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[发明专利]三氯氢硅红外透过光谱分析制样方法及其制样样品池-CN201210445483.7无效
发明人：陈强;丁国江;胡乐沙;肖定全;朱建国 -专利权人：四川大学;东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司
申请日： 2012-11-09 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种三氯氢硅红外透过光谱分析制样方法及制样样品池，属于材料检测领域。该方法是设计一三氯氢硅红外透过光谱分析制样样品池，利用该样品池实现三氯氢硅红外透过光谱分析制样方法，采用红外透过光谱分析法对三氯氢硅进行定性分析与检测。所述样品池包括两块刚性板及其中间镶嵌的KBr晶片、U型垫片、紧固螺杆及进样口。制样时，将样品池、待测三氯氢硅样品放置于真空手套箱中，对真空手套箱抽真空后冲入氮气至与大气压平衡，通过真空手套箱操作窗口将待测三氯氢硅液体滴入样品池内，再通过环氧树脂将样品池进样口密封完成制样，即可对三氯氢硅进行分析与检测。
三氯氢硅红外透过光谱分析方法及其样样

[发明专利]超高纯砷单晶体片的制备方法-CN201210312574.3有效
发明人：陈国忠;杨卫东 -专利权人： 东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C30B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高纯砷单晶体片的制备方法,包括如下步骤：（1）石英管表面处理（2）超高纯砷脱氧封装（3）置于水平管式炉内（4）水平管式炉熔料和冷却结晶，本发明利用石英管封闭和砷高温熔化时自身产生的压力，达到砷熔化和晶体生长的目的，在常温过冷条件下，管内液态砷达到过冷度时生长晶体，每管生成30～60片，并以孪晶方式生成单晶片，可满足国内产品质量要求及出口质量要求，有较好的应用前景。
高纯单晶体制备方法

[实用新型]一种单晶炉用热屏悬挂机构-CN201120546461.0有效
发明人：罗斌;杨帆;谢江帆;雷世俊 -专利权人： 东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉用热屏悬挂机构，涉及一种吊装结构，包括重锤，设于重锤上的提升架，若干连接提升架与热屏的抓扣，所述抓扣通过活动扣件连接热屏，所述活动扣件由设在抓扣上的卡口和固定在热屏上的卡块组成，所述卡块为一近L形的弯折件，其弯头与卡口上的开孔配合活动固定，其特征在于：所述提升架置于所述重锤顶端平面并套接于重锤顶端轴上，所述卡块的弯折角度为一钝角。本实用新型是一种结构更加简单合理、使用寿命长的热屏悬挂机构，以提高硅单晶生长的生产效率，降低生产成本。
一种单晶炉用热屏悬挂机构

[实用新型]直拉法生长单晶硅用硅籽晶夹持器-CN201120546469.7有效
发明人：罗斌;谢江帆;杨帆;雷世俊 -专利权人： 东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C30B15/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉法生长单晶硅用硅籽晶夹持器，其包括主要由连杆、钼重锤和籽晶夹头组成的籽晶夹持器本体，所述连杆设于钼重锤的上端，籽晶夹头设于钼重锤的下端，所述籽晶夹头内设有一上下贯通且与所夹持籽晶外形对应的空腔，所述籽晶夹头上设有一横向贯穿的排气孔。本实用新型籽晶夹持器采用大小头籽晶，籽晶即可牢固地固定在籽晶夹持器中不会脱落，籽晶受力均匀、承重量大、不易断裂，能确保单晶生长过程顺利完成；降低了生产成本，提高硅单晶的生产效率，籽晶夹头上有排气孔，装籽晶时封闭在夹持器中的空气，单晶炉抽空时能够排除，消除了安全隐患。
直拉法生长单晶硅籽晶夹持

[发明专利]超纯白磷常压转化方法-CN201110437734.2有效
发明人：李晓铭;詹科;张精伟 -专利权人： 东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C01B25/023 文献下载
摘要：本发明公开了一种超纯白磷常压转化方法,制取纯度为6N的超纯白磷，将制得的纯度为6N的超纯白磷经过常压转化步骤得到红磷，然后经干燥得到最终产品，转化采用冷却减压和尾气排压的方式，并按照梯度逐渐升温，通过此方法转化得到的高纯红磷质量稳定、纯度高，合格率高，转化率稳定在90%以上，操作安全、耗能低，成本低，劳动强度小，有效的防止了超纯磷在转化中产生爆炸，保障了生产安全，且生产过程低碳环保，为规模化生产超纯磷奠定了基础。
白磷常压转化方法

