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[发明专利]固态成像元件及其制造方法-CN201610580088.8有效
发明人：関泽充生;桑沢和伸;中村纪元;远藤刚廣 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种固态成像元件及其制造方法。所述固态成像元件具备：第一导电型的半导体层；栅极绝缘膜，其位于半导体层上；栅电极，其位于栅极绝缘膜上；第二导电型的第一杂质区域，其位于半导体层内，并且至少位于在俯视观察时与栅电极的第一端部相比靠外侧的区域内；第二导电型的第二杂质区域，其位于半导体层内，并且位于在俯视观察时与栅电极的对置于第一端部的第二端部相比靠外侧以及内侧的区域内；第一导电型的第三杂质区域，其位于半导体层内，并且位于在俯视观察时与栅电极的第二端部相比靠外侧的第二杂质区域的上层，且与第二杂质区域相接。
固态成像元件及其制造方法

[发明专利]固态成像元件及其制造方法-CN201610151117.9有效
发明人：桑沢和伸;中村纪元;関泽充生;远藤刚廣 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种固态成像元件及其制造方法。所述固态成像元件包括：P阱(12)；栅极绝缘膜(19)；栅电极(20)；P+型的钉扎层(22)，其位于与所述栅电极的第一端部(20a)相比靠外侧的P阱内；P－型杂质区域(17)，其至少位于与栅电极的第一端部相比靠内侧的P阱内，且与钉扎层相接；N‑型杂质区域(15a)，其位于钉扎层以及P‑型杂质区域(17)的下方的所述半导体层内；N‑‑型杂质区域(15)，其与栅极绝缘膜及P‑型杂质区域(17)分别相接，且在俯视观察时位于N‑型杂质区域(15a)的周围。
固态成像元件及其制造方法

[发明专利]固态成像元件及其制造方法-CN201610150684.2有效
发明人：桑沢和伸;中村纪元;関泽充生;远藤刚廣 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种固态成像元件及其制造方法。所述固态成像元件包括：P阱(12)；栅极绝缘膜(19)；栅电极(20)；P+型的钉扎层(22)，其位于与所述栅电极的第一端部(20a)相比靠外侧的P阱内；P－型杂质区域(17)，其至少位于与栅电极的第一端部相比靠内侧的P阱内，且与钉扎层相接；N－型杂质区域(15a)，其与P－型杂质区域(17)相接且与栅极绝缘膜相接；N－－型杂质区域(15)，其在俯视观察时包围N－型杂质区域(15a)的至少一部分。
固态成像元件及其制造方法

[发明专利]固体摄像元件及其制造方法-CN201610134503.7有效
发明人：桑沢和伸;中村纪元;関泽充生;远藤刚廣 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明为一种固体摄像元件，其包括：P阱(12)；栅绝缘膜(19)；栅电极(20)；P+型的引脚层(22)，其位于与所述栅电极的第一端部(20a)相比靠外侧的P阱中；P‑型杂质区域(17)，其至少位于与栅电极的第一端部相比靠内侧的所述P阱中，且与所述引脚层接触；N‑型杂质区域(15)，其位于所述引脚层以及所述P‑型杂质区域下方的所述P阱中，且在与所述P‑型杂质区域接触的同时与所述栅绝缘膜接触；N+型杂质区域(24)，其位于所述栅电极的第二端部(20b)的下方的所述P阱中。
固体摄像元件及其制造方法

[发明专利]固态成像装置及其制造方法-CN201510825492.2有效
发明人： 中村纪元 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明所涉及一种固态成像装置及其制造方法。所涉及的固态成像装置(100)包括：第一导电型阱(20)；第一的第二导电型扩散层(30)，其被设置于第一导电型阱(20)中，并通过被照射光而产生载流子；第二的第二导电型扩散层(34)，其被设置于第一导电型阱(20)中，在第一的第二导电型扩散层(30)中所产生的载流子向第二的第二导电型扩散层(34)被传送并被蓄积在第二的第二导电型扩散层(34)中；第一的第一导电型扩散层(40)，其被设置于第二的第二导电型扩散层(34)之下，第二的第二导电型扩散层(34)的杂质浓度高于第一的第二导电型扩散层(30)的杂质浓度，第一的第一导电型扩散层(40)的杂质浓度低于第一导电型阱(20)的杂质浓度。
固态成像装置及其制造方法

[发明专利]固态成像装置及其制造方法-CN201510531863.6有效
发明人： 中村纪元 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种固态成像装置及其制造方法。本发明的一个方式为一种固态成像装置，其具备：P型阱(12)；被形成在P型阱(12)中的N型低浓度扩散层(18)，被形成在N型低浓度扩散层(18)的表面上的P型表面扩散层(16)，被形成在N型低浓度扩散层(18)的侧面与P型阱(12)的边界处的P型高浓度阱(15)。
固态成像装置及其制造方法

