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[发明专利]过滤用过滤器、带过滤器的容器和细胞悬浮液中的异物去除方法-CN201980069812.2有效
发明人：河野梓;串田尚;石割爱由美;今川究;细田勇喜 -专利权人： JCR制药股份有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： B01D39/08 文献下载
摘要：过滤用过滤器由第1熔接框、第2熔接框、和被第1熔接框和第2熔接框夹入并熔接的过滤器构成。由膜厚120μm以上的柔韧性膜构成第1熔接框和第2熔接框。另外，由具有较第1熔接框和第2熔接框高的熔点且开孔率为10%以上且80%以下的材质构成过滤器。而且，第1熔接框由聚合物构成，所述聚合物包含：熔点为120℃～140℃的高密度聚乙烯、熔点为105℃～125℃的线性低密度聚乙烯、或者混合有高密度聚乙烯和线性低密度聚乙烯中的至少一者而得的混合物。
过滤过滤器容器细胞悬浮液中的异物去除方法

[发明专利]牙髓来源细胞的制造方法-CN201980048888.7在审
发明人：今川究;南幸太郎;前田谦一;细田勇喜;渡部俊介;佐藤和聪;东口泰奈;串田尚;石割亚由美 -专利权人： JCR制药股份有限公司;帝人株式会社
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C12N5/0775 文献下载
摘要：本发明公开了能够作为药剂给用于人的多能干细胞富集的牙髓来源细胞及其制造方法。该制造方法为富集了多能干细胞的牙髓来源细胞的制造方法，其包括：(a)用蛋白酶消化牙髓而制备牙髓的悬浮物的步骤；(b)对该悬浮物进行培养而使该悬浮物中包含的多能干细胞增殖的步骤；(c)使该增殖后的多能干细胞在悬浮于第一冷冻保存液中的状态下冷冻的步骤；(d)使该冷冻后的多能干细胞解冻的步骤；(e)将该解冻后的多能干细胞在粘附于粒子表面的状态下进行培养而使多能干细胞在该粒子表面增殖的步骤；和(f)使该粒子与蛋白酶接触而将粘附于该粒子表面的多能干细胞从该粒子上分离、从而制备多能干细胞的悬浮物的步骤。
牙髓来源细胞制造方法

[发明专利]有机半导体膜及其制造方法和接触印刷用印模-CN201180023666.3无效
发明人： 串田尚;内藤裕义 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2011-04-27 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：第1个本发明的有机半导体膜（10），相对的两个表面侧（11、12）的电荷迁移率之比｛（电荷迁移率大的表面侧的电荷迁移率）/（电荷迁移率小的表面侧的电荷迁移率）｝的值为1以上且小于10，而且将在硅晶片上通过旋涂制作的相同厚度及材料的有机半导体膜的峰高度作为基准时，相对X射线反射峰高度为2.0以上。第2个本发明的有机半导体膜（10），相对的两个表面侧（11、12）的电荷迁移率之比｛（电荷迁移率大的表面侧的电荷迁移率）/（电荷迁移率小的表面侧的电荷迁移率）｝的值为2以上。
有机半导体及其制造方法接触印刷用印

[发明专利]烷基硅烷层叠体及其制造方法、以及薄膜晶体管-CN201080022733.5有效
发明人： 串田尚;内藤裕义 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供能够获得具有优异的半导体特性的有机半导体膜的烷基硅烷层叠体。这样的层叠体能够用于有机薄膜晶体管。所述烷基硅烷层叠体含有表面具有羟基的基底层(Sub)、以及在该基底层上形成的烷基硅烷薄膜(AS)，烷基硅烷薄膜的临界表面能Ec和烷基硅烷的碳原子数x满足下述式(1)：Ec≤29.00-0.63x(mN/m)(1)。而且，本发明还提供具有这样的烷基硅烷层叠体(Sub、AS)的薄膜晶体管(10)。
烷基硅烷层叠及其制造方法以及薄膜晶体管

