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- [发明专利]存储器的行译码器-CN201910960358.1有效
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戴瑾;何伟伟;吕玉鑫;叶力
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上海磁宇信息科技有限公司
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2019-10-10
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2023-10-03
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G11C8/10
- 本申请提供一种存储器的行译码器，其主要结构在于，选择译码器、前置译码器与主译码器为多对多译码器结构，选择译码器与前置译码器受控于放电信号控制线以进行选址信号的输出或清除，驱动模块设置于选择译码器的输出端以调节所有字线驱动电路的选址与读/写控制电位，其各个输出连接对应字线驱动电路。通过选择译码器、前置译码器与主译码器依据输出选址信号，结合驱动模块转换读/写操作电位，及延迟模块协调多个信号传输电路的信号延迟，在缩减组件架构的行译码器结构下，实现字线驱动电路对字线数据的选择和控制。此行译码器具有结构简单、制造成本低、可靠性高等优点。
- 存储器译码器
- [发明专利]磁性随机存储器的读电路-CN201911397827.X有效
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何伟伟
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上海磁宇信息科技有限公司
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2019-12-30
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2023-09-22
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G11C11/16
- 一种磁性随机存储器(MRAM)的读电路，读钳位电路由运算放大器及钳位晶体管所在回路构成，用于控制所述磁性存储单元电压钳位功能；基准电流产生电路由读通路负载管及两路电流源构成，读通路负载管经过钳位管与所述磁性存储单元电性连接；电流灵敏放大器用以将前述两路电流源的电流作为输入信号，完成电流值大小比较；以及锁存器接收电流灵敏放大器的比较结果转换成逻辑信号，从而完成所选中磁性存储单元组态信息的读取操作。完整读操作只需要两次读操作，不需要额外写操作，故增加了读可靠性；相对传统读电路，不需要参考单元作参照，节省芯片面积，降低了芯片制造成本。
- 磁性随机存储器电路
- [发明专利]一种使用MRAM的存储装置-CN201810519976.8有效
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戴瑾
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上海磁宇信息科技有限公司
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2018-05-28
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2023-08-01
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G06F12/02
- 本发明提供了一种使用MRAM的存储装置，包括主存储器、主控制器、第一辅助存储器，主控制器内集成第二辅助存储器和搜索加速器；第一辅助存储器和第二辅助存储器都是非易失的随机读写存储器，搜索加速器用于控制内容寻址操作以便加速搜索第二辅助存储器中的数据。主存储器选用NAND闪存，第一辅助存储器是独立的MRAM芯片，第二辅助存储器是MRAM。主控制器内集成的第二辅助存储器分成多个存储空间，主控制器内集成多个搜索加速器，每个搜索加速器负责检索一个存储空间。本发明提出的这种使用在控制芯片内置MRAM、外置MRAM与闪存的混合式存储装置，是一个费效比很高的存储解决方案。
- 一种使用mram存储装置
- [发明专利]一种高速的MRAM读出电路-CN201810053718.5有效
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戴瑾
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上海磁宇信息科技有限公司
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2018-01-19
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2023-07-21
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G11C11/16
- 本发明公开了一种高速的MRAM读出电路，包括一排多个等同的MOS管、参考单元组合、比较器和两个运算放大器OP Amp；其中，每一个存储单元与多个等同的MOS管中的一个MOS管Pa串联；参考单元组合由N个参考单元并联；N个参考单元中的每一个与N个等同的MOS管中的一个MOS管Pbi管串联；两个运算放大器OP Amp的一个输入分别与MOS管Pa以及N个MOS管Pbi连接，另外一个输入为读电压V_read；比较器通过比较两个运算放大器OP Amp输出的栅极电压，输出结果。本发明公开的读出电路的功耗读出电路不仅速度快，而且能够消除读出不稳定的风险。
- 一种高速mram读出电路
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