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[发明专利]一种酸性清洗液-CN202310795372.7在审
发明人：王溯;马丽;刘松;张磊磊;梁业成 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C11D1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种酸性清洗液。本发明的酸性清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.1‑4％有机胺、0.1‑9％酸、氟化物、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂和水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；所述的表面活性剂为磺酸盐类阴离子表面活性剂；所述的酸与所述的有机胺的质量比为(1‑3):1。本发明的酸性清洗液具有如下的一个或多个优点：具有较好的清洗效果，可以抑制半导体晶圆的损伤，具有较好的BTA清除效果。
一种酸性清洗

[发明专利]一种深紫外光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用-CN202111322701.3有效
发明人：方书农;王溯;耿志月;崔中越 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C09D145/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种深紫外光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用。本发明公开的底部抗反射涂层由下述组合物制得，所述的组合物包括聚合物、溶剂和光酸产生剂；其中，所述聚合物由下述方法制得，其包括下列步骤：(1)将溶剂I预热；(2)将如式(A)所示的单体、如式(B)所示的单体、如式(C)所示的单体、如式(L)所示的交联剂、引发剂和溶剂II混合，得一混合液；(3)将混合液加入到预热的溶剂中进行聚合反应；其中，步骤(1)和步骤(2)不分先后。本发明制备方法制备得到的底部抗反射涂层能够降低反射率，在底部抗反射涂层旋涂光致抗蚀剂后，未观察到由底部抗反射涂层形成的浮渣。#imgabs0#
一种深紫光刻底部反射涂层及其制备方法应用

[发明专利]一种底部抗反射涂层及其制备方法和应用-CN202111322699.X有效
发明人：方书农;王溯;耿志月;崔中越 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C09D145/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种底部抗反射涂层及其制备方法和应用。本发明公开的底部抗反射涂层由下述组合物制得，所述的组合物包括聚合物、溶剂和光酸产生剂；其中，所述聚合物由下述方法制得，其包括下列步骤：(1)将溶剂I预热；(2)将如式(A)所示的单体、如式(B)所示的单体、如式(C)所示的单体、如式(L)所示的交联剂、引发剂和溶剂II混合，得一混合液；(3)将混合液加入到预热的溶剂中进行聚合反应；其中，步骤(1)和步骤(2)不分先后。本发明制备方法制备得到的底部抗反射涂层能够降低反射率，在底部抗反射涂层旋涂光致抗蚀剂后，未观察到由底部抗反射涂层形成的浮渣。#imgabs0#
一种底部反射涂层及其制备方法应用

[发明专利]一种碱性清洗液的应用-CN202310795349.8在审
发明人：王溯;马丽;刘松;成益敏 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C11D1/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种碱性清洗液的应用。本发明的碱性清洗液用于清洗刻蚀灰化后的半导体芯片；所述的碱性清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.01‑30％有机碱、0.001‑4％酸、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂以及水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；所述的表面活性剂为非离子型双子表面活性剂；所述的有机碱与所述的酸的质量比为(12‑18):1。本发明的碱性清洗液具有如下的一个或多个优点：具有较好的清洗效果，可以抑制半导体晶圆的损伤，具有较好的BTA清除效果。
一种碱性清洗应用

[发明专利]一种深紫外光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用-CN202111322706.6有效
发明人：方书农;王溯;耿志月 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C09D145/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种深紫外光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用。本发明公开的聚合物由下述方法制备得到：(1)将溶剂I预热；(2)将如式(A)所示的单体、如式(B)所示的单体、如式(C)所示的单体、如式(L)所示的交联剂、引发剂和溶剂II混合，得一混合液；(3)将混合液加入到预热的溶剂中进行聚合反应；其中，步骤(1)和步骤(2)不分先后。所述的深紫外光刻用底部抗反射涂层能够降低反射率，在底部抗反射涂层旋涂光致抗蚀剂后，未观察到由底部抗反射涂层形成的浮渣。#imgabs0#
一种深紫光刻底部反射涂层及其制备方法应用

