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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]旋转台用非接触电力供给机构及方法、以及晶圆旋转保持装置-CN201780023774.8有效
发明人：土屋正人 -专利权人： 三益半导体工业株式会社
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供能够对与晶圆旋转保持装置的旋转台连接的负载以非接触的方式进行电力供给的旋转台用非接触电力供给机构及方法、以及晶圆旋转保持装置。旋转台用非接触电力供给机构是晶圆旋转保持装置的旋转台用非接触电力供给机构，包括：旋转轴；载置于所述旋转轴的前端且在上表面上保持晶圆的旋转台；向所述旋转轴供给动力的驱动马达；卷绕在所述旋转轴的周围的固定侧初级线圈；与所述固定侧初级线圈连接的电力供给源；与所述固定侧初级线圈隔开规定距离地对应设置且安装在所述旋转台上的旋转台侧次级线圈；以及与所述旋转台侧次级线圈连接的负载，通过电磁感应，经由所述次级线圈向所述负载供给电力。
旋转台用非接触电力供给机构方法以及保持装置

[发明专利]旋转台用晶片保持机构及方法和晶片旋转保持装置-CN201780030916.3在审
发明人：真下郁夫;田村正树;永井秀彰 -专利权人： 三益半导体工业株式会社
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种旋转台用晶片保持机构及方法和晶片旋转保持装置，能够在旋转处理中在维持晶片的姿态的状态下改变晶片的保持位置，减轻由蚀刻造成的外周销的痕迹，减少清洗残留、清洗不均。具有：旋转台，在上表面保持晶片；和可动的多个外周可动销，设置在旋转台且用于对晶片的外周进行保持，该多个外周可动销包含多个第一外周可动销、和晶片的保持位置与该第一外周可动销不同的多个第二外周可动销，在晶片的处理中，通过替换由第一外周可动销和第二外周可动销进行的晶片的保持，从而改变晶片的保持位置。
外周晶片可动销旋转台保持装置晶片保持晶片旋转清洗蚀刻旋转处理上表面可动替换残留

[发明专利]旋转台用晶片加热保持机构及方法和晶片旋转保持装置-CN201780031237.8在审
发明人：吉田修;田村正树;永井秀彰 -专利权人： 三益半导体工业株式会社
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种旋转台用晶片加热保持机构、旋转台用晶片加热方法以及晶片旋转保持装置，能够在维持放置于旋转台的晶片的面内温度分布的状态下稳定地进行旋转，同时对晶片进行加热。一种晶片旋转保持装置的旋转台用晶片加热保持机构，具有：旋转轴；旋转台，载置于所述旋转轴的前端且在上表面保持晶片；驱动马达，向所述旋转轴供给动力；和加热单元，以与所述晶片非接触的非接触状态设置在所述旋转台上且所述晶片的下部，用于对所述晶片进行加热。
旋转台晶片晶片加热旋转轴保持装置晶片旋转加热旋转保持装置非接触状态加热单元驱动马达温度分布非接触上表面种晶

[发明专利]半导体基板的制造方法、太阳能用半导体基板及蚀刻液-CN200780015052.4有效
发明人：土屋正人;真下郁夫;木村义道 -专利权人： 三益半导体工业株式会社;日本宇宙能源株式会社
申请日： 2007-04-20 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：提供光电转换效率优良，蚀刻率及金字塔形状稳定，可于半导体基板的表面以期望的大小均匀形成适合太阳电池的微细凹凸结构，安全且低成本的半导体基板的制造方法；面内均匀具有均匀且微细的金字塔状的凹凸结构的太阳能用半导体基板；以及用以形成初期使用具有高稳定性且具有均匀且微细的凹凸结构的半导体基板为目的的蚀刻液。使用含有从在1分子中含有至少1个羧基的碳数1以上且12以下的羧酸及其盐所构成的群组所选择的至少1种及硅的碱性蚀刻液蚀刻半导体基板，于该半导体基板的表面形成凹凸结构。
半导体制造方法太阳能用蚀刻

