本发明涉及半导体技术领域，提出一种测量外延片的外延层厚度的方法，该方法为使用内置参考片测量方法(FROC，Fixed Reference On Chuck)，其中包括下列步骤：在载物台上布置外延片，其中所述载物台包括卡盘以及凸台，所述凸台与所述卡盘连接并从所述卡盘伸出，其中在所述凸台上布置参考片，其中外延片布置在所述卡盘上；配置光谱测量系统的配方参数；通过所述光谱测量系统测量所述参考片的参考光谱，并且测量所述外延片的样品光谱；根据所述参考光谱以及所述样品光谱确定对照光谱；根据所述配方参数确定所述对照光谱的特征波段；以及根据所述特征波段确定所述外延片的外延层厚度。
