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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]空白掩模版的制造方法及系统-CN202310962116.2在审
  • 林岳明 - 上海传芯半导体有限公司
  • 2023-06-16 - 2023-10-24 - G03F1/26
  • 本发明提供一种空白掩模版的制造方法及系统，经过脉冲激光沉积、性能检测、激光表面处理(激光去膜或者先激光去膜后激光抛光)这些步骤的循环执行，脉冲激光沉积工艺的靶材利用率高，能够保证最终形成的空白掩模版的性能达到目标，从而提高了空白掩模版的制造良率和制造效率。进一步地，通过对待废弃的掩模版进行激光表面处理，从而回收其中的掩模基板，并基于回收的掩模基板来制造空白掩模版，整个过程中均通过激光工艺来实现，不需要使用湿法工艺的介入，解决了现有空白掩模版的制造方法中存在的费用较高、工艺时间较长及湿法工艺带来的环境污染等问题。
  • 空白模版制造方法系统
  • [发明专利]掩模版及其制备方法-CN202310109271.X有效
  • 季明华;黄早红 - 上海传芯半导体有限公司
  • 2023-02-13 - 2023-10-24 - G03F1/26
  • 本发明提供了一种掩模版及其制备方法。该掩模版中设置有至少两层相位移层，通过对相位移层进行灵活的组合搭配以形成相位移量不同的多种相位移区，从而满足不同掩模图案对相位移量的需求，提高图形的对比度，并且还有利于规避相邻区域之间出现相位移量的超大跨度的直接变化，进而改善由此引发的“鬼影”的问题。此外，还能够降低OPC修正的难度，有效改善小尺寸、高密度的掩模图案容易受到空间限制而难以进行OPC修正的问题。
  • 模版及其制备方法
  • [发明专利]掩模基板的再生方法及系统-CN202310962129.X在审
  • 林岳明 - 上海传芯半导体有限公司
  • 2023-06-16 - 2023-10-03 - G03F1/26
  • 本发明提供一种掩模基板的再生方法及系统，采用先激光去膜后激光抛光的方法，去除掩模基板上的光刻胶、金属膜、金属化合物膜等掩模材料，整个过程中均通过激光工艺来实现，不需要使用湿法工艺的介入，因此能解决了现有掩模基板的再生方法中存在的费用较高、工艺时间较长及湿法工艺带来的环境污染等问题。同时，在去除掩模材料的过程中在线实时检测表面粗糙度，并基于在线实时检测结果调整激光表面处理工艺，进而提高回收得到的再生掩模基板的良率，降低生产成本。
  • 掩模基板再生方法系统
  • [发明专利]平坦化方法及化学机械抛光装置-CN202311040471.0在审
  • 冯涛;季明华;林岳明;任雨萌;李元贞 - 上海传芯半导体有限公司
  • 2023-08-17 - 2023-09-26 - B24B37/10
  • 本发明提供一种平坦化方法及化学机械抛光装置。其中，所述平坦化方法是采用化学机械抛光工艺平坦化目标基底，但与现有技术不同的是，本发明在平坦化的过程中通入的抛光液包括含氟液体及表面活性物质，且未包含磨料。所述含氟液体及表面活性物质能够增强抛光液与目标基底的化学反应，有利于剥离目标基底表面的粗糙颗粒。所述抛光液中未设置磨料，不仅可以避免磨料对目标基底亚表面的损伤，提高抛光质量，还能够降低抛光液的制备成本。此外，为确保平坦化效果，本发明还引入了高频波。即，在平坦化过程中利用高频波振动抛光液，使得抛光液内形成空化现象和声波流现象，从而有效剥离并去除目标基底表面的粗糙颗粒，提高平坦化效果。
  • 平坦方法化学机械抛光装置
  • [发明专利]掩模版的制造方法及系统-CN202310720627.3有效
  • 林岳明 - 上海传芯半导体有限公司
  • 2023-06-16 - 2023-09-22 - G03F1/26
  • 本发明提供一种掩模版的制造方法及系统，在同一工艺机台上利用脉冲激光进行脉冲激光沉积来制造空白掩模版并进一步利用同一激光器产生的脉冲激光对空白掩模版进行激光直写，获得具有所需图案的掩模版，能够实现掩模版的自动化制造，且工艺简单，制造成本低，生产效率高，掩模版的性能稳定，良率高，工艺机台设备成本低，且集成度高。
  • 模版制造方法系统
  • [发明专利]监控系统、薄膜沉积系统和薄膜产品的制造方法-CN202310425166.7在审
  • 林岳明 - 上海传芯半导体有限公司
  • 2023-04-20 - 2023-09-12 - C23C14/54
