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[发明专利]垂直腔面发射激光器及其制备方法-CN202310928825.9在审
发明人：周旭亮;田家琛;潘教青 -专利权人： 中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及激光器技术领域，尤其涉及一种垂直腔面发射激光器及其制备方法。其中，激光器包括激光器单元、p型衬底、第一p电极、第二p电极和第三p电极；第三p电极设置在激光器单元上端；第一p电极和第二p电极分别设置在p型衬底的两侧；p型衬底设置在激光器单元之上，以使得第二p电极靠近第三p电极，且第二p电极和第三p电极金属键合，增加了散热通道，提高了激光器的散热性能。
垂直发射激光器及其制备方法

[发明专利]频率测量方法及装置-CN202310653467.5在审
发明人：刘建国;向子川;贾倩倩;李金野 -专利权人： 中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R23/02 文献下载
摘要：本公开提供一种频率测量方法，其特征在于，包括：将馈入的待测微波信号调制到光载波上，得到调制信号；获取所述调制信号的光信号功率；根据所述光信号功率，计算微波频率测量结果。本公开提供的方法无需使用色散元件和光电探测器，结构简单易于集成小型化，系统相应时间快，功耗低，且可根据实际应用对测量范围和测量精度进行调整。
频率测量方法装置

[发明专利]一种变形镜-CN202210407183.3在审
发明人：李金潮;杨晋玲 -专利权人： 中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B26/06 文献下载
摘要：本公开提供一种变形镜，包括基座9、驱动机构、镜面1，驱动机构包括多个驱动柱13，多个所述驱动柱13呈阵列化排布于所述基座9上，并且每一所述驱动柱13的底部与所述基座9进行紧配；所述镜面1上下表面镀有反射膜，所述镜面1的下表面通过极头2与所述驱动柱13的顶端柔性粘接。本公开提供的变形镜可实现高精度的大行程低阶像差校正和小行程高阶像差校正，同时，兼具高工作频率。本公开通过优化的变形镜结构和驱动柱结构，确保变形镜在高工作频率下的大行程和高精度调控。显著提高了自适应光学系统性能，在大视场、宽光谱范围、大焦距变焦、精密成像自适应光学系统中具有显著优势。
一种变形

[发明专利]钙钛矿闪烁体材料及其间接型X射线探测器的制备方法-CN202310854906.9在审
发明人：程传同;关硕;黄丽婷;黄北举;陈弘达 -专利权人： 中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种钙钛矿闪烁体材料制备方法，该方法包括：S11，旋涂底层钙钛矿纳米晶层，沉积底层聚合物薄膜层；S12，在底层聚合物薄膜层上表面依次旋涂钙钛矿纳米晶层和聚合物薄膜层，钙钛矿纳米晶层和聚合物薄膜层组成复合结构层；其中，复合结构层至少为两层；复合结构层的最上层包括顶层钙钛矿纳米晶层；其中，自下而上从底层钙钛矿纳米晶层至顶层钙钛矿纳米晶层，钙钛矿纳米晶层的带隙逐层降低。本公开另一方面提供了一种利用钙钛矿闪烁体材料制备间接型X射线探测器的方法。本公开通过引入钙钛矿纳米晶带隙梯度变化的多层薄膜解决自吸收问题，采用聚合物薄膜增加钙钛矿闪烁体材料稳定性，并采用高响应度光探测器配合钙钛矿闪烁体部分。
钙钛矿闪烁材料及其间接射线探测器制备方法

[发明专利]基于氟晶云母栅介质层的二维场效应晶体管及其制备方法-CN202311011249.8在审
发明人：魏钟鸣;辛凯耀;杨珏晗;翟慎强;刘岳阳;文宏玉 -专利权人： 中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本公开提出了一种基于氟晶云母栅介质层的二维场效应晶体管，包括衬底、沟道层、栅介质层、栅极、源极和漏极。其中，沟道层为二维范德华沟道材料，以在外加电场的作用下产生载流子；栅介质层形成于沟道层之上，为二维范德华氟晶云母材料，与沟道层通过范德华力结合；栅极形成于栅介质层之上，用于向栅介质层施加栅压，使得栅介质层中产生用于调控沟道层中载流子迁移以形成电流的电场；源极和漏极分别形成于栅介质层的两侧，用于传输电流。
基于云母介质二维场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]基于流水线结构的计算引擎加速装置、方法、设备及介质-CN202310912140.5在审
发明人：赵志远;徐鹏;陈刚;申荣铉;鲁华祥;边昳 -专利权人： 中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于流水线结构的计算引擎加速装置、方法、设备及介质，神经网络硬件加速技术领域，该装置包括：循环行缓冲器，包括：第一多路选择器，用于确定输入特征图的n个特征图像素点的存储位置，其中，n为大于0的正整数；m个随机存取存储器，用于根据存储位置缓存n个特征图像素点，其中，m为大于0的正整数；第二多路选择器，用于对写入m个随机存取存储器的特征图像素点进行输出；流驱动填充器，用于根据特征图像素点的位置和神经网络中卷积层的边界参数，对第二多路选择器输出的特征图像素点进行边界填充；计算单元阵列，用于对填充后的特征图像素点进行卷积计算；权重存储器，用于缓存神经网络的权重数据。
基于流水线结构计算引擎加速装置方法设备介质

