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[发明专利]一种提高功放芯片环路稳定性的开槽微带电路及级间匹配网络-CN202310693962.9在审
发明人：金辉;陶洪琪;薛景;肖玮;周衍芳;余旭明;蔺兰峰 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高功放芯片环路稳定性的开槽微带电路及级间匹配网络，开槽微带电路包括第一输入端口、第二输入端口、隔离电阻、两个衔接微带、开槽微带线、两个微带、两个隔直电容、两个漏偏置微带、两个漏偏置电容、第一输出端口、第二输出端口。第一输入端口和第二输入端口之间通过隔离电阻连接，第一输入端口和第二输入端口分别经两个衔接微带后，接入开槽微带线，再由微带，一路接漏偏置微带、漏偏置电容，一路经隔直电容后，接第一和第二输出端口。以开槽微带的中间线为对称线，电路左右对称。通过调整开槽微带线的长度和隔离电阻值提高第一输入端口和第二输入端口之间的隔离度，提高芯片环路稳定性。
一种提高功放芯片环路稳定性开槽微带电路匹配网络

[发明专利]一种金刚石衬底氮极性氮化镓异质结材料及其制备方法-CN202311043123.9在审
发明人：张东国;李忠辉;杨乾坤;李传皓;彭大青 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石衬底氮极性氮化镓异质结材料及其制备方法。本发明在镓极性氮化镓上采用沉积或者键合的方式与金刚石结合，再将镓极性氮化镓衬底载片及氮化物缓冲层去除，形成适于氮极性氮化镓外延生长用的具有一定偏角的金刚石衬底氮化镓模板，采用图形化氮化硼二维缓冲材料释放氮化物二次高温生长时薄膜应力，从而实现高质量的低应力金刚石衬底氮极性氮化镓异质结材料制备。本发明制备方法提高金刚石衬底氮极性氮化镓异质结材料的表面薄膜质量及抑制薄膜开裂的目的，有利于改善氮极性氮化镓异质结材料的散热能力，提高器件的工作寿命，适用于大功率微波功率器件。
一种金刚石衬底极性氮化镓异质结材料及其制备方法

[实用新型]一种可存放静电敏感射频模块的灵活定制化防静电盒-CN202223244983.2有效
发明人：徐翔宇;邵登云 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B65D25/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可存放静电敏感射频模块的灵活定制化防静电盒，包括从上至下顶盖、防静电棉垫、可定制载盘和底座四个部分。顶盖、防静电棉垫和底座为通用件，而中间的可定制载座可以根据产品不同外形尺寸定制而成。本实用新型提出的可定制防静电包装盒可承受‑55℃~125摄氏度温度循环试验，附加防静电特性、机械应力缓冲特性和支持贴片机直接上料等功能，尤其适用于产品种类繁多、静电敏感产品和产品需要快速进行温度可靠性试验验证的生产场景。
一种存放静电敏感射频模块灵活定制

[发明专利]以氮化铝为介质的电容加载MEMS滤波器及制造方法-CN202310926805.8在审
发明人：陈迪;贾世星;罗冬雪;夏燕;李昊 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01P11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种以氮化铝为介质的电容加载MEMS滤波器及制造方法，方法包括：提供硅基板；在硅基板上形成第一金属层，并对其进行图形化；在第一金属层上形成介质层并对其进行图形化；硅基板上涂覆光刻胶并图形化，进行硅孔刻蚀，通过减薄工艺形成硅通孔；在硅基板正面及背面形成图形化的第二金属层；所述第一金属层作为电容的下电极，介质层作为电容的介质层，第二金属层为电容的上电极、滤波器谐振器、通孔及背面接地金属。末端加载电容的方式能够大幅减小滤波器体积，第二金属层同时作为电容上电极、滤波器谐振器、通孔及背面接地金属，不在需要额外的工艺步骤来制作谐振器，减少了工艺步骤，实现滤波器的小型化，满足SiP集成需求。
氮化介质电容加载 mems 滤波器制造方法

[发明专利]一种等幅同相波导三路功分器/合成器-CN202310783392.2在审
发明人：赵俊顶;姜浩;陈晓青;王帅 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种等幅同相三路波导功分器/合成器，三路矩形波导端口设于同一平面上，设有一段曲折波导的第二路矩形波导设于中间位置，第一路矩形波导的结构和第三路矩形波导的结构相同，所述第一路矩形波导和第三路矩形波导设于第二路矩形波导两侧、沿第二路矩形波导中的第二直线波导镜像对称布置；所述第二直线波导的两侧分别设有耦合孔和金属脊，每侧的耦合孔与金属脊在第二直线波导上间隔排列成一列；在第一路矩形波导和第三路矩形波导中分别加入阶梯脊波导结构。本发明能实现三个标准矩形波导端口的输出信号幅度相等、实现三个矩形波导输出端口的相位相等，具有低插入损耗、高隔离、高功率容量等微波特性。
一种波导三路功分器合成器

