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[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法-CN202310679370.1在审
发明人：卢敬权;殷淑仪 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器及其制备方法，半导体激光器包括n型层、p型层，以及位于所述n型层和所述p型层之间的发光层；所述n型层与所述发光层之间形成有电流狭窄层，所述电流狭窄层内通过离子注入换形成有一用于实现电流注入的n型电流通道，所述n型电流通道的表面与所述电流狭窄层的表面持平。通过在n型侧采用离子注入的方式制作电流通道，使电流狭窄层在具有电流局部注入功能的同时能够保持表面平整，不影响后续的外延，从而改善半导体激光器的产品质量，提高良品率。
一种半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种气体喷淋头及气相外延装置-CN202310698689.9在审
发明人：卢敬权;殷淑仪 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种气体喷淋头及气相外延装置，气体喷淋头至少包括第一输气通道和第二输气通道；第一输气通道的两端分别连接第一进气口和第一出气口；第二输气通道的两端分别连接第二进气口和第二出气口；其中，第一出气口和第二出气口处均设有拉瓦尔喷管，拉瓦尔喷管包括收缩段、扩散段，以及连接于收缩段和扩散段之间的喉部，收缩段与第一出气口或第二出气口连接。通过在第一输气通道和第二输气通道的出气端设置拉瓦尔喷管，能够大幅度地提升气体的流速，有效地降低了反应气体在通向衬底的过程中发生预混的几率，从而确保晶体的生长质量。同时，由于无需隔离气体，提升了反应气体的有效分压，从而提高了反应速率，有效提高膜层的生长速率。
一种气体喷淋外延装置

[发明专利]一种半导体晶圆集成加工装置及其方法-CN202111033733.1有效
发明人：陈润 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆集成加工装置及其方法，集成了倒角、定位和切割三种功能于一体，半导体晶圆进行OF边加工时无需在多个设备之间进行转移，实现原位加工，避免转移所导致的精度下降，可以有效提升定向切割的精度和加工效率，缩小角度误差，解决现有技术中因设备条件限制造成的OF边定位加工误差过大的问题。具体地，先将半导体晶圆固定在基座上，实现定位，然后通过加工机构进行倒角，去除其边缘毛糙，实现倒角；再然后在旋转机构转动基座时，利用晶向测量机构确定晶圆OF边指定晶面的切割角度，获得的晶圆OF边切割角度的精度更高，最后加工机构根据晶圆OF边切割角度，对半导体晶圆进行切割，实现定向切割，完成整个加工过程。
一种半导体集成加工装置及其方法

[发明专利]一种用于GaN材料生长的线性喷头-CN201980088099.6有效
发明人：黄业;刘鹏;王健辉;卢敬权 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：一种用于GaN材料生长的线性喷头，包括第一气座(1)、第二气座(2)和第三气座(3)，第一气座(1)的中部设置有第一中心气道(11)，相邻第一中心气道(11)之间设置有第一间隙(12)，第一中心气道(11)的底部设置有第一喷嘴(13)；第二气座(2)位于第一气座(1)的上方，第二气座(2)的中部设置有第二中心气道(21)，相邻第二中心气道(21)之间设置有第二间隙(22)，第二中心气道(21)的两侧设置有第二喷嘴(23)；第三气座(3)包括多个第三中心气道(31)，第三中心气道(31)贯穿第一间隙(12)和第二间隙(22)，第三中心气道(31)的底部设置有第三喷嘴(32)。该喷头在工艺过程中能够有效隔离反应气体，避免反应气体因提前混合而在喷嘴处出现预反应；同时能够在生长区域提供稳定的层流流场和均匀分布的反应气体浓度场。
一种用于 gan 材料生长线性喷头

[发明专利]电流孔径垂直电子晶体管及其制备方法-CN202310216502.7在审
发明人：卢敬权;殷淑仪 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司;东莞市中器集成电路有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种电流孔径垂直电子晶体管及其制备方法，晶体管包括：衬底；接触层；漂移层；电流阻挡层，电流阻挡层中设有电流孔；背势垒层；沟道层；顶势垒层，顶势垒层与沟道层形成二维电子气沟道；栅极，设置于顶势垒层上且对应设置于电流孔上方；漏极，设置于衬底底面；源极，设置于顶势垒层上；背势垒层对应于栅极的区域设有通孔，通孔的孔径小于或等于栅极的径向尺寸，且大于或等于电流阻挡层的电流孔的孔径。本发明的电流孔径垂直电子晶体管具有更好的电子限制作用，可以有效阻止电子在二维电子气之外的沟道层中的漂移，减少晶体管的漏电流，并提升晶体管的开关速度，使栅极可以更有效地控制晶体管的开关。
电流孔径垂直电子晶体管及其制备方法

