专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]感光性组合物-CN202310303053.X在审
  • 古谷和之;引田二郎;居岛洋一郎 - 东京应化工业株式会社
  • 2023-03-27 - 2023-10-17 - G03F7/004
  • 本发明提供一种提供高折射率、溶剂抗性优异的透明的固化物的感光性组合物、该感光性组合物的固化物、使用上述感光性组合物的固化膜的形成方法。在包含碱可溶性树脂(A)、光聚合性化合物(B)与光聚合引发剂(C)的感光性组合物中,将包含交联性(甲基)丙烯酸酯单元(a1)与芳香族单元(a2)的(甲基)丙烯酸树脂(a‑1)用作碱可溶性树脂(A),所述交联性(甲基)丙烯酸酯单元(a1)具有乙烯性不饱和双键,所述芳香族单元(a2)为源自在芳香环上可具有取代基的N‑乙烯基咔唑或者源自在芳香环上可具有取代基的9‑乙烯基芴的单元。
  • 感光性组合
  • [发明专利]指纹认证用光学元件-CN202310204812.7在审
  • 矶部信吾;张媛婧 - 东京应化工业株式会社
  • 2023-03-06 - 2023-09-12 - H01L27/146
  • 本发明的课题在于提供指纹认证用光学元件、该指纹认证用光学元件的制造方法及适合用于该指纹认证用光化学元件的制造的热固性组合物的制造方法,其不仅具有基板、光电二极管及微透镜,还具有透光性间隔层,透光性间隔层在抑制翘曲的同时被形成,耐化学药品性、耐溶剂性优异,并且具有足够的厚度。具备基板、光电二极管、微透镜及透光性间隔物的指纹认证用光学元件中,由包含丙烯酸树脂的热固性组合物的固化物构成透光性间隔层,使热固性组合物的固态成分浓度大于30质量%,作为丙烯酸树脂使用以规定的比率包含分别为规定的结构的作为含有酚式羟基的(甲基)丙烯酸系单元的结构单元和作为含有环氧基的(甲基)丙烯酸系单元的结构单元的树脂。
  • 指纹认证用光元件
  • [发明专利]光学元件的制造方法、光学元件及感光性组合物-CN202310129399.2在审
  • 佐藤梓实 - 东京应化工业株式会社
  • 2023-02-17 - 2023-08-29 - G02B3/00
  • 本发明提供一种能够抑制具备透镜与位于透镜的周缘且至少覆盖透镜的曲面的一部分的遮光层的光学元件的漏光的光学元件的制造方法、能够在该光学元件的制造方法中使用的感光性组合物。在该光学元件的制造方法中,将感光性组合物涂布于透镜的曲面而形成涂布膜,对涂布膜中的形成有遮光层的位置进行位置选择性曝光,对曝光后的涂布膜进行显影,加热显影后的涂布膜而使其固化,作为感光性组合物,使用包含碱可溶性树脂、光聚合性单体、光聚合引发剂、遮光剂与有机溶剂的具有特定的触变指数及粘度的感光性组合物,或者使用包含碱可溶性树脂、光聚合性单体、光聚合引发剂、遮光剂、增粘剂与有机溶剂的感光性组合物。
  • 光学元件制造方法感光性组合
  • [发明专利]感光性组合物和其中使用的光聚合引发剂-CN201811026248.X有效
  • 田所惠典;盐田大 - 东京应化工业株式会社
  • 2018-09-04 - 2023-08-29 - G03F7/004
  • 本发明的课题在于提供固化后的粘性(发粘)得以抑制、且固化性优异的感光性组合物、其中使用的化合物及光聚合引发剂。本发明的解决手段为一种感光性组合物,其包含(A)光聚合引发剂和(B)光聚合性化合物,其中,前述(A)光聚合引发剂包含下述式(1)表示的化合物,下述式(1)中,各符号与说明书中含义相同;前述式(1)表示的化合物满足下述1)~3)中的至少一项:1)n1为1以上且4以下的整数,Ra1中的至少1个为包含HX2C‑或H2XC‑表示的基团的取代基。2)Ra4为包含HX2C‑或H2XC‑表示的基团的取代基。3)Ra5为包含HX2C‑或H2XC‑表示的基团的取代基。其中,X各自独立地为卤素原子。
  • 感光性组合其中使用聚合引发
  • [发明专利]半导体基板或装置的洗涤液及洗涤方法-CN202310594076.0在审
  • 并木拓海;原口高之;施仁杰 - 东京应化工业株式会社
  • 2017-03-01 - 2023-08-25 - C11D7/32
  • 本申请涉及半导体基板或装置的洗涤液及洗涤方法。提供尤其是将由含有硅原子的无机物形成的残余物或膜除去的洗涤性能优异、且闪点高的用于半导体基板或装置的洗涤液及洗涤方法。洗涤液,其是含有水溶性有机溶剂、季铵氢氧化物、及水的用于半导体基板或装置的洗涤液,该水溶性有机溶剂是闪点为60℃以上的二醇醚系溶剂或非质子性极性溶剂。洗涤方法,所述洗涤方法包括下述步骤:使用该洗涤液,从半导体基板或装置将在该半导体基板上形成的残余物或膜、或者在该装置上附着的残余物或膜进行洗涤,所述残余物或膜是由选自由抗蚀剂、及含有硅原子的无机物组成的组中的至少1种形成的。
  • 半导体装置洗涤液洗涤方法

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