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[发明专利]执行浮点操作的系统和方法-CN202211466221.9在审
发明人：余穗福;严星华 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G06F7/483 文献下载
摘要：一种执行浮点操作的方法可以包括：获得具有浮点格式的操作数，基于操作数的指数的范围来计算增益，通过将增益应用于操作数来生成具有定点格式的中间值，通过对中间值执行操作来生成具有定点格式的定点结果值，以及将定点结果值变换为具有浮点格式的浮点输出值。
执行浮点操作系统方法

[发明专利]用于优化双转换增益操作的模数转换电路及其操作方法-CN202211480762.7在审
发明人：田在熏;权赫彬;周雄 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H04N25/78 文献下载
摘要：公开了一种电路，包括：第一放大器，通过比较与第一转换增益相对应的第一像素信号和第一斜坡信号来生成第一输出信号，并通过比较与第二转换增益相对应的第二像素信号和第二斜坡信号来生成第二输出信号，以及第二放大器，其基于第一输出信号生成第三输出信号并基于第二输出信号生成第四输出信号，第一转换增益高于第二转换增益，并且第一放大器在比较第一像素信号和第一斜坡信号时的第一功率电流不同于第一放大器在比较第二像素信号和第二斜坡信号时的第二功率电流。
用于优化转换增益操作电路及其操作方法

[发明专利]存储器件及其制造方法-CN202211497500.1在审
发明人：李善行;张日午;洪智琡 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开涉及存储器件及其制造方法。在实施例中，一种存储器件包括存储单元阵列、第一虚设电容器、第二虚设电容器和第三虚设电容器。存储单元阵列包括形成在基板上的栅极结构、与栅极结构相邻的第一有源区、设置在栅极结构与第一有源区之间的栅极绝缘层、以及连接到第一有源区的单元电容器。第一虚设电容器和第二虚设电容器沿着第一方向和竖直方向延伸，并且被设置为在第二方向上与存储单元阵列相邻。第三虚设电容器沿着第二方向和竖直方向延伸，并且被设置为在第一方向上与存储单元阵列相邻。存储单元阵列设置在第一虚设电容器与第二虚设电容器之间。
存储器件及其制造方法

[发明专利]视觉传感器、图像处理设备以及视觉传感器的操作方法-CN202310117246.6在审
发明人：徐宗奭;李贤九;丁喜宰 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H04N25/40 文献下载
摘要：一种视觉传感器包括：像素阵列，其包含以矩阵布置的像素；事件检测电路；事件率控制器；以及接口电路。每个像素被配置为响应于检测到入射光强度的变化而生成电信号。事件检测电路基于对从一个或多个像素接收的电信号进行处理，来检测在任何像素处是否已经发生入射光强度的变化，并且生成与确定入射光的强度已经发生变化的一个或多个像素相对应的一个或多个事件信号。事件率控制器选择与像素阵列上的感兴趣区域相对应的一个或多个事件信号，作为一个或多个输出事件信号。接口电路与外部处理器进行通信并将一个或多个输出事件信号传送给外部处理器。
视觉传感器图像处理设备以及操作方法

[发明专利]用于对系数等级进行熵编码/熵解码的方法和装置-CN202310180288.4在审
发明人：朴银姬;柳佳铉;朴缗茱;朴慜祐;郑丞洙;崔棋镐;崔娜莱;崔雄一;安尼斯·塔姆塞 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H04N19/13 文献下载
摘要：提供了一种用于对系数等级进行熵编码/熵解码的方法和装置。提供了一种用于对包括在图像数据中的系数进行解码的方法，其中，所述方法包括以下步骤：基于当前系数的参考等级，确定针对当前系数的Rice参数；借助于所确定的Rice参数从比特流对指示当前系数的大小值的系数等级信息进行解析；并且通过借助于所确定的Rice参数对所述系数等级信息进行反二值化来获得当前系数的大小。
用于系数等级进行编码解码方法装置

