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[发明专利]半导体处理腔、半导体处理设备及气相外延设备-CN202210410373.0在审
发明人：陶珩;庞云玲;丛海;姜勇;尹志尧 -专利权人： 中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体处理腔、半导体处理设备及气相外延设备，解决了半导体处理领域工艺气体均匀性、红外辐射透过率和承压能力的技术问题，主要通过一承压壳体覆盖处理腔的上盖，并形成一密闭空间，使用一调压装置对密闭空间的气压进行调节，进而调整半导体处理腔的上盖上下表面承受的气压，来优化上盖的结构设计，以达到在半导体工艺过程中，为了实现对基片表面更高均匀性、更高质量的处理，可以对上盖进行更大范围的改进，来获得更优化的处理空间。
半导体处理设备外延

[发明专利]一种基片处理装置及腔室内衬-CN202210410374.5在审
发明人：庞云玲;姜勇;丛海 -专利权人： 中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了一种基片处理装置及腔室内衬，用于对基片进行工艺处理。所述基片处理装置包括腔室，所述腔室包括相互套叠设置的腔室内衬和位于腔室内衬外部的腔室外壳，所述腔室内衬整体呈长方体结构，包括设有一上内衬开口的内衬上壁和腔室底壁，以及位于所述内衬上壁和内衬底壁之间的两平行内衬侧壁，工艺过程中，所述腔室内衬在基片上方形成一方体状气体分布空间，所述方体状气体分布空间的横向宽度等于所述两平行内衬侧壁之间的距离且大于所述基片的直径。使得靠近内衬侧壁的工艺气体沿着内衬侧壁向下游传输，无需进行横向扩散以实现工艺气体的层流部分，进而提高基片不同径向区域的处理均匀性。
一种处理装置内衬

[发明专利]一种气体混合器、气体喷淋装置及使用方法-CN202210403734.9在审
发明人：姜勇;王弦歌;陶珩 -专利权人： 中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本发明公开一种气体混合器、气体喷淋装置及使用方法，所述气体混合器用于气体喷淋装置，包括：设置于气体扩散腔上方的混合器本体，混合器本体的内部设置有一容纳腔，容纳腔与第一气体源连接，用于容置从第一气体源供应的至少一种气体；混合器本体的侧壁上围绕容纳腔盘设有螺旋形通道；螺旋形通道的进口与第二气体源连通，螺旋形通道的出口与气体扩散腔连通；螺旋形通道的侧壁上间隔设有若干个第一通孔，用于连通容纳腔和螺旋形通道，以使供应至容纳腔的至少一种气体和供应至螺旋形通道的至少一种气体在螺旋形通道内进行混合。本发明中不同气体在螺旋形通道内进行混合，使得气体混合路径较长，从而保证不同气体的混合均匀性和混合质量。
一种气体混合器喷淋装置使用方法

[发明专利]一种半导体设备及其基片处理方法-CN202210349870.4在审
发明人：庄宇峰;陶珩 -专利权人： 中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：一种半导体设备及其基片处理方法，半导体设备包含成核腔和至少一个处理腔，温度控制系统将成核腔维持为第一温度，将处理腔维持为第二温度，气体控制系统控制含钨气体输入成核腔执行成核工艺，气体控制系统控制不含碳及金属原子的处理气体输入处理腔对执行过成核工艺的特征区内靠近所述开口的上段执行保形抑制处理工艺，使其不阻挡所述特征区内远离开口的下段沉积。本发明在利用不同腔室实现温度分别控制的基础上，通过气体控制系统实现对不同操作工艺的压力和气体流速的调节，无需对基片的制程温度进行反复调节，保持了工艺的稳定性，节省了制程时间，实现了温度、压力、气体流速的全面调节，扩大了制程窗口，满足了制程需求。
一种半导体设备及其处理方法

[发明专利]一种纵长形反应腔体及其化学气相沉积装置-CN202210349977.9在审
发明人：周楚秦;张海龙;庞云玲;姜勇 -专利权人： 中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种纵长形反应腔体及其化学气相沉积装置，该纵长形反应腔体包含：纵长方向延伸的顶壁、底壁和侧壁围绕而成的腔体，腔体两端分别为进气开口和排气开口；腔体内部空间包括进气区域、排气区域和反应区域，各区域沿纵长方向排列；反应区域下方的底壁上设置有延伸管，旋转轴从延伸管伸入反应区域以支撑托盘和基片，使得基片在反应区域中旋转；反应腔体两个侧壁内表面竖直且互相平行；顶壁在反应区域向上拱起，使得基片上沿纵长方向上分布的多个点到顶壁的距离不同。其优点是：该纵长形反应腔体的顶壁在反应区域处向上拱起，以使其具有较高的机械强度，从而具有更强的承压能力，同时基片上方的气体流场较为稳定，保证了薄膜沉积的均匀性。
一种纵长形反应及其化学沉积装置

