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[发明专利]开关电路-CN202310953955.8在审
发明人：王晓阳;许春良;刘会东;崔璐;潘旭 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提供一种开关电路。该开关电路包括：发射支路和接收支路；发射支路的输出端口与接收支路的输入端口连接，作为公共端口；发射支路包括：电感L1、第一并联谐振模块、第二并联谐振模块和晶体管M1；电感L1的一端连接公共端口，电感L1的另一端连接发射支路的输入端口；第一并联谐振模块的第一端连接在电感L1的另一端和发射支路的输入端口之间，第一并联谐振模块的第二端连接晶体管M1的漏极；晶体管M1的源极连接第二并联谐振模块的第一端，第二并联谐振模块的第二端接地；晶体管M1的栅极连接预设控制电压。本发明能够提高了发射支路的线性度。
开关电路

[发明专利]无反射式滤波器和滤波器组件-CN202310712929.6在审
发明人：杨亮;李宏军;梁毅 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：本申请适用于滤波器技术领域，提供了一种无反射式滤波器和滤波器组件。该无反射式滤波器包括级联的吸收单元和反射式滤波单元；所述吸收单元被配置为将第一信号中的预设频段部分信号进行吸收得到第二信号，以及所述第二信号传输到所述反射式滤波单元；所述反射式滤波单元被配置为对所述第二信号进行滤波。本申请提供了一种新型结构的吸收式滤波器，能够大大降低反射信号对系统性能造成的影响。
反射滤波器组件

[发明专利]一种磷化铟晶体的切割、研磨、抛光一体化设备-CN202311095311.6在审
发明人：李亚旗;孙聂枫;史艳磊;赵红飞;王书杰 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-08-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B24B21/00 文献下载
摘要：一种磷化铟晶体的切割、研磨、抛光一体化设备，属于半导体切割、研磨、抛光技术领域，包括机架、设置在机架上的X向移动机构、设置在X向移动机构上的Y向移动机构、设置在Y向移动机构上且用于夹持磷化铟晶体的加持定位机构，所述设备还包括设置在机架内的切磨抛一体化机构，所述切磨抛一体化机构包括设置在机架上的安装支架、铰接设置在安装支架上部的两个从动轮、铰接在安装支架下部的张紧轮和主动轮以及配套的切磨抛一体钢带。通过将切割、研磨、抛光有机结合成一体化机构，提高了获得具备磷化铟晶片位错密度测试条件的晶片制备效率，进而节省的成本。
一种磷化晶体切割研磨抛光一体化设备

[发明专利]具有静默功能的砷化镓单刀四掷开关及单刀八掷开关-CN202010274455.8有效
发明人：吴永辉;魏洪涛;吴洪江 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03K17/76 文献下载
摘要：本发明适用于微波单片集成电路技术领域，提供了一种具有静默功能的砷化镓单刀四掷开关及单刀八掷开关，该具有静默功能的砷化镓单刀四掷开关包括：译码单元的两个输入端分别连接第一控制逻辑信号输入端和第二控制逻辑信号输入端，译码单元的输出端连接第一驱动单元的第一输入端；第一驱动单元的第二输入端连接第三控制逻辑信号输入端，第一驱动单元的输出端连接第一开关单元的控制输入端，第一开关单元的第一端连接信号输入端，第一开关单元的四个输出端用于输出五种状态信号。本发明通过增加第三控制逻辑信号输入端，使得可以输出第五种状态，即静默状态，从而可以解决现有技术中GaAs单刀多掷开关不能实现电路处于全部关断的状态的问题。
具有静默功能砷化镓单刀开关

[发明专利]叉指型变容二极管及其制备方法-CN202310954490.8在审
发明人：付兴中;侯钧杰;周国;宋洁晶;李保第;戴峰;胡泽先;刘亚亮;张力江;崔玉兴 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明提供一种叉指型变容二极管及其制备方法，其中，制备方法包括在P型欧姆接触层上的第一预设区域制备第一叉指P型欧姆接触电极；对设有第一叉指P型欧姆接触电极的P型欧姆接触层进行刻蚀，使得刻蚀后得到的刻蚀台面的侧壁与N型欧姆接触层之间有一夹角；在N型欧姆接触层上的第二预设区域和第三预设区域分别制备第二叉指N型欧姆接触电极和第三叉指N型欧姆接触电极；对设有第二叉指N型欧姆接触电极、第三叉指N型欧姆接触电极和第一叉指P型欧姆接触电极的N型欧姆接触层进行刻蚀，直至露出半绝缘衬底；然后半绝缘衬底上生长金属层，以形成叉指型变容二极管。本发明制备的变容二极管具有较小的电容和电阻。
叉指型变容二极管及其制备方法