  • 本发明提供一种监控系统、薄膜沉积系统和薄膜产品的制造方法，该监控系统具有上监控组件和下监控组件中的一者或者两者，所述上监控组件布设在沉积腔室的外部上方，所述下监控组件布设在所述沉积腔室的外部下方；所述上监控组件用于监测所述沉积腔室中正在制造的薄膜产品的正面上的反射率和/或透射率；所述下监控组件用于监测所述薄膜产品的背面上的反射率和/或透射率；其中，所述上监控组件和/或所述下监控组件所监测到的反射率和/或透射率用于在线调整所述沉积腔室的沉积工艺参数。由此能够实现薄膜沉积工艺的在线监控，并根据监控结果实时调整沉积工艺参数，最终提高空白掩模版等薄膜产品的良率和生产效率，降低生产成本。
  • 监控系统薄膜沉积产品制造方法
  • [发明专利]掩模保护膜激光耐久度的检测方法及装置-CN202310432406.6在审
  • 任雨萌 - 上海传芯半导体有限公司
  • 2023-04-20 - 2023-07-18 - G01M11/02
  • 本发明提供了一种掩模保护膜激光耐久度的检测方法，利用一激光照射掩模保护膜，并检测可表征所述掩模保护膜的光学性能的特征值，当所述特征值的变化达到一预定值时，获取照射到所述掩模保护膜的单位面积上的激光总量，所述激光总量可表征所述掩模保护膜的激光耐久度，根据所述掩模保护膜的激光耐久度及实际使用场景可以提前估算出所述掩模保护膜的寿命，据此可在合适的时间丢弃所述掩模保护膜，既能够满足曝光要求又不至于造成浪费。相应的，本发明还提供了一种掩模保护膜激光耐久度的检测装置。
  • 保护膜激光耐久检测方法装置
  • [发明专利]掩模基版的制作方法及具有等离子体加热装置的涂胶设备-CN202110620806.0有效
  • 车翰宣;陈昊;张震 - 上海传芯半导体有限公司
  • 2021-06-03 - 2023-07-18 - G03F1/60
  • 本发明提供一种掩模基版的制作方法及具有等离子体加热装置的涂胶设备，制作方法包括步骤：提供透光基板；在透光基板上沉积遮光膜；在遮光膜上沉积防反射膜，防反射膜为Cr的碱性氧化物；对防反射膜进行加热烘烤，以脱去防反射膜的水分，并对防反射膜表面进行氧等离子体处理，以在防反射膜表面形成氧化膜；于氧化膜上涂覆化学放大型光刻胶。本发明在防反射膜和化学放大型光刻胶界面形成了氧化膜，在曝光工艺处理时，可以有效避免由碱性防反射膜提供的电子和化学放大型光刻胶被光照激发产生的量子结合而发生的中和反应，避免化学放大型光刻胶中脚状图形的产生，从而可以形成具有优秀分辨率的掩模版图案。
  • 掩模基版制作方法具有等离子体加热装置涂胶设备
  • [发明专利]曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机-CN202310251679.0在审
  • 季明华;任新平;黄早红 - 上海传芯半导体有限公司
  • 2023-03-15 - 2023-06-30 - G03F1/24
  • 本发明提供一种用于EUV光刻的曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机，曝光成像结构包括：第一反射式光掩模版，包括第一透光基底和第一反射式掩模图形；第二反射式光掩模版，包括第二透光基底和第二反射式掩模图形；反射装置；曝光光线经第一反射式光掩模版后，将带有第一反射式光掩模版的图形信息的反射光经反射装置反射至第二反射式光掩模版，使得从第二反射式光掩模版反射出的光线可界定出同时包含第一反射式掩模图形和第二反射式掩模图形的组合投影图案，以通过组合投影图案在晶圆上实现一次性曝光。本发明可有效提高光刻机的分辨率和对比度，并简化光刻工艺。
  • 曝光成像结构反射式光掩模版投影光刻
  • [发明专利]用于DUV光刻的光掩模版结构及其制备方法-CN202210817896.7有效
  • 季明华;任新平;黄早红 - 上海传芯半导体有限公司
  • 2022-07-13 - 2023-06-09 - G03F1/22
  • 本发明提供一种用于DUV光刻的光掩模版结构及其制备方法，光掩模版结构包括：第一透光基底，第一透光基底包括相对的第一面和第二面；第一遮光掩模图形，设置于第一透光基底的第一面；第二透光基底，第二透光基底包括相对的第一面和第二面；第二遮光掩模图形，设置于第二透光基底的第一面；第一透光基底与第二透光基底堆叠设置，第一遮光掩模图形与第二遮光掩模图形不重叠，能在曝光系统投影的同一平面上的投影共同形成光掩模版结构所需的光掩模精细图案。基于本发明的光掩模版结构的光刻分辨率得到了较大的提升，晶圆上的图案缺陷得到了显著改善，同时光刻工艺的过程也得到了简化。
  • 用于duv光刻模版结构及其制备方法
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