[发明专利]一种陶瓷材料加工方法-CN202210375546.X在审
发明人：陈星建;陈煌琳 -专利权人： 中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷材料加工方法，包括：浸渍：将陶瓷坯体浸渍于液态聚碳硅烷前体中，使液态聚碳硅烷前体填充所述陶瓷坯体的缺陷；交联固化：使液态聚碳硅烷前体在所述缺陷内部受热分解，发生氧化交联反应。本发明获得的陶瓷材料内部缺陷少、热导率高、介电损耗低。
一种陶瓷材料加工方法

[发明专利]一种进气装置及衬底处理设备-CN202210361686.1在审
发明人：谢振南;郑振宇 -专利权人： 中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种进气装置，用于衬底处理设备，衬底处理设备包含一反应腔，所述进气装置位于反应腔上方，进气装置内部设有冷却流体通道以及分别连通外部多个工艺气体源的多个工艺气体输入管路，进气装置内部开有多个工艺气体输出通道；工艺气体输入管路通过至少一个对应的工艺气体输出通道向反应腔内提供工艺气体；冷却流体通道围绕工艺气体输入管路设置，多个工艺气体输出通道围绕冷却流体通道周向排布，冷却流体通道对工艺气体输入管路和工艺气体输出通道进行控温。本发明还提供一种衬底处理设备。通过本发明的冷却流体通道可以有效对工艺气体输入管道和工艺气体输出通道进行降温，避免了工艺气体的沉积而产生颗粒污染物，大大提高了晶圆成品率。
一种装置衬底处理设备

[发明专利]一种晶圆固定装置及其形成方法、等离子体处理设备-CN201911283373.3有效
发明人：涂乐义;叶如彬 -专利权人： 中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆固定装置及其形成方法、等离子体处理设备，其中晶圆固定装置可以包括承载晶圆的静电吸盘，以及承载静电吸盘的基座，以及承载基座和静电吸盘的设备板，基座和设备板均为金属材质，设备板和基座可以直接接触，设备板和基座之间也可以填充有柔性导电层，柔性导电层可以提高基座和设备板之间的电接触，增大设备板和基座之间的电容，这样设备板和基座之间可以较大且更稳定的电容，利于设备板和基座之间的射频信号的通过，相应减少其他路径中的射频信号的通过，减少射频信号的功率损失。
一种固定装置及其形成方法等离子体处理设备

[发明专利]一种等离子体刻蚀装置及其中的边缘环-CN201910968745.X有效
发明人：段蛟;陈星建;倪图强 -专利权人： 中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请提供一种等离子体刻蚀装置及其中的边缘环，边缘环位于静电吸盘的外围，静电吸盘用于固定其上的待处理晶圆，边缘环可以包括聚焦环，聚焦环具有内侧部分和外侧部分，内侧部分位于待处理晶圆边缘的下方，外侧部分向外超出待处理晶圆的覆盖范围，外侧部分高于内侧部分，至少在聚焦环的外侧部分形成有保护涂层，保护涂层的介电常数从表面至底部逐渐增大，这样，可以使得等离子体鞘层在晶圆的整个表面保持均匀。同时即使边缘环上的保护涂层被等离子体刻蚀而发生磨损，保护涂层内部的较高介电常数的表面暴露出来，从而使保护涂层具有更好的电荷负载能力，维持等离子体鞘层的稳定，从而维持刻蚀速率的稳定性。
一种等离子体刻蚀装置及其中的边缘

[发明专利]一种等离子体约束结构及其制造方法、等离子体处理装置-CN201911415943.X有效
发明人：徐朝阳;廉晓芳;江家玮;范光伟;涂乐义 -专利权人： 中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体约束结构及其制造方法、等离子体处理装置，其中等离子体约束结构可以包括接地环和在接地环上设置的约束环，接地环和与约束环之间形成有绝缘层，接地环中形成有多个第一通道，约束环中形成有多个第二通道，第一通道和第二通道连通，第一通道和第二通道不在同一条直线上，在约束环上形成有等离子体时，等离子体可以通过第二通道进入约束环，通过约束环可以对其上的等离子体进行约束，由于第一通道和第二通道不在同一条直线上，第一通道和第二通道作为等离子体通道时，其通道的长度有所增大，等离子体与第一通道和第二通道的侧壁接触的可能性也较高，因此提高了对等离子体的约束能力。
一种等离子体约束结构及其制造方法处理装置

