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- [发明专利]光检测设备-CN202310404784.3在审
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大竹悠介;松本晃;山元纯平;内藤隆诚;中沟正彦;若野寿史
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索尼半导体解决方案公司
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2017-10-18
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2023-08-01
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H01L27/146
- 本发明涉及光检测设备。光检测设备可包括：片上透镜；第一芯片，包括：第一半导体基板，包括第一雪崩光电二极管，第一雪崩光电二极管包括：阱区域；第一、第二和第三半导体区域；以及第一布线层，包括第一和第二布线；和第二芯片，堆叠在第一芯片上，第二芯片包括：第二半导体基板，包括电路；以及第二布线层，包括第三和第四布线，其中，在横截面图中，阱区域的一部分位于片上透镜和第一半导体区域之间，第一半导体区域位于阱区域的一部分和第二半导体区域之间，其中，第二半导体区域电连接至第一布线，第三半导体区域电连接至第二布线，第一布线直接接合至第三布线，并且，第二布线直接接合至第四布线。
- 检测设备
- [发明专利]传感器-CN202310423501.X在审
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大竹悠介;松本晃;山元纯平;内藤隆诚;中沟正彦;若野寿史
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索尼半导体解决方案公司
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2017-10-18
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2023-08-01
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H01L27/146
- 本发明涉及传感器。该传感器可包括：第一基板，包括：第一半导体层，包括：第一雪崩光电二极管，包括第一阴极区域和第一阳极区域；第二雪崩光电二极管，包括第二阴极区域和第二阳极区域；和第一隔离区域，位于所述第一和第二雪崩光电二极管之间，以及第一布线层，包括：第一布线；第一通孔，其中，第一阴极区域通过第一通孔电连接到第一布线；第二布线；和第二通孔，其中，第一阳极区域通过第二通孔电连接到第二布线；以及第二基板，层叠在第一基板上，第二基板包括：第二布线层，包括：第三布线，直接接合到所述第一布线；和第四布线，直接接合到所述第二布线；以及第二半导体层。
- 传感器
- [发明专利]传感器-CN202310086931.7在审
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大竹悠介;松本晃;山元纯平;内藤隆诚;中沟正彦;若野寿史
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索尼半导体解决方案公司
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2017-10-18
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2023-06-23
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H01L27/146
- 本发明涉及传感器和飞行时间系统。其中，所述传感器可包括：第一基板，包括：第一半导体层，所述第一半导体层包括：第一雪崩光电二极管，其包括第一阴极区域和第一阳极区域；和第一隔离区域，第一配线层，所述第一配线层包括：第一配线；第一通孔，第一阴极区域通过所述第一通孔电连接至第一配线；第二配线；和第二通孔，第一阳极区域通过所述第二通孔电连接至所述第二配线；以及第二基板，所述第二基板层叠在所述第一基板上，所述第二基板包括：第二配线层，所述第二配线层包括：直接接合至所述第一配线的第三配线；直接接合至所述第二配线的第四配线；和第二半导体层，所述第一阳极区域位于所述第一阴极区域和所述第一隔离区域之间。
- 传感器
- [发明专利]固态摄像元件和电子器件-CN201880064783.6有效
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小幡健一;中沟正彦
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索尼半导体解决方案公司
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2018-11-16
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2023-03-21
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H04N25/77
- 本公开涉及能够进一步提高性能的固态摄像元件和电子器件。像素至少包括光电转换单元、FD单元及放大晶体管，所述光电转换单元被构造为执行光电转换，在所述光电转换单元中产生的电荷被传输到所述FD单元，所述放大晶体管的栅极与所述FD单元连接。在对与由像素接收的光量一致的像素信号执行AD转换时所参考的参考信号被输入至第一MOS晶体管。然后，采用共用结构，在共用结构中，预定数量的像素共用AD转换器，所述AD转换器由差分对构成，所述差分对由所述第一MOS晶体管和所述放大晶体管组成。针对每个所述像素设置有选择晶体管，所述选择晶体管用于将所述像素选择为被执行所述像素信号的AD转换的像素。本技术可以应用于例如CMOS图像传感器。
- 固态摄像元件电子器件
- [发明专利]摄像装置和摄像装置制造方法-CN201780002162.0有效
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中沟正彦
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索尼公司
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2017-01-11
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2022-12-16
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H01L27/146
- 本发明为了降低包含多个半导体芯片的摄像装置中的噪声的影响而提供了摄像装置及摄像装置制造方法。在该摄像装置中，第一半导体芯片包括：信号输入晶体管，其控制端子被输入有作为与入射光对应的信号的输入信号；参考输入晶体管，其与信号输入晶体管形成差分对，且其控制端子被输入有参考信号；第一信号线，当在信号输入晶体管和参考输入晶体管一者中流动的电流响应于输入信号和参考信号之间的差分而变化时，第一信号线将该电流的变化作为输入信号和参考信号之间的比较结果而传送；与第一信号线电气连接的第一焊盘。第二半导体芯片包括：处理比较结果的处理电路；与处理电路电气连接且将比较结果传送到处理电路的第二信号线；与第二信号线及第一焊盘电气连接的第二焊盘。