[发明专利]一种碱性清洗液的制备方法-CN202310795374.6在审
发明人：王溯;马丽;张怡;邢乃观;程鑫 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C11D1/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种碱性清洗液的制备方法。本发明的碱性清洗液的制备方法包括如下步骤：将所述的碱性清洗液中的各个组分混合，得到所述的碱性清洗液；所述的碱性清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.01‑30％有机碱、0.001‑4％酸、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂以及水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；所述的表面活性剂为非离子型双子表面活性剂；所述的有机碱与所述的酸的质量比为(12‑18):1。采用本发明的碱性清洗液的制备方法制得的碱性清洗液具有如下的一个或多个优点：具有较好的清洗效果，可以抑制半导体晶圆的损伤，具有较好的BTA清除效果。
一种碱性清洗制备方法

[发明专利]一种酸性清洗液的制备方法-CN202310795345.X在审
发明人：王溯;马丽;刘松;翟俊杰;张雪东 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C11D1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种酸性清洗液的制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤：将所述的酸性清洗液中的各个组分混合，得到所述的酸性清洗液；所述的酸性清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.1‑4％有机胺、0.1‑9％酸、氟化物、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂和水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；所述的表面活性剂为磺酸盐类阴离子表面活性剂；所述的酸与所述的有机胺的质量比为(1‑3):1。采用本发明的制备方法制得的酸性清洗液具有如下的一个或多个优点：具有较好的清洗效果，可以抑制半导体晶圆的损伤，具有较好的BTA清除效果。
一种酸性清洗制备方法

[发明专利]一种碱性清洗液-CN202310795355.3在审
发明人：王溯;马丽;梁业成;张磊磊 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C11D1/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种碱性清洗液。本发明的碱性清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.01‑30％有机碱、0.001‑4％酸、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂以及水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；所述的表面活性剂为非离子型双子表面活性剂；所述的有机碱与所述的酸的质量比为(12‑18):1。本发明的碱性清洗液具有如下的一个或多个优点：具有较好的清洗效果，可以抑制半导体晶圆的损伤，具有较好的BTA清除效果。
一种碱性清洗

[发明专利]一种DUV光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用-CN202111146214.6有效
发明人：方书农;王溯;耿志月;崔中越 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C08F234/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种DUV光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用。本发明公开的底部抗反射涂层由下述组合物制得，所述的组合物包括聚合物、溶剂和光酸产生剂；其中，所述聚合物由下述方法制得，其包括下列步骤：(1)将溶剂I预热；(2)将如式(A)所示的单体、如式(B)所示的单体、如式(C)所示的单体、如式(L)所示的交联剂、引发剂和溶剂II混合，得一混合液；(3)将混合液加入到预热的溶剂中进行聚合反应；其中，步骤(1)和步骤(2)不分先后。本发明制备方法制备得到的底部抗反射涂层能够降低反射率，在底部抗反射涂层旋涂光致抗蚀剂后，未观察到由底部抗反射涂层形成的浮渣。#imgabs0#
一种 duv 光刻底部反射涂层及其制备方法应用

[发明专利]电子元件处理装置-CN202310574684.5在审
发明人：王振荣;刘红兵 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明涉及电子元件处理装置，其包括处理槽和淋液装置，所述处理槽具有进口和出口，电子元件可自所述进口进入所述处理槽，电子元件可自所述出口输出所述处理槽；所述淋液装置包括容腔和出液口；所述容腔用于容纳液体，所述出液口与所述容腔连通；所述淋液装置设置于所述处理槽的进口和/或出口处。本发明中的电子元件处理装置，在处理槽的进口和/或出口处设置淋液装置，淋液装置可淋下液体形成水帘，将从进口和出口处冒出的水雾吸收，使水雾不会挥发至操作环境中危害工人身体健康。
电子元件处理装置