[发明专利]一种磷化铟E/D多功能芯片及制备方法-CN202310997173.4在审
发明人：孙远;吴少兵;张亦斌;梁宗文;石浩;付登源 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷化铟E/D多功能芯片，包括衬底、外延结构、栅极形貌和金属层；外延结构设于衬底上，自下而上依次包括缓冲层、沟道层、隔离层、掺杂层、势垒层、InP复合势垒层和帽层；其中，InP复合势垒层作为栅极肖特基结接触层；衬底为半绝缘磷化铟衬底；栅极形貌为“T”型栅，设于外延结构上并埋入外延结构一定深度；金属层覆盖栅极形貌。本发明制备方法包括步骤：准备衬底及外延结构，并完成隔离及源漏欧姆接触等前置工艺；完成增强型晶体管制备并生长钝化介质，同时完成Pt埋栅工艺热处理；完成耗尽型晶体管制备并生长钝化介质；完成其他正面及背面工艺。本发明能满足高频高速要求下的E/D多功能及数字电路等芯片应用。
一种磷化多功能芯片制备方法

[发明专利]一种近零应力掺钪氮化铝薄膜制备方法-CN202110930803.7有效
发明人：王雷;李昊;姜理利;贾世星;郁元卫;黄旼;朱健 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种近零应力掺钪氮化铝薄膜制备方法，属于半导体制造技术领域。该方法具体包括以下步骤：a.对硅衬底进行烘烤，除去水汽和有机物沾污；b.对硅衬底进行预清洗，去除自然氧化层；c.对溅射靶材进行预处理，获得稳定的掺钪氮化铝生长状态；d.向腔体内通入高纯氩气和氮气，调节气体流量、直流功率、射频功率对掺钪铝靶进行溅射，在硅衬底上形成近零应力的掺钪氮化铝薄膜。本发明不增加额外工艺步骤以及额外设备改造，通过对靶材的处理以及工艺参数的调试，可以在硅衬底上制备高均匀性、近零应力的掺钪氮化铝薄膜。
一种应力氮化薄膜制备方法

[发明专利]一种三维高密度集成大功率微波组件-CN202310783386.7在审
发明人：姜浩;张端伟;方健;赵俊顶;陈晓青 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维高密度集成大功率微波组件，包括陶瓷管壳、大功率功放载片、异形金属散热平台、中层陶瓷基板、微波芯片、上层陶瓷基板、电源芯片、无源器件、金属帽；底层陶瓷管壳、中层陶瓷基板和上层陶瓷基板通过BGA焊球实现垂直互连；底部大功率功放载片直接和底层陶瓷管壳的金属热沉烧结；堆叠层的大热耗散元器件通过异形金属热沉平台与底部金属热沉连接；芯片和无源器件通过引线结构与陶瓷基板上的布线焊盘连接；上下层陶瓷基板、陶瓷基板内金属化通孔、BGA焊球形成各功能芯片的屏蔽腔体；本发明通过三维散热结构将大功率器件的热流导出，解决三维组件大功率元器件的散热问题；实现了输出功率大、抗烧毁功率大和可靠性高。
一种三维高密度集成大功率微波组件

[发明专利]一种真空辅助浸渍的显示面板灌胶贴合装置及方法-CN202310577845.6在审
发明人：邱旭蒙;吴添德;郑赛;陈云昌;赵唯贤;孙永金;田俊伟;周旭;王晨 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： B05C5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空辅助浸渍的显示面板灌胶贴合装置及方法，所述装置包括一个可抽真空的密闭腔体，腔体内底部放置贴合平台治具，可沿侧边转轴旋转，与水平面斜立；借助贴合平台治具上的定位孔和滑动定位块固定贴合面板组，借助真空辅助浸渍灌胶法将胶水从腔体底部储胶槽灌入面板组内。本发明只需设置一个进胶口，可避免常规灌胶贴合工艺中出现在进出胶口附近的气泡和溢胶，无需进行复杂的开口设计和流型选择，大幅降低产品更替后的工艺摸索期，从而有效缩短生产周期，节约成本，提高生产效率。
一种真空辅助浸渍显示面板贴合装置方法

[发明专利]一种非对称式负载牵引夹具及负载牵引实现方法-CN202310654786.8在审
发明人：成爱强;王帅;徐祖银;唐世军;郏凯翔 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种非对称式负载牵引夹具及负载牵引实现方法，非对称式负载牵引夹具包括设于夹具基座上的输入阻抗变换电路、输出阻抗变换电路和待测微波半导体器件，待测微波半导体器件设于输入阻抗变换电路和输出阻抗变换电路之间；同轴接头设于夹具基座的两侧；输入阻抗变换电路包括第一阻抗渐变线和半导体器件栅极加电电路，输出阻抗变换电路包括第二阻抗渐变线和漏极加电电路；第一阻抗渐变线的输出端口特征阻抗与第二阻抗渐变线的输入端口特征阻抗不相等。本发明的负载牵引实现方法通过灵活替换不同的阻抗变换电路以便测试提取多个不同栅宽的微波半导体器件。本发明提升了夹具的可重复利用性和效率。
一种对称负载牵引夹具实现方法