[发明专利]变形镜-CN202210352978.9在审
发明人：李金潮;杨晋玲 -专利权人： 中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B26/06 文献下载
摘要：一种变形镜，该变形镜包括：镜面，适用于反射照射到镜面上的光束；位移驱动模块，与镜面固定连接，适用于基于镜面的柔性驱动镜面在多个部位中的至少一个部位产生轴向方向的变形；以及偏转驱动模块，该偏转驱动模块包括：第一基座，位移驱动模块设置于第一基座上；以及多个偏转单元，安装在第一基座内，每个偏转单元适用于基于偏转单元在镜面的轴向方向的尺寸变化驱动位移驱动模块和镜面在镜面的轴向方向上发生偏转。
变形

[发明专利]基于深度学习和群体特征的种群细粒度识别与计数方法-CN202310961121.1在审
发明人：鉴海防;郑帅康;王洪昌 -专利权人： 中国科学院半导体研究所;中科院南昌高新技术产业协同创新研究院
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06V40/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种于深度学习和群体特征的种群细粒度识别与计数方法。该方法包括：利用预设的密度估计算法从待识别的种群图像中获取表征感兴趣目标位置信息和数量信息的密度分布图；对密度分布图进行灰度处理以生成密度灰度图，并根据种群分布特征，利用预设的种群聚类和定位算法对密度灰度图进行聚类处理和定位处理，得到种群的位置边界信息；根据种群的位置边界信息，利用训练完成的种群细粒度识别模型对待识别的种群图像进行识别，得到种群的类别信息；根据种群的类别信息，利用种群的位置边界信息和密度分布图进行分类计数，得到不同种群的数量信息。本发明同时还提供了一种用于训练种群细粒度识别模型的方法、电子设备以及存储介质。
基于深度学习群体特征种群细粒度识别计数方法

[发明专利]一种离子注入重复性和稳定性的监测方法-CN202210328583.5在审
发明人：武婧敏;郭志煜;王风旋;杨香;樊中朝;王晓东;杨富华 -专利权人： 中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入重复性和稳定性的监测方法，包括：基于椭偏仪测试离子注入样片的样片参数，构建用于描述所述离子注入样片的光学模型，通过回归分析确定所述光学模型中的模型参数，将所述模型参数与所述样片参数进行拟合，通过拟合结果得到用于监测离子注入重复性和稳定性的光学常数和损伤层厚度。以此快速、方便的测试损伤层厚度和对应的光学参数，从而实时监测离子注入设备的稳定性和均匀性，低成本的对离子注入的稳定性和均匀性进行监测与调控。
一种离子注入重复性稳定性监测方法

[发明专利]铟镓氮薄膜的制备方法-CN202310897320.0在审
发明人：梁锋;赵德刚;刘宗顺;杨静 -专利权人： 中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种铟镓氮薄膜的制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：步骤A：在衬底生长至少一层初始氮化镓层；步骤B：在初始氮化镓层上生长一层铟镓氮层；步骤C：基于目标策略对铟镓氮层进行处理，在处理后的铟镓氮层上再生长一层铟镓氮层；目标策略包括以下至少一项：升高温度至退火温度，对铟镓氮层进行保温退火处理；降低温度至铟镓氮层的生长温度；或者，在铟镓氮层通入目标气体，目标气体用于去除铟镓氮层中的富铟区；步骤D：重复执行步骤C，直至各所述铟镓氮层的总厚度达到预设阈值，或者各所述铟镓氮层的质量达到预设阈值，生成铟镓氮薄膜。通过上述方法，可有效降低铟镓氮薄膜表面V型缺陷的密度及大小，改善厚层铟镓氮薄膜质量。
铟镓氮薄膜制备方法