[实用新型]直拉八英寸硅单晶热场-CN201120435339.6有效
发明人：雷世俊;吴雪霆;谢江帆;杨帆;陈军 -专利权人： 东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司
申请日： 2011-11-07 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉八英寸硅单晶热场，所述护盘压片设于下护盘压片之上，下护盘压片和护盘压片之间填充有石墨毡；主保温筒的底部与下保温筒卡接，下保温筒底部与下护盘压片卡接，下护盘压片底部与炉底支撑环卡接；所述外导流筒置于导流筒支撑环上，内导流筒卡在外导流筒上，且内导流筒和外导流筒之间的间隙填充有石墨毡；本热场结构紧凑、保温性能更好、等径平均拉速提高，降低了等径功耗，节约了生产成本，提高生产效率。
直拉八英寸硅单晶热场

[发明专利]线切割晶体激光仪定向切割方法-CN201110389565.X有效
发明人：陈屹立;荆旭华 -专利权人： 东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种线切割晶体激光仪定向切割方法,属于晶体加工领域，步骤依次包括：A）将激光定向仪Y轴方向调节为0°；B)旋转晶体，使晶体花瓣中心点坐落在X轴上；C)在晶体端面画一过中心的竖直线，以其为粘接轴Z；D)从激光仪上读取需调整的偏离度α，标记该偏离度α及其左右偏离方向；E)保持粘接轴Z竖直方向，且晶体中轴线按照上述左右偏离方向位于标准线左/右侧，调整晶体中轴线与标准线水平夹角为α，固定晶体并上机切割。本发明是一种利用现有激光定向仪实现多台线切割机和内圆切割机共用一套定向设备的定向切割方法，大大减少设备费用。
切割晶体激光定向方法

[发明专利]线切割晶体X射线衍射定向切割方法-CN201110389566.4有效
发明人：陈屹立;荆旭华 -专利权人： 东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种线切割晶体X射线衍射定向切割方法,属于晶体加工领域，依次包括以下步骤：旋转安放在X射线衍射仪平台上的晶体寻找、确定0°衍射角，确定后保持晶体不动在晶体端面过中心处作一水平轴Z，此轴即为粘接轴Z；测出与粘接轴Z垂直方向的晶向偏离角度α，确定其相对粘接轴Z的左右偏离方向并标记；设一水平直线为标准线，保持粘接轴Z竖直方向，且晶体中轴线按照上述左右偏离方向位于标准线左/右侧，调整晶体中轴线与标准线水平夹角为α，固定晶体并按标准线方向上机切割。本发明提出一种利用现有X射线衍射定向仪实现多台线切割机和内圆切割机共用一套定向设备的定向切割方法，大大减少设备费用。
切割晶体射线衍射定向方法

[发明专利]线切割晶体作图定向切割法-CN201110389561.1有效
发明人：陈屹立;荆旭华 -专利权人： 东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种线切割晶体作图定向切割法,属于晶体加工领域，步骤依次包括：通过X射线衍射仪分别测出两条过中心的垂直交叉直线方向上的晶向偏离度；采用分量合成方法作出晶体总的晶向偏离方向；作一条过中心且与总的晶向偏离方向垂直的直线为粘接轴Z，并确定总的晶向偏离方向相对粘接轴Z的左右偏离方向；设一水平直线为标准线，保持粘接轴Z竖直方向，且晶体中轴线按照上述左右偏离方向位于标准线左/右侧，调整晶体中轴线与标准线水平夹角为S，固定晶体并按标准线方向上机切割。本发明提出一种利用现有X射线衍射定向仪实现多台线切割机和内圆切割机共用一套定向设备的定向切割方法，大大减少设备费用。
切割晶体作图定向

[实用新型]一种用于西门子法生产多晶硅的还原电极棒-CN201120384046.X有效
发明人：邱健源;王勃;黄兰香 -专利权人： 东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于西门子法生产多晶硅的还原电极棒，涉及西门子法生产多晶硅领域，包括电极棒本体，还包括设于电极棒本体表面的防氧化镀层。本实用新型是一种可防止还原生产用电极棒的接触表面铜氧化的电极棒。
一种用于西门子生产多晶还原电极

