环变压器增加一个辅助绕组W3和续流电容C2串联，使得电路工作过程中辅助绕组W3通过感应以及与续流电容C2的振荡来吸收双极性三极管BJT截止时多余的能量。本实用新型电路设计合理，在一定程度上降低了成本，延长小功率紧凑型荧光灯的寿命，具有一定的应用与推广价值。
一种提高功率紧凑型荧光灯可靠性电路

[实用新型]一种CE间集成二极管的改进型槽型联栅晶体管-CN201320264132.6有效
发明人：张雷;乔宇波;梁明 -专利权人：深圳市盛元半导体有限公司
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种CE间集成二极管的改进型槽型联栅晶体管，包括集电极引出层、N+衬底层、N+导电层、N-导电层、U型槽、氧化层以及发射极引出层，所述集电极引出层、N+衬底层、N+导电层、N-导电层依次相连、所述N-导电层上设有U型槽，所述U型槽内注有B形成P+扩散层，所述N-导电层、U型槽上设有氧化层，氧化层上设有发射极引出层，所述U型槽还同发射极引出层相连。与传统技术相比，本实用新型为终端客户节约了成本，并同时增加了器件集成度，简化了应用电路。
一种 ce 集成二极管改进型槽型联栅晶体管

[实用新型]一种带浪涌尖峰吸收的MOS-CN201320264197.0有效
发明人： 乔宇波;梁明;张雷 -专利权人：深圳市盛元半导体有限公司
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：一种带浪涌尖峰吸收的MOS，包括设置在外壳内的MOS芯片，所述MOS芯片上封装有TVS二极管，所述TVS二极管与MOS芯片的D极和S极连接，用于保护MOS防止由于VDS过压导致损坏。与传统技术相比，本实用新型节省空间和提高生产效率，提高电路可靠性和性价比。
一种浪涌尖峰吸收 mos

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