[发明专利]一种晶圆夹持装置和等离子体处理设备-CN201911168656.3有效
发明人：梁洁;倪图强;王伟娜;吴磊 -专利权人： 中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种晶圆夹持装置，包括静电吸盘和接地装置，静电吸盘内部可以形成有静电电极板，静电电极板可以连接直流电源，接地装置可以包括互连的金属接地端和顶部部分，金属接地端用于连接地线，在静电吸盘上固定有晶圆，晶圆上方形成有等离子体时，顶部部分与等离子体接触，实现晶圆的接地，而顶部部分会使静电吸盘中的直流信号接地，且阻断射频信号在等离子体与地线之间的传输，这样可以为直流信号提供接地端，即为晶圆的夹持提供接地端，而射频信号不会通过接地装置接地，将射频回路和直流回路分隔开，提高晶圆夹持的可靠性。
一种夹持装置等离子体处理设备

[发明专利]一种等离子体处理装置-CN201911200020.2有效
发明人：涂乐义;叶如彬 -专利权人： 中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体处理装置，在聚焦环与基座之间相对面积、相对距离及本身材质固定的情况下，通过在聚焦环与基座之间设置导电材料插入环，来提高聚焦环与基座之间的电容而达到提高聚焦环上电压的目的；通过第一电容调节层实现聚焦环与导电材料插入环之间电容调节，或通过第一电容调节层实现导电材料插入环与基座之间电容调节，最终来调节聚焦环与基座之间电容而达到调节聚焦环上电压的目的。进而，通过提高聚集环上电压，同时通过优化第一电容调节层对电容的调节幅度实现对聚焦环上电压调节的能力，调控半导体基片与聚焦环之间的电场分布达到提高电场分布均一性的效果，保证半导体基片的边缘刻蚀准直性较高。
一种等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理设备的射频电极组件和等离子体处理设备-CN201910598506.X有效
发明人：苏宜龙;左涛涛;陈妙娟 -专利权人： 中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于等离子体处理设备的射频电极组件和等离子体处理装置，其中，用于等离子体处理设备的射频电极组件包括：基座，所述基座内设置有第一流体通道，所述第一流体通道连接第一流体源；位于所述基座上的静电夹盘，所述静电夹盘上用于放置待处理基片；位于所述静电夹盘外围的聚焦环，在所述聚焦环内具有至少一空腔，每个空腔内设置至少一个温控器件设置在所述空腔中，以控制所述聚焦环的温度。所述等离子体处理设备能够对待处理基片边缘区域聚合物的分布进行分区域局部地调节。
等离子体处理设备射频电极组件

[发明专利]一种在无晶圆的真空反应腔内镀膜的方法及晶圆处理方法-CN201910677224.9有效
发明人：耿振华;刘身健;刘志强;张洁 -专利权人： 中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种在无晶圆的真空反应腔内镀膜的方法及晶圆处理方法，该镀膜方法包含以下步骤：步骤1：向无晶圆的真空反应腔内输送沉积气体并点燃等离子体，在暴露于等离子体的真空反应腔内壁及内部部件表面沉积一定厚度的保护膜；步骤2：向无晶圆的真空反应腔内输送刻蚀气体并点燃等离子体，等离子体对步骤1沉积的保护膜进行修饰处理；步骤3：重复步骤1‑步骤2若干次以得到高致密度的保护膜。本发明通过重复沉积‑刻蚀的方式在真空反应腔内表面所形成致密的保护膜，从而减小晶圆表面颗粒的尺寸和数量，工艺简单，易于实现。
一种无晶圆真空反应镀膜方法处理

[发明专利]等离子体处理装置-CN201910790446.1有效
发明人：王伟娜;黄允文;梁洁 -专利权人： 中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包含真空反应腔室，内部有处理基片的等离子体；该反应腔室底部设有承载基片的基座；在基座的外缘环绕设有聚焦环；在聚焦环的下方设置有第一绝缘环，该第一绝缘环环绕基座；在第一绝缘环的内部或下方设置有加热器；在第一绝缘环的下方设置有屏蔽环，该屏蔽环接地并环绕基座；在屏蔽环的内部设置有电路接线，该电路接线用于向所述加热器提供电能。本发明对聚焦环的加热更均匀，实现更准确精细快速灵敏的温度控制和调节，同时线路设计简单可靠，可有效隔绝射频干扰。
等离子体处理装置

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