[发明专利]全介质X字形凹槽超表面陷光结构GaAs基薄膜电池及其制备方法-CN202310994990.4在审
发明人：毛旭;魏博;余钢;杨富华;王晓东 -专利权人： 中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本公开是一种全介质X字形凹槽超表面陷光结构的GaAs基薄膜电池及其制备方法。该全介质X字形凹槽超表面陷光结构的GaAs基薄膜电池包括：GaAs衬底，用于起支撑作用；GaAs活性层，形成于所述GaAs衬底上，用于作为薄膜电池光生伏特效应发生区的PN结区域；X字形凹槽阵列超表面，采用陷光结构，通过刻蚀所述GaAs活性层的表面而形成，用于减小表面光的反射率，增加光在薄膜电池内部的光程，从而增加电池的短路电流密度；背面电极和正面电极，其中背面电极作为薄膜电池的一端电极，正面电极为薄膜电池的另一端电极。利用本公开，解决了现有在制作太阳能薄膜电池时吸光效率低和超表面中阵列结构的工艺一致性难以保证的问题。
介质字形凹槽表面结构 gaas 薄膜电池及其制备方法

[发明专利]双极势垒短波红外探测器及制备方法-CN202311016794.6在审
发明人：李农;牛智川;王国伟;徐应强;蒋洞微;吴东海;郝宏玥;倪海桥;苏向斌 -专利权人： 中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种双极势垒短波红外探测器及制备方法，该双极势垒短波红外探测器包括：衬底；缓冲层，形成于衬底上；第一接触层，形成于缓冲层上，叠层结构，形成于第一接触层上，且与第一接触层形成台面，叠层结构包括：空穴势垒层，形成于第一接触层上；光吸收层，形成于空穴势垒层上，光吸收层适用于吸收外部的短波红外光，并产生电子和空穴；电子势垒层，形成于光吸收层上；第二接触层，形成于电子势垒层上；第一电极，形成于第一接触层上，且位于叠层结构的两侧，第一电极和第一接触层形成欧姆接触；第二电极，形成于第二接触层上，且位于第二接触层的两端，第二电极和第二接触层形成欧姆接触。
双极势垒短波红外探测器制备方法

[发明专利]图像传感器、图像信号处理方法、设备及存储介质-CN202210324490.5在审
发明人：张子阳;王耀园;刘力源;康磊;廖健行;王侃文;王瀛 -专利权人：华为技术有限公司;中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H04N25/78 文献下载
摘要：本申请提供了一种图像传感器、图像信号处理方法、设备及存储介质，属于图像采集技术领域。在该图像传感器中，像素阵列的输出端分别与第一读出电路的输入端和第二读出电路的输入端连接，像素阵列中的像素单元将入射光的光电流复制为第一光电流和第二光电流，将第一光电流对应的第一脉冲信号传输至第一读出电路，以使图像传感器实现动态视觉成像，将第二光电流对应的第二脉冲信号传输至第二读出电路，以使图像传感器实现灰度脉冲成像，从而在一个图像传感器中实现了动态视觉成像和灰度脉冲成像，使得图像传感器输出的图像数据具有动态信息、较高的成像帧率以及成像细节信息，有效提升了图像传感器的成像效果。
图像传感器图像信号处理方法设备存储介质

[发明专利]多次脉冲亚熔化准分子激光退火方法-CN202311182005.6在审
发明人：何力;温书育;朱元昊;任慧雪;伍绍腾;骆军委 -专利权人： 中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-09-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种多次脉冲亚熔化准分子激光退火方法，包括：对半导体晶体表面进行离子注入，在半导体晶体表面形成非晶掺杂区；向非晶掺杂区进行多次脉冲激光辐照退火，以使非晶掺杂区在亚熔化状态发生重结晶，激活非晶掺杂区的离子。同时避免了表面烧蚀、蒸发效应以及熔体冷却再生引起杂质偏析效应，使得重结晶过程中的掺杂原子损失大幅降低。
多次脉冲熔化准分子激光退火方法

[发明专利]空间光调制器及其制备方法-CN202310761342.4在审
发明人：田立飞;李智勇 -专利权人： 中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本公开提供一种空间光调制器及其制备方法，空间光调制器包括：绝缘调制层；上导电调制层，设置于绝缘调制层表面，包括多个调制电极；下导电调制层，设置于上导电调制层上且与绝缘调制层所在表面相对的表面，包括多个与多个调制电极配合的配合电极；一个调制电极和与该调制电极配合的一个配合电极形成一个像素单元，像素单元被配置为通过改变施加在像素单元的调制电极与配合电极之间的电压，控制上导电调制层上像素单元所在区域的载流子积累到上导电调制层和绝缘调制层的界面处，以及下导电调制层上像素单元所在区域的载流子积累到下导电调制层和绝缘调制层的界面处。该空间光调制器能够实现像素单元的光调制功能，提高调制速度。
空间调制器及其制备方法

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