- 摄像装置制造方法
- [发明专利]成像装置和电子设备-CN202180022953.6在审
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中沟正彦
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索尼半导体解决方案公司
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2021-03-16
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2022-11-11
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H01L27/146
- 提供一种成像装置(1)，包括：将光转换为电荷的第一成像元件和第二成像元件(100)。第一成像元件和第二成像元件分别包括：多个像素(300)，其设置在半导体基板(10)内并相邻；像素分隔壁(304)，其将多个像素中的相邻的像素分离；以及滤色器(202)，其设置在半导体基板的光接收表面的上方，并透射第一成像元件和第二成像元件的不同波长的光。在从光接收表面侧观察成像装置的情况下，第一成像元件所包括的像素分隔壁在第一成像元件的中心具有狭缝。在从光接收表面侧观察成像装置的情况下，第二成像元件所包括的像素分隔壁在第二成像元件的中心不具有狭缝。
- 成像装置电子设备
- [发明专利]成像元件和电子设备-CN202210163652.1在审
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梶原悠;中沟正彦
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索尼公司
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2017-02-14
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2022-07-05
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H04N5/341
- 本技术涉及一种成像元件和电子设备。成像元件包括：第一像素单元，其包括第一电荷电压转换单元、第一耦合晶体管、第一复位晶体管、第一放大晶体管和第一选择晶体管；第二像素单元，其包括第二电荷电压转换单元、第二耦合晶体管、第二复位晶体管、第二放大晶体管和第二选择晶体管，其中第一电荷电压转换单元经由第一耦合晶体管和第二耦合晶体管连接到第二电荷电压转换单元，其中第一耦合晶体管和第一复位晶体管在平面图中沿着第一方向布置，以及其中第二耦合晶体管和第二复位晶体管在平面图中沿着第一方向布置。
- 成像元件电子设备
- [发明专利]成像元件和电子设备-CN202210163678.6在审
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梶原悠;中沟正彦
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索尼公司
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2017-02-14
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2022-07-05
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H04N5/3745
- 本技术涉及一种成像元件和电子设备。成像元件包括：第一像素单元，其包括第一电荷电压转换单元、第一耦合晶体管、第一复位晶体管、第一放大晶体管和第一选择晶体管；第二像素单元，其包括第二电荷电压转换单元、第二耦合晶体管、第二复位晶体管、第二放大晶体管和第二选择晶体管，其中第一电荷电压转换单元经由第一耦合晶体管和第二耦合晶体管连接到第二电荷电压转换单元，以及其中第一耦合晶体管、第一复位晶体管、第一放大晶体管和第一选择晶体管在平面图中相对于第一方向上的对称线基本上对称地布置。
- 成像元件电子设备
- [发明专利]摄像装置-CN202080034711.4在审
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河本健芳;中沟正彦;小野俊明;山下知宪
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索尼半导体解决方案公司
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2020-06-26
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2021-12-24
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H01L27/146
- 根据实施方案的摄像装置包括第一基板、第二基板、配线和沟槽。所述第一基板包含像素，所述像素分别具有光电二极管和保持由所述光电二极管转换的电荷的浮动扩散部。所述第二基板包括用于根据由像素中的所述浮动扩散部保持的电荷读取像素信号的像素电路，所述第二基板堆叠在所述第一基板上。所述配线在堆叠方向上贯穿所述第一基板和所述第二基板，并且在所述第一基板中的所述浮动扩散部和所述第二基板的所述像素电路中的放大晶体管之间建立电连接。所述沟槽至少形成在所述第二基板中以与所述配线平行地延伸，所述沟槽的深度等于或大于所述第二基板中的半导体层的厚度。
- 摄像装置
- [发明专利]摄像装置-CN202080035798.7在审
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落合聡一;河本健芳;中沟正彦
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索尼半导体解决方案公司
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2020-06-22
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2021-12-24
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H01L27/146
- 一种摄像装置包括第一基板、第二基板、第三基板和切换部。所述第一基板具有像素，所述像素包括光电二极管和用于保持由所述光电二极管转换的电荷的浮动扩散部。所述第二基板具有用于读出所述像素中的基于所述浮动扩散部中所保持的所述电荷的像素信号的像素电路，并且被层叠在所述第一基板上。所述第三基板具有用于检测由所述像素电路读出的像素信号的处理电路，并且被层叠在所述第二基板上。所述切换部使得所述浮动扩散部与所述第一基板中的另一像素的浮动扩散部之间能够电气连接，并且被设置在所述第二基板中。因此，所述像素的所述浮动扩散部的电容可以通过使用另一像素的浮动扩散部而得以切换，籍此能够切换电荷‑电压转换效率的大小。
- 摄像装置
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