[发明专利]一种DUV光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用-CN202111146211.2有效
发明人：方书农;王溯;耿志月;唐晨 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C08F234/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种DUV光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用。本发明公开的聚合物由下述方法制备得到：(1)将溶剂I预热；(2)将如式(A)所示的单体、如式(B)所示的单体、如式(C)所示的单体、如式(L)所示的交联剂、引发剂和溶剂II混合，得一混合液；(3)将混合液加入到预热的溶剂中进行聚合反应；其中，步骤(1)和步骤(2)不分先后。所述的底部抗反射涂层能够降低反射率，在底部抗反射涂层旋涂光致抗蚀剂后，未观察到由底部抗反射涂层形成的浮渣。#imgabs0#
一种 duv 光刻底部反射涂层及其制备方法应用

[实用新型]引线框架夹持装置-CN202220013169.0有效
发明人：王振荣;戴志文 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及引线框架夹持装置，其包括至少一组夹持杆、安装架和驱动装置；一组夹持杆包括两根以上的夹持杆，两根以上的夹持杆间隔设置；所述安装架可旋转地设置；每根所述夹持杆安装在一个所述安装架上，所述安装架带动所述夹持杆旋转；所述驱动装置驱动所述安装架移动。本实用新型中的引线框架夹持装置，夹持杆可旋转，因此可调整每组夹持杆之间的张角，张角调整后可以适用于不同尺寸的引线框架。
引线框架夹持装置

[发明专利]一种用于化学机械抛光后的清洗液及其制备方法-CN202110924722.6有效
发明人：王溯;马丽;李健华;王真 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C23G1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于化学机械抛光后的清洗液及其制备方法。清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.01％‑25％的强碱、0.01％‑30％的醇胺、0.001％‑1％的抗氧化物、0.05％‑0.2％的表面活性剂、0.01％‑0.1％的氨基酸、0.01％‑10％的缓蚀剂、0.01％‑10％的螯合剂和水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；其中，所述的氨基酸为组氨酸和半胱氨酸的组合。本发明的清洗液具有更好地清除BTA的效果。
一种用于化学机械抛光清洗及其制备方法

[发明专利]一种化学机械抛光后清洗液的应用-CN202110926048.5有效
发明人：王溯;马丽;马伟;何加华 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C23G1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光后清洗液的应用。具体公开了一种清洗液在清洗化学机械抛光后的半导体器件中的应用，所述清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.01％‑25％的强碱、0.01％‑30％的醇胺、0.001％‑1％的抗氧化物、0.05％‑0.2％的表面活性剂、0.01％‑0.1％的氨基酸、0.01％‑10％的缓蚀剂、0.01％‑10％的螯合剂和水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；其中，所述的氨基酸为组氨酸和半胱氨酸的组合。本发明的清洗液具有更好地清除BTA的效果。
一种化学机械抛光清洗应用

[发明专利]一种锡镀液、其制备方法和应用-CN201910198730.X有效
发明人：王溯;孙红旗 -专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C25D3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种锡镀液、其制备方法和应用。本发明锡镀液的组合物原料，以锡镀液为1L计，其包括如下用量的组分：30～120g/L的甲磺酸锡；60～300g/L的甲磺酸；0.1～100mg/L的聚维酮K45；0.01～10mg/L的低分子聚醚，所述低分子聚醚为双胺酚醚和/或马来酰亚胺基聚乙二醇单甲醚；和水。本发明的锡镀液在不含氟化表面活性剂的情况下也可用于为倒装芯片封装体在金属类UBM层上形成锡类焊料凸点，成本较低，工艺简单；其在电流效率方面有利，不产生金属间化合物层中的破裂和凸点内的空隙，可以用于形成平整性高和高度波动小的凸点，适用于高速电镀。
一种锡镀液制备方法应用

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