[发明专利]一种提高磷化铟异质结晶体管频率性能的基区结构-CN202310880487.6在审
发明人：马奔;于海龙;王伟;沈逸凡;尹志军 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高磷化铟异质结晶体管频率性能的基区结构，所述基区位于集电区和发射区之间，采用P型掺杂的InGaAs外延层或P型掺杂的InGaAsSb外延层，且在由集电区向发射区的外延过程中，P型掺杂的浓度由低到高渐变，InGaAs外延层中In组分由高到低渐变，或者InGaAsSb外延层中In、As组分均由高到低渐变。本发明可在基区厚度较薄的情况下，通过基区材料组分和P型掺杂浓度的双缓变，最大程度地使基区能带倾斜，产生最大的内建电场，提升器件的频率性能。
一种提高磷化铟异质结晶体频率性能结构

[实用新型]一种可变角度气动装夹主轴模组-CN202320893848.6有效
发明人：陆乐;朱焰 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B23Q3/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可变角度气动装夹主轴模组，包括主轴头模块、升降模块；采用步进电机定量驱动主轴角度，主轴采用特殊结构，使主轴头模块具备360°转向、三爪气缸仅与I‑5气动导电滑环导线联通具备导电性，与其它任何部件绝缘。升降模用于驱动主轴头模块的纵向移动。使用时三爪气缸用于夹持刀具切割时，通过定向转动使刀具沿被切割工件的几何形状切线运动，实现不同图形的高精度裁剪，该模组适用于非金属件切割，尤其适用于皮革类自动化设备使用。
一种可变角度气动主轴模组

[发明专利]集成SBD的碳化硅槽栅MOSFET器件及其制造方法-CN202310591442.7在审
发明人：张跃;张腾;黄润华;柏松 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开集成SBD的碳化硅槽栅MOSFET器件及其制造方法，属于基本电气元件的技术领域。该器件包括：第一导电类型的衬底、外延层和源区，第二导电类型的第一阱区、第二阱区和屏蔽区，第一沟槽、第二沟槽和栅极沟槽。第一沟槽和第二沟槽组成了源极沟槽，第一沟槽所淀积的金属与第一导电类型外延层直接接触，在不增加元胞尺寸的前提下形成具有整流性能的肖特基接触，大幅改善器件的第三象限性能。第二导电类型第一阱区既可保护肖特基二极管又可与第一导电类型外延层形成超结结构，在不损害击穿特性的前提下进一步减正向导通电阻。另外，短路情况下，第二导电类型第一阱区和和屏蔽区产生JFET效应，减小器件的饱和电流，增强短路能力。
集成 sbd 碳化硅 mosfet 器件及其制造方法

[发明专利]小型化W波段MEMS缝隙波导带通滤波器-CN201810580657.8有效
发明人：施永荣;张君直;周明;王继财 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本发明公开了一种小型化W波段MEMS缝隙波导带通滤波器，包括顶层硅晶圆片和底层硅晶圆片，顶层硅晶圆片和/或底层硅晶圆片上用MEMS工艺刻蚀后电镀形成缝隙波导结构，缝隙波导结构内部形成级联耦合谐振腔，顶层硅晶圆片和/或底层硅晶圆片上还刻蚀有耦合窗。本发明基于MEMS缝隙波导理念设计出的滤波器具有小型化、轻量化、低插损、频偏小、适合大规模批量化生产的优点，弥补了缝隙波导带通滤波器在W波段的应用空白，且所提出的MEMS缝隙波导带通滤波器可以作为W波段表贴类元器件，通过和平面传输线的耦合，提高W波段系统的集成度，具有极高的工程应用价值。
小型化波段 mems 缝隙波导带通滤波器

[发明专利]一种铌酸锂薄膜和磷化铟基光电外延片集成方法-CN202310283928.4在审
发明人：吴立枢;钱广;孔月婵;陈堂胜 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种铌酸锂薄膜和磷化铟基光电外延片集成方法，包括以下步骤：样品准备：清洗自下而上包含衬底层、介质层和铌酸锂层的铌酸锂薄膜和自下而上包括磷化铟衬底层和磷化铟外延功能层的磷化铟基光电外延片；第一键合：使用临时粘合材料将磷化铟基光电外延片的磷化铟外延功能层正面与临时载片进行第一键合；衬底去除：去除磷化铟基光电外延片的衬底层；第二键合：将铌酸锂薄膜的铌酸锂层正面与磷化铟外延功能层的磷化铟外延功能层背面通过键合材料进行第二键合；分离临时材料：分离磷化铟外延功能层上的临时载片并去除临时粘合材料。本申请避免了铌酸锂薄膜上生长磷化铟外延片导致的晶格失配和缺陷密度高的问题。
一种铌酸锂薄膜磷化光电外延集成方法

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