[发明专利]多孔结构及其制备方法-CN202310197727.2在审
发明人：庄文荣;卢敬权;叶国辉 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司;东莞市中器集成电路有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本发明提供一种多孔结构及其制作方法，方法包括：在生长衬底上生长缓冲层；在缓冲层上生长表面具有缺陷孔的碳掺氮化镓层，通过控制碳的掺杂浓度控制缺陷孔密度；在碳掺氮化镓层的表面生长本征氮化镓层，在缺陷孔的位置形成延伸孔；在本征氮化镓层的表面生长硅掺氮化镓层，硅掺氮化镓层中的硅原子优先填充在缺陷孔及延伸孔位置处，并沿生长厚度增长的方向聚集生长，形成硅聚集区；采用电化学蚀刻的方式对硅掺氮化镓层进行蚀刻，在硅聚集区的硅原子发生电化学反应以形成孔隙。本发明可通过控制碳掺氮化镓层的碳掺杂浓度控制缺陷孔的数量及分布，进而控制最终孔隙的位置，且在非缺陷孔位置对应的硅掺氮化镓层位置上，最终的孔隙数量大大减少。
多孔结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN202310204373.X在审
发明人：卢敬权;殷淑仪 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司;东莞市中器集成电路有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括步骤：1)提供一半导体结构；2)在半导体结构上形成底部势垒层；3)在底部势垒层上形成顶部势垒层，顶部势垒层形成有栅极槽，栅极槽显露底部势垒层的顶面；4)在栅极槽中形成栅极结构。本发明通过底部势垒层保护沟道层，一方面可以有效避免在清洗或刻蚀过程中在沟道层中引入杂质，保证沟道层的质量；另一方面本发明可以有效避免常规势垒层全去除方法损伤沟道层，降低沟道层的缺陷；又一方面本发明可以有效避免常规势垒层部分去除方法使得蚀刻深度不一致并难以精确控制的缺陷，本发明通过原子层沉积工艺形成超薄底部势垒层，可以精确控制沟槽栅深度，使得器件的保持阈值电压一致。
半导体器件制备方法

[发明专利]气相外延生长设备-CN202111551168.8在审
发明人：刘向平;黄业;王健辉;王帅;刘鹏 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本申请提供了一种气相外延生长设备，包括：外壳；托盘，设置在外壳内，用于放置衬底；第一内衬，设置在外壳内，围绕托盘设置，第一内衬朝向托盘的面围成生长区，第一内衬包括第一部和不易附着多晶/附着多晶后不易开裂的第二部，第一部与第二部可拆卸连接，第二部对应生长区中容易沉积多晶的沉积区设置；气体运输系统，设置在外壳外，通过多个进气管将气体输送至生长区；主加热系统，设置在外壳外，对应生长区设置，用于对生长区加热，能够在一定程度上缓解生长外延受环境影响导致不合格的问题。
外延生长设备

[发明专利]倾斜式GaN基结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN202310028683.0在审
发明人：敖辉;韩甲俊;马正蓊;刘新科;庄文荣 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司;东莞市中器集成电路有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种倾斜式GaN基结势垒肖特基二极管及其制备方法，包括：n型衬底；n型GaN漂移区，n型GaN漂移区具有倾斜侧壁；p型掺杂区，排布于n型GaN漂移区中，其中，p型掺杂区的掺杂源包括Mg离子和O离子；倾斜式场板介质层，设置在倾斜侧壁；阳极，设置在n型GaN漂移区和p型掺杂区上；阴极，设置在n型衬底的底面。本发明可以有效缓解发生在阳极的电场集中和PN结耗尽区侧壁的电场分布，提高结势垒肖特基二极管的反向耐压并减少漏电流。本发明采用Mg和O双离子注入，采用施主和受主的共掺杂，将两种类型的杂质的溶解度提高到超过任一种杂质在主体半导体中的溶解度极限，从而大大增加P型掺杂区的激活率。
倾斜 gan 基结势垒肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]高阈值电压增强型HEMT器件的制备方法-CN202310034971.7在审
发明人：韩甲俊;敖辉;刘新科;庄文荣 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司;东莞市中器集成电路有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种高阈值电压增强型HEMT器件的制备方法，包括：于衬底上形成缓冲层和非故意掺杂GaN层；形成AlGaN势垒层，非故意掺杂GaN层与AlGaN势垒层形成异质结，异质结中形成有二维电子气；形成P型GaN盖帽层；刻蚀以形成P型GaN栅，P型GaN栅两侧显露AlGaN势垒层的表面；于P型GaN栅上形成保护层；采用Ar等离子体对显露的AlGaN势垒层表面进行清洗处理，以获得光洁的表面；制作源电极、漏电极和栅电极。本发明采用低能量的Ar等离子体对显露的AlGaN势垒层表面进行清洗处理，以获得光洁的表面，从而有效提高增强型HEMT器件的阈值电压和饱和电流，提高器件的性能和稳定性。
阈值电压增强 hemt 器件制备方法