[发明专利]光谱传感器及其制造方法-CN201410123124.9有效
发明人： 中村纪元;花冈辉直;矢野邦彦 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种光谱传感器及其制造方法。该制造方法包括：在半导体基板上形成受光元件的工序（a）；在半导体基板之上形成角度限制滤波器的工序（b）；在角度限制滤波器之上形成光谱滤波器的工序（c）。形成光谱滤波器的工序（c）包括如下工序：工序（c1），通过剥离法而形成第一透光膜，所述第一透光膜具有在俯视观察半导体基板时与遮光部重叠的边缘部；工序（c2），通过剥离法而在俯视观察半导体基板时远离第一透光膜的位置处形成第二透光膜，所述第二透光膜具有在俯视观察半导体基板时与遮光部重叠的边缘部。
半导体基板透光膜俯视观察滤波器光谱传感器光谱滤波器角度限制剥离法边缘部遮光部制造受光元件位置处

[发明专利]固体摄像装置和电子设备-CN201710804655.8在审
发明人：桑泽和伸;关泽充生;中村纪元 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供固体摄像装置和电子设备。固体摄像装置具有配置在半导体衬底上的受光元件、电荷保持区域以及浮置扩散区域；第1传输门，其在受光元件与电荷保持区域之间；第2传输门，其在电荷保持区域与浮置扩散区域之间，布线层，其包括隔着多个层间绝缘膜配置在半导体衬底上的布线；以及遮光膜，其相对于布线层配置在半导体衬底侧，对电荷保持区域进行遮光。
固体摄像装置电子设备

[发明专利]固体摄像装置和电子设备-CN201710805191.2在审
发明人： 中村纪元;桑泽和伸;关泽充生 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明提供固体摄像装置和电子设备。该固体摄像装置具有像素区域，其包括受光元件、传输门、浮置扩散区域以及缓冲晶体管；以及布线，其配置在第N层的布线层中，并且将所述浮置扩散区域和所述缓冲晶体管电连接，其中，N是2以上的整数。
固体摄像装置电子设备

[发明专利]固体摄像装置-CN201710220833.2在审
发明人：桑泽和伸;中村纪元;关泽充生 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2017-04-06 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：固体摄像装置。该固体摄像装置的电荷传输路径的从传输晶体管的光电二极管到浮置扩散区的电势分布的同一性提高。该固体摄像装置具有第1传输晶体管，其包含第1光电二极管、第1栅电极和第1浮置扩散区；第2传输晶体管，其包含第2光电二极管、第2栅电极和第2浮置扩散区；第3传输晶体管，其包含第3光电二极管、第3栅电极和第3浮置扩散区；以及复位晶体管，其包含源或漏区域的扩散层和复位栅极。第1～第3浮置扩散区和复位晶体管的扩散层相互分开，并经由布线而相互电连接。第1～第3光电二极管呈一维状地排列。
固体摄像装置

[发明专利]固态摄像元件及其制造方法、以及电子设备-CN201610809330.4在审
发明人：関泽充生;桑泽和伸;中村纪元;远藤刚廣 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种固态摄像元件及其制造方法以及电子设备。该固态摄像元件具备半导体层，其为第一导电型；栅极绝缘膜，其位于半导体层上；栅电极，其位于栅极绝缘膜上；第一杂质区，其为第二导电型，且至少位于在俯视观察时与栅电极的第一端部相比靠外侧的半导体层内；第二杂质区，其为第二导电型，且至少位于在俯视观察时与栅电极的对置于第一端部的第二端部相比靠外侧的半导体层内；第三杂质区，其为第一导电型，且在俯视观察时从栅电极的第二端部分离且位于半导体层内的第二杂质区的上层内，并与第二杂质区相接。
固态摄像元件及其制造方法以及电子设备

[发明专利]分光传感器以及角度限制滤光器-CN201510808306.4在审
发明人： 中村纪元 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： G01J3/02 文献下载
摘要：本发明涉及分光传感器以及角度限制滤光器，所述角度限制滤光器包括：第一遮光层，其包含第一遮光性材料，且设置有第一开口部；第二遮光层，其包含第二遮光性材料，且位于至少部分包围第一遮光层的区域内；第三遮光层，其包含第一遮光性材料，且设置有至少部分与第一开口部重合的第二开口部，并且位于第一遮光层的上方；第四遮光层，其包含第二遮光性材料，并且位于至少部分包围第三遮光层的区域内且第二遮光层的上方。
分光传感器以及角度限制滤光

[发明专利]分光传感器以及角度限制滤光器-CN201210071529.3有效
发明人： 中村纪元 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G01J3/04 文献下载
摘要：本发明涉及分光传感器以及角度限制滤光器，所述角度限制滤光器包括：第一遮光层，其包含第一遮光性材料，且设置有第一开口部；第二遮光层，其包含第二遮光性材料，且位于至少部分包围第一遮光层的区域内；第三遮光层，其包含第一遮光性材料，且设置有至少部分与第一开口部重合的第二开口部，并且位于第一遮光层的上方；第四遮光层，其包含第二遮光性材料，并且位于至少部分包围第三遮光层的区域内且第二遮光层的上方。
分光传感器以及角度限制滤光

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