[发明专利]半导体基板的制造方法、太阳能用半导体基板及蚀刻液-CN200580030545.6有效
发明人：土屋正人;真下郁夫;木村义道 -专利权人： 三益半导体工业株式会社;日本宇宙能源株式会社
申请日： 2005-10-26 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供一种光电转换效率优越，可在半导体基板的表面形成均匀、所期望大小的适合于太阳电池的精细凹凸结构的安全、且低成本的半导体基板的制造方法，在面内均匀具有均匀且精细的金字塔状的凹凸结构的太阳能用半导体基板，形成具有均匀且精细的凹凸结构的半导体基板所使用的蚀刻液。使用含有选自由一分子中具有至少一个羧基的碳数1以上12以下的羧酸及其盐所构成的组中的至少一种的碱性蚀刻液，将半导体基板蚀刻，在该半导体基板的表面形成凹凸结构。
半导体制造方法太阳能用蚀刻

[发明专利]旋转蚀刻的工序管理方法及旋转蚀刻装置-CN200480041470.7有效
发明人：土屋正人;小笠原俊一 -专利权人： 三益半导体工业株式会社
申请日： 2004-03-22 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种即使各种条件的晶片，也可以实现蚀刻处理的蚀刻量的均匀化，并且可使蚀刻后的晶片间的厚度均匀的旋转蚀刻的工序管理方法及旋转蚀刻装置。本发明首先在蚀刻处理前，以1/1000g单位来测定晶片的重量测定，接着，由旋转蚀刻部来进行规定的蚀刻处理。接着，在晶片的冲洗干燥处理后，再度进行1/1000g单位的重量测定，由晶片的蚀刻前后的差额重量来算出实际蚀刻量，每次确认蚀刻液的蚀刻速率，以控制蚀刻时间。
旋转蚀刻工序管理方法装置

[发明专利]晶片分离方法、晶片分离装置及晶片分离转移机-CN03824698.8有效
发明人：土屋正人;真下郁夫;斋藤公一 -专利权人： 三益半导体工业株式会社
申请日： 2003-05-13 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供可以更为安全、简单并且可靠地将晶片分离并且能够提高进行晶片分离的处理速度的晶片分离方法、晶片分离装置及使用了该晶片分离装置的晶片分离机。在从该最上层的晶片的惯析线轴(A－A’、B－B’)绕顺时针或逆时针错开了角度15°～75°的轴向(L－L’)上，推压该最上层的晶片，并且按照使该最上层的晶片的弯曲应力产生于与该惯析线轴错开了的轴向(L－L’)上的方式，使该最上层的晶片的周缘部向上方翘起，同时向该最上层的晶片的下面和相邻的下侧的晶片的上面之间吹入流体，并且使该最上层的晶片上升，从而将晶片分离。
晶片分离方法装置转移

[发明专利]切削液、其制造方法及结晶块的切断方法-CN95118266.8在审
发明人：镝木新吾;芦田昭雄;木内悦男;早川和男;外山公平 -专利权人：信越半导体株式会社;大智化学产业株式会社;三益半导体工业株式会社
申请日： 1995-10-25 - 公布日： 1996-07-31 - 主分类号： C10M169/04 文献下载
摘要：水溶性切削液，是在无机膨润土的水分散液中，溶解聚合脂肪酸甘油三酯咪唑和、2甲基-1-硬脂酸酯和、硼酸咪唑，在该主成分中添加油酸(润滑性增强剂)、乙二胺四醋酸钠盐(金属离子吸附剂)、苯并三唑(防锈力辅助剂)以及硅系消泡剂等辅助剂而构成的。解决了使用非水溶性切削油时，被切削材料洗净工序中所伴随的大气污染等问题，同时还降低了用钢丝锯切断大直径单结晶硅等晶块时晶片的挠曲性。
切削制造方法结晶切断

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