[发明专利]AFM探针测量方法、装置、控制设备及存储介质-CN202111476926.4有效
发明人：韩志国;李锁印;邹学峰;张晓东;赵琳;吴爱华;许晓青 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01Q60/24 文献下载
摘要：本发明提供一种AFM探针测量方法、装置、控制设备及存储介质。该方法包括：利用AFM探针扫描待测线条，得到待测线条的待测曲线；以待测曲线的顶点为中心，确定待测线条的左侧待测曲线和右侧待测曲线；以AFM的横向分辨率为步进，分别求解待测线条的左侧AFM探针曲线和右侧AFM探针曲线，并根据左侧待测曲线、右侧待测曲线、左侧AFM探针曲线和右侧AFM探针曲线，得到待测线条的真实轮廓。本发明能够提高AFM探针测量的准确性。
afm 探针测量方法装置控制设备存储介质

[发明专利]一种籽晶杆的可调式稳定装置-CN201811521929.3有效
发明人：姜剑;孙聂枫;孙同年;史艳磊;王书杰 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本发明一种籽晶杆的可调式稳定装置，套装于晶体生长炉内的籽晶杆上，关键在于：包括套装在籽晶杆上的胀紧套，胀紧套外周面上均布有3‑6根螺杆，每个螺杆上螺纹连接有旋套，旋套的顶端设置有滚珠，滚珠与圆筒形炉腔内壁接触形成籽晶杆的支撑、稳定结构。通过在籽晶杆上加装胀紧套，并在胀紧套上设置可调式支撑稳定装置，使籽晶杆的运动平稳、同心度高。
一种籽晶调式稳定装置

[发明专利]石英晶体谐振器叠层装配结构、方法及谐振器-CN201911329436.4有效
发明人：逄杰;孟昭建;王占奎;刘兰坤;陈中平;要志宏;宋军霞;甄志辉;高唱;董清;李建明;张立康;李修杰 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03H9/19 文献下载
摘要：本发明提供了一种石英晶体谐振器叠层装配结构、方法及谐振器，属于谐振器技术领域。本发明通过缓冲晶片和频率输出晶片的叠层设置，使得缓冲晶片能够缓冲谐振器基座和簧片传递到频率输出晶片上的应力，保证频率输出晶片的稳定，从而保证石英晶体谐振器频率的准确性；同时装配方式简单，能够便于操作，有利于降低成本、提高装配效率；相对于传统结构的石英晶体谐振器，尺寸外形、功耗、装配工艺、实用性、可靠性等特性均可以保持一致，而加速度灵敏度指标会明显优化为2.0E‑10/g至5.0E‑10/g。
石英晶体谐振器装配结构方法

[发明专利]具有幅度相位补偿的晶体振荡器的频率补偿系统-CN201911302544.2有效
发明人：徐淑壹;王占奎;刘兰坤;刘晓红;陈中平;方修成;逄杰;张新军;李翠立;李伟明;杨晓雷;陈子恩 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：本发明适用于晶体振荡器技术领域，提供了一种具有幅度相位补偿的晶体振荡器的频率补偿系统，包括：加速度传感器、加速度补偿电路和相位幅度补偿电路；通过加速度传感器对晶体振荡器的加速度进行检测，然后通过加速度补偿电路对加速度电压信号进行加速度补偿，得到加速度补偿电压，最后通过相位幅度补偿电路对加速度补偿电压进行幅度和相位补偿，得到最终补偿电压，使最终补偿电压能够减小加速度传感器在监测晶体振荡器所受振动强度时的电压信号存在的幅度和相位偏差，从而减小晶体振荡器的频率变化，扩大晶体振荡器的频率补偿范围，进而优化晶体振荡器的近端动态相位噪声。
具有幅度相位补偿晶体振荡器频率系统

[发明专利]考夫曼离子源装置及其控制方法-CN202111341201.4有效
发明人：程壹涛;吴海;赵英伟;吴爱华;王露寒;任泽生;刘成群;王利芹;张文朋 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种考夫曼离子源装置及其控制方法，属于离子束刻蚀技术领域，考夫曼离子源装置包括：放电室；电源连接组件，包括设于放电室外的灯丝电源，以及与灯丝电源连接的两个电源触点结构，两个电源触点结构分别设于放电室相对的两侧壁，且两个电源触点结构均伸入放电室内；两个灯丝固定组件，两个灯丝固定组件均包括设于放电室内的固定底座，与固定底座连接的固定仓，与固定仓移动配合的移动仓，以及设于移动仓的至少两个灯丝触点端子；平移驱动组件，与两个移动仓均连接；以及至少两个阴极灯丝，分别对应连接在两个移动仓的灯丝触点端子之间；电源触点结构与灯丝固定组件的位置相对应，在平移驱动组件的作用下，实现不同阴极灯丝的更换。
考夫曼离子源装置及其控制方法