[发明专利]GaN基垂直型肖特基二极管及其制备方法-CN202310034973.6在审
发明人：王瑞;韩甲俊;李博;敖辉;刘新科;庄文荣 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司;东莞市中器集成电路有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基垂直型肖特基二极管及其制备方法，方法包括：1)提供n型衬底；2)在n型衬底上形成n型GaN漂移层；3)在n型GaN漂移层中刻蚀出多个隔离槽结构，以隔离出多个n型GaN漂移区；4)在n型GaN漂移区的周侧注入第一缺陷离子和第二缺陷离子，以在n型GaN漂移区的周侧形成高阻区，第一缺陷离子包括C离子和N离子中的一种或两种，第二缺陷离子包括He离子；5)在n型GaN漂移区上形成阳极，在n型衬底的底面形成阴极。本发明可以有效提高肖特基二极管的反向耐压以及减小反向高压下的漏电。
gan 垂直型肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种气相外延生长装置-CN202111554333.5有效
发明人：王健辉;刘向平;黄业;梁旭;刘鹏 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种气相外延生长装置，包括：第一容器，内部具有第一密闭空间；第二容器，设置在第一密闭空间内，第二容器内设有金属液态源；导体结构，设置在第一密闭空间内，并具有第二密闭空间或者与第一容器的底部形成第二密闭空间；托盘，设置在第二密闭空间内，并用于放置籽晶；气体输运系统，设置在第一容器外，并通过多个进气管将气体输送至托盘处，其中一个进气管连通第二容器。本发明通过导体结构可以将第一密闭空间划分为两个部分，导体结构既作为晶体生长的热源部件，又作为生长区域的密封隔离部件，使得整个气相外延生长装置的结构简化，同时感应加热方式具备可以根据设计温度曲线调控温度的优点，可以实现温度的快速变化。
一种外延生长装置

[发明专利]单晶自支撑衬底的制作方法-CN202211493168.1在审
发明人：何进密;卢敬权 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶自支撑衬底的制作方法，制作方法包括：1)提供一衬底；2)使用HVPE设备，在衬底上生长β‑Ga2O3缓冲层；3)使用HVPE设备，在不含氢气的氮气气氛下，在缓冲层上生长GaN外延层；4)使用HVPE设备，通入含氢气的气体，在分解温度下使β‑Ga2O3缓冲层完全分解，实现GaN外延层与衬底分离；5)使用HVPE设备进行GaN外延，使GaN外延层的厚度增加至目标厚度，以获得单晶自支撑衬底。本发明可避免激光剥离工艺及自分离工艺导致的良率低的问题，提高GaN外延的生长质量，减少热适配及晶格失配导致的应力累积而产生的GaN外延层翘曲或裂片。
支撑衬底制作方法

[发明专利]氮化镓单晶衬底的制备方法-CN202010646770.9有效
发明人：卢敬权;庄文荣;孙明 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓单晶衬底的制备方法，包括步骤：1)提供一蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上形成氮化镓模板层；2)提供一转移基板及一键合层，键合层具有液态形态与固态形态的转换，采用键合层将转移基板与氮化镓模板层键合；3)剥离氮化镓模板层与蓝宝石衬底；4)将键合层转换为液态形态，并于剥离后的氮化镓模板层上进行外延生长，以获得加厚的氮化镓单晶衬底。本发明通过键合层将转移基板与氮化镓模板层键合，该键合层具有液态形态与固态形态的转换，在外延生成氮化镓单晶过程中，键合层处于液态形态，使氮化镓模板层处于自由态，能够有效释放应力及缓解热失配，解决生产过程引起的应力积累、晶片翘曲的问题。
氮化镓单晶衬底制备方法

[发明专利]单晶自支撑衬底的制作方法-CN202211493133.8在审
发明人：卢敬权;何进密 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶自支撑衬底的制作方法，包括：1)提供一衬底；2)在衬底上生长β‑Ga2O3缓冲层；3)在不含氢气的氮气气氛下，在缓冲层上生长GaN外延层；4)通入含氢气的气体，在分解温度下使β‑Ga2O3缓冲层的外周侧部分分解，以实现部分分离；5)在不含氢气的氮气气氛下进行GaN外延，以增加GaN外延层的厚度；6)重复步骤4)～5)，直至使β‑Ga2O3缓冲层完全分解，以实现述GaN外延层与衬底的完全分离，并将GaN外延层的厚度增加至目标厚度。本发明可避免激光剥离工艺及自分离工艺导致的良率低的问题，提高GaN外延的生长质量，减少热适配及晶格失配导致的应力累积而产生的GaN外延层翘曲或裂片。
支撑衬底制作方法

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