[发明专利]用于控制字线电压的存储器设备及其操作方法-CN202211464916.3在审
发明人：崔士罗;朴贤国 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：一种存储器设备及其操作方法调整字线电压的斜率。该存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个单元串；电压产生电路，被配置为产生提供给多个字线的字线电压；以及控制逻辑，被配置为输出调整从电压产生电路提供的字线电压的电压电平变化特性的斜率控制信号，其中在存储器设备的读取操作的预脉冲时段期间，提供给包括一个或多个字线的边缘组的第一字线电压的斜率大于提供给包括中心区中的一个或多个字线的中心组的第二字线电压的斜率，该边缘组与串选择线相邻。
用于控制电压存储器设备及其操作方法

[发明专利]低密度奇偶校验解码器和储存装置-CN202211467166.5在审
发明人：李冈石;柳根荣;黄映竣;孙弘乐;申峻昊;全甫奂;韩泫升 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H03M13/11 文献下载
摘要：一种低密度奇偶校验(LDPC)解码器，其用码字的值将可变节点初始化并且输出参考不规则的奇偶校验矩阵更新的可变节点作为解码的消息。该LDPC解码器包括：多个单位逻辑电路，其在单模式或多模式下操作，在单模式中，所有单位逻辑电路更新包括至少一个可变节点的一个可变节点组，在多模式中，单位逻辑电路中的每一个通过更新不同的可变节点而并行地更新多个可变节点组；以及模式控制器，其控制多个单位逻辑电路，以在单模式下更新可变节点组中的其程度大于阈值程度的高程度可变节点组，并且在多模式下更新可变节点组中的其程度小于或等于阈值程度的低程度可变节点组。
密度奇偶校验解码器储存装置

[发明专利]纠错码电路、包括纠错码电路的存储设备以及纠错码电路的操作方法-CN202211471281.X在审
发明人：金成来;李起准;李明奎;赵诚慧;张晋熏;黄理箾 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：公开了一种存储设备，其包括：存储单元阵列，存储第一数据和第一奇偶校验数据；纠错码ECC电路，基于第一数据和第一奇偶校验数据执行ECC解码并输出经纠错的数据和解码状态标志；以及输入/输出电路，将经纠错的数据和解码状态标志提供给存储控制器。ECC电路包括：校正子生成器，基于第一数据和第一奇偶校验数据生成校正子；校正子解码电路，对校正子进行解码以生成错误向量；纠正逻辑电路，基于错误向量和第一数据生成经纠错的数据；以及快速解码状态标志DSF生成器，在不用错误向量的情况下基于校正子生成解码状态标志。
纠错码电路包括存储设备以及操作方法

[发明专利]半导体器件-CN202211475346.8在审
发明人：徐贤 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：一种半导体器件包括单元区域和外围电路区域，所述单元区域包括：堆叠在衬底上的多条字线；至少一条接地选择线，其位于所述多条字线与所述衬底之间；和多个通道结构，其穿过所述多条字线和所述至少一条接地选择线，所述外围电路区域包括控制所述单元区域的外围电路。所述外围电路在第一编程时间期间向所述至少一条接地选择线输入第一接地选择偏置电压、以向从所述多条字线中选择的编程字线输入第一编程电压，并且在第二编程时间期间向所述至少一条接地选择线输入大小与所述第一接地选择偏置电压的大小不同的第二接地选择偏置电压以输入第二编程电压，所述第二编程电压与所述第一编程电压不同。
半导体器件

[发明专利]磁存储器件-CN202211477599.9在审
发明人： S.P.帕金;梁时熏;尹智湖;皮雄焕 -专利权人： 三星电子株式会社;马克斯-普朗克科学促进协会
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：一种磁存储器件包括在第一方向上延伸的导线以及在导线上在第一方向上延伸的磁道。磁道包括：顺序堆叠于导线上的下磁层、间隔层和上磁层，以及在间隔层上且邻近上磁层的侧面的非磁图案。非磁图案与下磁层的一部分垂直重叠。下磁层和上磁层通过间隔层彼此反铁磁耦合。
磁存储器