[发明专利]反射片材及其制造方法-CN200680012077.4无效
发明人：水谷圭;串田尚;北泽谕;大野隆央;古谷幸治 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2006-04-11 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：反射片材，含有惰性粒子和聚烯烃，并且是自支持性多孔片材，该片材的孔隙率为30～95％，在波长550nm下的反射率为60～120％。该反射片材具有足够的反射特性，同时实现了薄型化、轻量化。
反射及其制造方法

[发明专利]屏幕-CN200580024783.6有效
发明人： 串田尚 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2005-07-20 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： G03B21/62 文献下载
摘要：本发明的屏幕包含取向膜，该取向膜具有对直线偏振光的散射最大的方向(散射轴)和散射最小的方向(透射轴)、在包含高分子的基质中含有高分子微粒，该高分子微粒的折射率在特定范围，该基质和高分子微粒满足特定的关系。被投影的图像明亮、品质高、几乎没有干扰条纹或眩光，上述屏幕作为透射型或反射型投影仪屏幕极为有用。
屏幕

[发明专利]形成等离子显示面板用电介质的片材-CN02808960.X无效
发明人： 串田尚;原宽 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2002-12-25 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01J11/02 文献下载
摘要：本发明涉及可以形成绝缘耐压、表面平滑性、透明性优异的电介质层的等离子显示面板用电介质的片材以及使用此片材形成电介质层的方法。所述片材是厚度为350μm以下的自支撑性多孔片，是由40～98wt％的无机电介质粉末、2～60wt％的热塑性树脂所构成的。还有，电介质层是由把所述片材于80～180℃下热压粘在固定了电极的玻璃基板的一侧表面上，经高温除去粘合剂之后烧结或熔粘而形成的。
形成等离子显示面板用电介质

[发明专利]相位差薄膜的制造方法-CN01801769.X有效
发明人：内山昭彦;辻仓正一;串田尚 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2001-04-24 - 公布日： 2002-12-04 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：制造相位差薄膜的方法,该方法包括以调整的混合比将相互相容的至少两种聚合物(A)和(B)混合,并使得到的混合物成型为薄膜。聚合物(A)和(B)是共聚物,其包含两种共同的重复单元,在共聚单体单元比例上相互不同。通过本方法,可容易地以工业规模制造出具有所需波长色散性的相位差薄膜。相位差波长色散性可得到高度控制。因此,该相位差薄膜具有高质量。
相位差薄膜制造方法

[发明专利]光学记录介质的保护膜和光学记录介质-CN01801501.8无效
发明人：内山昭彦;串田尚;辻仓正一 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2001-03-29 - 公布日： 2002-11-20 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：用于光学记录介质的光保护涂层,其特征在于它包含透明膜的一个片材,所述膜包含热塑性树脂,在550nm波长处具有不大于15nm的相差和在550nm波长处不大于40nm的K值,具有120℃或以上的玻璃化转变温度和不大于1wt%的吸水率。其中K=[nz－(nx+ny)/2]×d,其中nx、ny和nz分别是透明膜在x轴、y轴和z轴方向上的三维折射率,和d是透明膜的厚度。任选地,本发明的特征还在于,包括衬底和在衬底上的数据记录层和上述保护膜,其中光是从保护膜一侧入射的。
光学记录介质保护膜

[发明专利]相位差薄膜、相位差薄膜复合体和使用该材料的液晶显示装置-CN00802077.9有效
发明人：内山昭彦;串田尚 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2000-07-28 - 公布日： 2001-11-14 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：一种相位差薄膜,其中包含一片聚合物薄膜,在400～800nm的波长范围内有其相位差值为正值的波长范围和其相位差值为负值的波长范围,满足式(1)|R(400)|≥10nm和式(2)|R(700)|≥10nm中至少一个,且水吸收作用不大于1%(质量)。
相位差薄膜复合体使用材料液晶显示装置

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