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[发明专利]石墨烯/碳纳米管复合低温相变材料、制备方法及应用-CN202011356396.5在审
发明人：金赫华;张舒生;邱松;张永毅 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯/碳纳米管复合低温相变材料、制备方法及应用。所述石墨烯/碳纳米管复合低温相变材料包括石墨烯基相变材料及碳纳米管，所述石墨烯基相变材料包括少层石墨烯以及无机结晶水合盐材料和/或低熔点合金材料。本发明在保持石墨烯基相变材料的低温相变温度不变的情况下，大幅提高了其导热系数，有利于低温相变材料的实际应用；同时，本发明的复合低温相变材料由单纯的无机相变材料组成，具有相变体积变化小、相变潜热较大、导热系数大等优点。
石墨纳米复合低温相变材料制备方法应用

[发明专利]发光材料及其应用-CN202010700872.4有效
发明人：刘扬;苏文明;谢黎明;庄錦勇 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院;南昌欧谱奕新材料有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C07D209/86 文献下载
摘要：本发明揭示了一种发光材料及其在有机电致发光器件中的应用。所述发光材料具有结构式I或结构式II的结构。本发明提供发光材料交连后具有良好的抗溶剂的特点，可以更好的应用于多层溶液法发光器件制备；而且该发光材料具有双极性空穴和电子传输的特性，大大提高了电荷传输的能力；通过对分子D‑π‑A结构的调整实现对发光材料深蓝光发光的调控，以及实现发光层无掺杂器件的制备，为后续实现多层溶液法制备无掺杂的深蓝发光器件和简化器件结构提供了基础。
发光材料及其应用

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202010515509.5在审
发明人：骆群;伊凡;张连萍;马昌期 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。所述钙钛矿太阳能电池包括沿设定方向依次设置的底电极、空穴传输层、钙钛矿层、富勒烯电子传输层、金属氧化物电极修饰层及顶电极，所述金属氧化物电极修饰层是金属氧化物纳米颗粒经由硅烷偶联剂、具有酰氯基团的化合物两步化学修饰而获得。本发明提供的金属氧化物电极修饰层在富勒烯衍生物的电子传输层上具有良好的成膜性，同时可以有效的阻止钙钛矿电池中的离子迁移问题，获得长时间以及加热条件下的热稳定性，能够提供稳定性更高的钙钛矿太阳能电池。
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]金属氧化物掺杂型钙钛矿薄膜、太阳能电池及制备方法-CN202010515510.8在审
发明人：骆群;伊凡;张连萍;马昌期 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C09D11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属氧化物掺杂型钙钛矿薄膜、太阳能电池及制备方法。所述金属氧化物掺杂型钙钛矿薄膜包括钙钛矿材料，以及与所述钙钛矿材料复合的基于化学修饰的金属氧化物材料，所述基于化学修饰的金属氧化物材料是金属氧化物纳米颗粒经由硅烷偶联剂、具有酰氯基团的化合物两步化学修饰而获得。所述钙钛矿太阳能电池包括沿设定方向依次设置的底电极、空穴传输层、金属氧化物掺杂钙钛矿层、富勒烯电子传输层及顶电极，所述金属氧化物掺杂钙钛矿层包括前述金属氧化物掺杂型钙钛矿薄膜。本发明提供的金属氧化物掺杂型钙钛矿薄膜，热稳定性更高，能够提供稳定性更高的钙钛矿太阳能电池。
金属氧化物掺杂型钙钛矿薄膜太阳能电池制备方法

[发明专利]大面积柔性透明半导体薄膜及其制法和应用-CN202010553969.7在审
发明人：邢志伟;赵宇坤;边历峰;陆书龙 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积柔性透明半导体薄膜及其制法和应用。所述制备方法包括：在衬底上生长形成纳米柱阵列，并使所述纳米柱阵列的顶端生长愈合形成平面，所述纳米柱阵列含有Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料；在所述纳米柱阵列表面生长半导体外延结构，所述半导体外延结构包括氮化物层。本发明通过采用纳米柱阵列加快刻蚀以及释放应力，可以更好的避免晶体刻蚀，进而提高所获大面积柔性透明半导体薄膜的晶体质量。
大面积柔性透明半导体薄膜及其制法应用