[发明专利]一种感应区熔法生长氧化镓晶体的方法-CN202310773147.3在审
发明人：王书杰;孙聂枫;邵会民;李晓岚;顾占彪;梁庭敬;姜剑;康永;张鑫;谷伟侠 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明提出一种感应区熔法生长氧化镓晶体的方法，涉及半导体晶体材料的制备，所述装置包括供晶体生长的密封炉体、炉体外的氧化镓添加装置，炉体和氧化镓添加装置连通；首先在籽晶中加入铱棒，然后利用感应加热铱棒，使得籽晶中心区域形成初始熔池，然后下降多晶棒材直至其接触头与初始熔池接触，待熔化界面稳定以后，上移感应线圈，实现氧化镓单晶生长。同时，像生长坩埚中注入富镓熔体，坩埚内的氧化镓单晶与富镓熔体处于热力学平衡，实现对生长单晶的退火。本发明不使用铱坩埚，仅使用一根铱棒作为在生长初期感应源，实现区熔法单晶生长，生长成本低，熔体污染少。
一种感应区熔法生长氧化晶体方法

[发明专利]相变射频开关制造方法-CN201911242574.9有效
发明人：邢东;吕元杰;赵向阳;冯志红;刘波 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明适用于相变射频开关器件技术领域，提供了一种相变射频开关制造方法，该方法包括：通过在预设半导体绝缘衬底上制备半导体加热电阻，并在半导体加热电阻的两端分别制备电阻加电电极，获得第一样品；在除电阻加电电极之外的第一样品的表面制备隔离层，在隔离层上半导体加热电阻对应位置处制备相变材料薄膜，并在相变材料薄膜的两端分别制备接触电极，获得第二样品，电阻加电电极的方向与接触电极的方向相互垂直；在第二样品的表面制备钝化层，获得相变射频开关。本发明实施例中的相变射频开关是采用半导体材料制作开态关态触发电阻加热器，从而可以提高相变开关可靠性，简化工艺，同时还可以降低相变射频开关集成芯片的工艺成本。
相变射频开关制造方法

[发明专利]用于光热反射显微热成像的三维位移补偿方法及控制装置-CN202110803448.7有效
发明人：刘岩;吴爱华;王维;翟玉卫;李灏;丁晨;荆晓冬 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G01K11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于光热反射显微热成像的三维位移补偿方法及控制装置。该方法包括：获取被测件位于待补偿位置时的采集图像，及被测件位于参考位置时的参考图像；根据参考图像计算得到第一傅里叶变换，根据采集图像计算得到第二傅里叶变换；根据第一傅里叶变换和第二傅里叶变换，确定光热反射显微热成像装置中光学子系统的点扩散函数的峰值点坐标和拟合直径；根据峰值点坐标、拟合直径和光热反射显微热成像装置中光学子系统的成像参数，计算被测件位于待补偿位置时相对于参考位置的三维位移量，以对被测件进行三维位移补偿。本发明能够同时计算被测件位于待补偿位置时相对于参考位置的三维位移量，进而提高位移补偿的工作效率。
用于光热反射显微成像三维位移补偿方法控制装置

[发明专利]可见光热反射测温方法及测温设备-CN202110913427.0有效
发明人：翟玉卫;默江辉;王强栋;刘岩;李灏;丁立强;荆晓冬;丁晨 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G01K11/12 文献下载
摘要：本发明适用于微电子测温技术领域，提供了一种可见光热反射测温方法及测温设备，上述方法包括：控制待测件的温度稳定在第一预设温度，并采集待测件的反射率，作为第一反射率；控制待测件的温度升高并稳定在第二预设温度，并采集待测件的反射率，作为第二反射率；控制待测件的温度降低并稳定在第一预设温度，将待测件通电，待待测件的温度稳定后，采集通电待测件的反射率，作为第三反射率；根据第一反射率对第三反射率进行校正，得到校正后的第三反射率；根据第一反射率、第二反射率及校正后的第三反射率确定待测件的温度变化量。本发明采用不通电时的第一反射率对通电后的第三反射率进行校正，可以有效消除随机干扰，提高了测量精度。
可见光热反射测温方法设备

[发明专利]薄膜体声谐振器和半导体器件-CN201910328542.4有效
发明人：李亮;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;商庆杰;钱丽勋;李丽 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种薄膜体声谐振器和半导体器件。该薄膜体声谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层、上电极层和多个横向特征，所述多个横向特征包括多个台阶结构，所述多个台阶结构具有不同的宽度且连续地堆叠在所述上电极层上；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述薄膜体声谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
薄膜谐振器半导体器件

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