[实用新型]工件定位粘合装置-CN201120374301.2有效
发明人：宋亚尼;陈琳;彭文;杨蜀;罗恩富 -专利权人： 东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： B28D7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种工件定位粘合装置，包括工件连接件与切割垫块粘合装置和工件垫块与工件粘合装置，所述工件连接件与切割垫块粘合装置包括第一放置底座、第一定位靠梯和切割垫块定位片，所述第一定位靠梯与第一放置底座所在平面垂直相交为一体，所述切割垫块定位片所在平面与第一放置底座平行；所述工件垫块与工件粘合装置包括第二放置底座、第二定位靠梯、可翻转工件固定围杆、拉力杆、不可动工件固定围杆和工件定位靠板。采用两个装置单独来完成工件连接件与切割垫块的粘合、工件垫块与工件的粘合，两粘合装置均采用双工位结构设计，使得两锭工件能同时进行粘合，保证同一台多线切割设备切割两锭工件的对中性一致性，操作更便捷，作业效率高。
工件定位粘合装置

[实用新型]多晶硅制取用还原炉电极-CN201120286856.1有效
发明人：丛臣达 -专利权人： 东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅制取用还原炉电极，电极具有与硅芯石墨座连接的顶端，顶端具有与硅芯石墨座低端锥度一致的锥面，锥面的右端设有与还原炉底盘电极口配合的凸台，电极的内部设有供冷却液通入的冷却通道，凸台的的外侧包覆有四氟乙烯绝缘套，四氟乙烯绝缘套的右侧为第一螺纹段，第一螺纹段上配合有螺母，第一螺纹段的螺纹延伸至四氟乙烯绝缘套内部，第一螺纹段的右侧设有第二螺纹段，第二螺纹段上设有与电源铜线排紧密连接的螺纹，第二螺纹段右端是与冷却液输送装置连接的第三螺纹段；本实用新型使多晶硅生产中电源与硅芯的连接问题，使可拆卸电极与还原炉底盘间得到了良好的密封和绝缘，使电极在高温工况下较好的冷却。
多晶制取还原电极

[实用新型]硅芯切割机工件固定装置-CN201120252693.5有效
发明人：陈屹立;张晖;傅明锋;宋亚尼 -专利权人： 东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司
申请日： 2011-07-18 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅芯切割机工件固定装置，包括装夹在工件外部的中间支撑套、以及放置于工件底部的工件托盘，所述中间支撑套具有锁紧后不小于工件直径的内径，所述工件托盘具有大于工件直径的底板，所述中间支撑套上设有锁紧装置；本实用新型是一种用于方硅芯切割机固定工件的装置,采用该装置，减小了方硅芯切割过程中线网与工件摆动，同时可固定加工后的方硅芯，避免了加工过程与卸载过程中方硅芯掉落损耗。
切割机工件固定装置

[发明专利]直拉八英寸硅单晶热场及八英寸硅单晶的生产工艺方法-CN201110346991.5无效
发明人：雷世俊;吴雪霆;谢江帆;杨帆;陈军 -专利权人： 东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司
申请日： 2011-11-07 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉八英寸硅单晶热场及八英寸硅单晶的生产工艺方法，所述护盘压片设于下护盘压片之上，下护盘压片和护盘压片之间填充有石墨毡；主保温筒的底部与下保温筒卡接，下保温筒底部与下护盘压片卡接，下护盘压片底部与炉底支撑环卡接；所述外导流筒置于导流筒支撑环上，内导流筒卡在外导流筒上，且内导流筒和外导流筒之间的间隙填充有石墨毡；本热场结构紧凑、保温性能更好、等径平均拉速提高，降低了等径功耗，节约了生产成本，提高生产效率；本发明所述八英寸硅单晶的生产工艺方法包括单晶炉清炉、装炉、抽真空，熔化料，熔接，自动引晶、放肩、等径生长及收尾，利用该方法提高了生产效率和产品成品率。
直拉八英寸硅单晶热场硅单晶生产工艺方法

[发明专利]工件定位粘合装置-CN201110292155.3有效
发明人：宋亚尼;陈琳;彭文;杨蜀;罗恩富 -专利权人： 东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： B28D7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种工件定位粘合装置，包括工件连接件与切割垫块粘合装置和工件垫块与工件粘合装置，所述工件连接件与切割垫块粘合装置包括第一放置底座、第一定位靠梯和切割垫块定位片，所述第一定位靠梯与第一放置底座所在平面垂直相交为一体，所述切割垫块定位片所在平面与第一放置底座平行；所述工件垫块与工件粘合装置包括第二放置底座、第二定位靠梯、可翻转工件固定围杆、拉力杆、不可动工件固定围杆和工件定位靠板。采用两个装置单独来完成工件连接件与切割垫块的粘合、工件垫块与工件的粘合，两粘合装置均采用双工位结构设计，使得两锭工件能同时进行粘合，保证同一台多线切割设备切割两锭工件的对中性一致性，操作更便捷，作业效率高。
工件定位粘合装置

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