[发明专利]隐形半导体器件及其制备方法和应用-CN202010517504.6在审
发明人：张建亚;陆书龙;赵宇坤;邢志伟;周敏 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种隐形半导体器件及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在外延衬底上依次形成牺牲层、外延层和纳米柱阵列，所述外延层和纳米柱阵列均含有Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料；设置至少覆盖所述纳米柱阵列的绝缘材料层，并在所述绝缘材料层上加工出至少一个窗口，使至少部分的纳米柱阵列自所述窗口露出；在所述绝缘材料层的窗口处设置第一电极，使所述第一电极与从所述窗口暴露出的纳米柱阵列电连接，所述第一电极为透明电极，以及在所述绝缘材料层除窗口之外的区域上设置第二电极，从而形成隐形半导体器件。本发明提供的隐形半导体器件的使用寿命长，且该隐形半导体器件具有垂直型的纳米柱阵列，从而有利于释放外延应力，提高晶体质量。
隐形半导体器件及其制备方法应用

[发明专利]一种具有豆荚结构的相变储能材料及其制备方法与应用-CN202110166000.9有效
发明人：张永毅;贾胜敏;吕小婷;李清文;刘美男 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有豆荚结构的相变储能材料及其制备方法与应用。所述制备方法包括：采用3D打印技术，将作为核层打印墨水的相变材料间歇式注入同轴打印针头的内层，将作为壳层打印墨水的氧化石墨烯分散液连续注入同轴打印针头的外层，进行同轴打印，从而获得具有豆荚结构的相变储能材料。本发明制备的具有豆荚结构的相变储能材料实现了相变材料的独立包裹，成功的实现了相变材料的独立封装、连续制备，并且具有较高的相变潜热；同时该制备方法工艺简单，可重复性好，具有良好的循环稳定性，即1000次冷热循环后包覆率可达100％，该相变结构尺寸可控，大小均匀，可应用于相变储热以及智能衣物等领域。
一种具有豆荚结构相变材料及其制备方法应用

[发明专利]连续碳纤维增强PPS打印线材的制备系统、方法及其应用-CN202110884747.8在审
发明人：张永毅;朱军;段满玉;张亦弛;罗时光;曲百红 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： B29C64/112 文献下载
摘要：本发明公开了一种连续碳纤维增强PPS打印线材的制备系统、方法及其应用。所述制备方法包括：将聚苯硫醚母粒与增韧剂、抗氧化剂等混合后加热形成熔融态聚苯硫醚材料，并使碳纤维原丝连续通过所述熔融态聚苯硫醚材料，从而使碳纤维原丝表面包覆聚苯硫醚材料形成连续线材初成品，之后使所述连续线材初成品连续通过辊压器、至少一拉丝模，每一拉丝模均被设于一加热区内，直至收卷获得所述线材。本发明的制备方法简单、可控性高，能够实现连续碳纤维增强PPS打印线材的快速、连续、大规模生产，成本低，且所获产品的力学性能、3D打印加工性能优秀，在3D打印领域有广泛应用前景。
连续碳纤维增强 pps 打印线材制备系统方法及其应用

[发明专利]柔性自支撑中空活性炭微管基复合薄膜电极、制法与应用-CN202010050603.8有效
发明人：张永毅;曹玉芳;周涛;周世武;邸江涛;李清文 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性自支撑中空活性炭微管基复合薄膜电极、制法与应用。所述柔性自支撑中空活性炭微管基复合薄膜电极包括一维生物质中空活性炭微管和导电碳材料，所述中空活性炭微管具有中空腔体结构，所述导电碳材料分布于所述一维生物质中空活性炭微管内壁、外壁表面和中空腔体结构内；其中，所述一维生物质中空活性炭微管的比表面积为800‑3000m2/g，长度为5‑50μm。本发明采用一维生物质中空炭微管为活性物质，导电碳材料为导电剂和粘结剂，独特的一维中空微管结构穿插在导电碳材料之间，能够有效防止导电碳材料的严重团聚，构筑三维贯通的离子及电子传输通道，降低电解液离子扩散电阻和电荷传输电阻，有利于超级电容器倍率性能、功率密度、能量密度的提高。
柔性支撑中空活性炭微管复合薄膜电极制法应用