[发明专利]半导体装置-CN202211489629.8在审
发明人：朴正敏;林汉镇 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供了半导体装置，所述半导体装置包括：晶体管，设置在基底上；和电容器结构，电连接到晶体管，其中，电容器结构包括第一电极；介电层结构，设置在第一电极上；和第二电极，设置在介电层结构上，介电层结构包括：界面层，设置在第一电极上；第一介电层，设置在界面层上并且包括铁电材料、反铁电材料以及铁电材料和反铁电材料的组合中的任意一种；插入层，设置在第一介电层上；和第二介电层，设置在插入层上并且包括顺电材料。
半导体装置

[发明专利]半导体存储器件和包括所述半导体器件的电子系统-CN202211496656.8在审
发明人：张允瑄;崔茂林;成政泰 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：半导体存储器件具有外围逻辑结构，该外围逻辑结构包括外围逻辑衬底和外围逻辑衬底上的外围逻辑绝缘膜。单元阵列结构包括顺序堆叠在外围逻辑结构上的单元衬底和源极结构。旁路过孔将单元衬底和外围逻辑衬底电连接。旁路过孔在单元衬底上具有在第一方向和第二方向中的至少一个方向上延伸的线形。第一方向和第二方向平行于单元衬底的上表面。
半导体存储器件包括半导体器件电子系统

[发明专利]用于终端的视频通话方法和用于服务器的视频通话方法-CN202111409945.5在审
发明人：李伟波;李敏 -专利权人：广州三星通信技术研究有限公司;三星电子株式会社
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H04N7/14 文献下载
摘要：本公开关于一种用于终端的视频通话方法和用于服务器的视频通话方法，所述方法包括：以第一视频通话参数向服务器发起第一视频通话请求；从服务器接收服务器响应于第一视频通话请求而发送的第一状态信息；在第一状态信息指示因当前视频通话网络带宽无法支持第一视频通话参数而视频通话失败的情况下，以第二视频通话参数向服务器发起第二视频通话请求，其中，使用第二视频通话参数执行视频通话的视频通话质量低于使用第一视频通话参数执行视频通话的视频通话质量。
用于终端视频通话方法服务器

[发明专利]上行链路定时和频率同步-CN202180057040.8在审
发明人：冷诗旸;叶悄扬;全晸鍸;赵俊暎;C·罗 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H04W56/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于将用于支持超过第4代(4G)系统的更高数据速率的第5代(5G)通信系统与用于物联网(IoT)的技术融合的通信方法和系统。本公开可以应用于基于5G通信技术和IoT相关技术的智能服务，诸如智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽车、联网汽车、医疗保健、数字教育、智能零售、安保和安全服务。本公开提供了一种用于无线通信系统中的上行链路定时和频率同步的方法和设备。
上行定时频率同步

[发明专利]用于多普勒预补偿的方法和装置-CN202180058929.8在审
发明人： S·田;叶悄扬;全晸鍸;赵俊暎 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H04L27/26 文献下载
摘要：使用多个多普勒预补偿模式中的每一个来对同步信号执行多普勒预补偿，以生成使用一个或多个波束发送的经多普勒预补偿的同步信号的多个集合。结合用户设备(UE)的初始接入、空闲UE小区重选、连接UE数据信道接收或UE切换，指示所使用的多普勒预补偿模式的信号在系统信息块(SIB)或无线电资源控制(RRC)重新配置消息之一中发送。该信号指示发送小区的多普勒预补偿模式和一个或多个相邻小区的多普勒预补偿模式。同步信号包括同步信号块(SSB)，SSB包括主同步信号(PSS)和辅同步信号(SSS)。结合定时同步检测、频率偏移(FO)估计或参考信号接收功率(RSRP)测量，所接收的经多普勒预补偿的同步信号在时域中组合。
用于多普勒补偿方法装置

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