[发明专利]一种铂薄膜温度传感器的封装方法-CN202110812041.0在审
发明人：仲锐方;范亚明;吕伟明;李淑君;罗凌 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明揭示了一种铂薄膜温度传感器的封装方法，所述铂薄膜温度传感器包括陶瓷衬底和覆设在陶瓷衬底表面的铂薄膜电阻，所述封装方法包括：采用磁控溅射法在所述陶瓷衬底上形成能够掩盖铂薄膜电阻的AlN保护层，以将铂薄膜电阻与外部环境隔离。本发明提供的铂薄膜温度传感器的封装方法，采用磁控溅射工艺制备ALN保护层，磁控溅射有低温高速的特点，所制备薄膜内应力小，薄膜紧密，均匀性好；ALN耐高温，抗冲击，热导率高，导热性好。
一种薄膜温度传感器封装方法

[实用新型]一种手动激光打印夹具及手动激光打印机-CN202120391864.6有效
发明人：仲锐方;范亚明;艾青云;罗凌;刘苏阳 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种手动激光打印夹具及手动激光打印机。所述手动激光打印夹具包括定位块以及与定位块配合的压板，所述定位块上设置有多个定位孔和第一框架定位孔，其中，所述定位孔用于与夹具定位设备相连，所述定位块上还设有与第一框架定位孔配合且伸出第一框架定位孔的框架定位针，其至少用于与PCB框架相连；所述压板上设有多个对称设置的第二框架定位孔，其至少用于定位及防止PCB框架翘曲。本实用新型提供的手动激光打印夹具，结构简单，操作方便，作业效率高。
一种手动激光打印夹具激光打印机

[实用新型]控制芯片翘曲的装置-CN202120395644.0有效
发明人：刘苏阳;范亚明;黄蓉;艾青云;罗凌 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种控制芯片翘曲的装置。所述装置包括压板，所述压板至少用于与芯片接触并对其进行压迫，所述压板具有背对设置的第一表面和第二表面，所述压板的第一表面和第二表面上设置有多个沿厚度方向贯穿所述压板的微气孔，当所述压板的第二表面与芯片接触并施加压迫时，所述压板的第二表面与芯片接触面之间的空气能够自所述压板上的微气孔排出，芯片受到压板的第二表面垂直向下的压力，从而减小在芯片垂直方向的翘曲。本实用新型实施例提供的一种控制芯片翘曲的装置，能够控制、减小贴片后芯片的翘曲度，从而提升后续工艺的可操作性，从而提升生产良率。
控制芯片装置

[发明专利]一种晶圆测试中测试仪自动读取参数的方法-CN201811389896.1有效
发明人：刘芹篁;范亚明;朱璞成;刘斌;陈诗伟;黄蓉;宋振磊 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明揭示了一种晶圆测试中测试仪自动读取参数的方法，包括：探针台将探针卡识别号传输至伺服器，由伺服器传输给测试仪；测试仪识别探针卡识别号，并根据探针卡识别号在伺服器内选取对应的测试程序；测试仪读取并下载测试程序，将其载入测试软件，载入完成后发送完成信号给探针台；探针台接收到完成信号，发出警报告知测试操作人员。本发明既保证了晶圆测试程序的有效性，又减少过多返工对晶圆的损耗，增加良率。
一种测试测试仪自动读取参数方法

[实用新型]新型3D芯片封装结构-CN202120507010.X有效
发明人：罗凌;范亚明;艾青云;仲锐方;刘苏阳;黄蓉;丁俊;李淑君 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型3D芯片封装结构。所述新型3D芯片封装结构包括：第一芯片、第二芯片、封装结构和电连接线，所述第一芯片和第二芯片分别设置在所述封装结构的两侧，所述电连接线穿过所述封装结构并分别与所述第一芯片、第二芯片电性连接。本实用新型实施例提供的一种新型3D芯片封装结构为垂直互连结构，该新型3D芯片封装结构的结构简单且制作工艺简单，并且，该新型3D芯片封装结构不需进行刻蚀和材料的生长，易于推广应用。
新型芯片封装结构

[发明专利]一种低电阻、低热阻的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法-CN201810373946.0有效
发明人：孙钱;冯美鑫;周宇;高宏伟;杨辉 -专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体微腔激光器结构及其制备方法，将在氮化物半导体的氮面制备微腔激光器，(0001)镓面的p型欧姆接触采用整面接触的方式，大幅降低微腔激光器的串联电阻；微腔激光器的热量直接传导到高热导率的热沉中，在氮面制备微腔激光器，采用湿法腐蚀的方法制作微腔激光器的侧壁，可以大幅提升微腔激光器的稳定性，采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON材料作为微腔激光器的光学限制层，提供强的光学限制。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有电阻小、热阻低、易实现电注入和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。
一种电阻低热氮化物半导体激光器结构及其制备方法

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