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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]Al-Ni-B系合金溅射靶材-CN200880000238.7无效
发明人：松崎健嗣 -专利权人： 三井金属鉱业株式会社
申请日： 2008-03-19 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的目的是提供在溅射时抑制打火的发生的Al-Ni-B系合金溅射靶材。本发明的Al-Ni-B系合金溅射靶材是含有Ni及B、析出Al₃Ni化合物的Al-Ni-B系合金溅射靶材，其特征在于，相对于上述Al₃Ni化合物的总析出量，内含含B粒子的Al₃Ni化合物的比例在2％以上，上述Al₃Ni化合物的平均粒径在20μm以下。
al ni 合金溅射

[发明专利]配线用层叠膜及配线电路-CN200780030471.5无效
发明人：久保田高史;松浦宜范 -专利权人： 三井金属鉱业株式会社
申请日： 2007-10-11 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供可以实现更低电阻的配线用电路形成技术，特别是提出即使是大型化的液晶显示器也可以可靠地将配线电阻低电阻化的配线用层叠膜。本发明涉及配线用层叠膜，其特征在于，层叠有低电阻金属层和含有0.5at％～10.0at％的Ni的Al-Ni类合金层。该低电阻金属层包含Au、Ag、Cu、Al中的至少一种以上的元素，电阻率值在3μΩ·cm以下。
配线用层叠电路

[发明专利]一氧化铌-CN200780023279.3无效
发明人：米田佳弘;小仓宗二;八岛勇 -专利权人： 三井金属鉱业株式会社
申请日： 2007-06-26 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明的目的是提供可制得小型且具备大静电容量的电容器的一氧化铌。本发明的一氧化铌是由粒子构成的多孔质结构的一氧化铌，其特征在于，X射线衍射的衍射峰中，相当于(111)面的峰或相当于(200)面的峰的半宽度为0.21°～1.0°。该一氧化铌的比表面积及空隙率大，特别适用于电容器的用途。
氧化

[发明专利]元件的接合结构-CN200780006638.4无效
发明人：占部宏成;松浦宜范;久保田高史 -专利权人： 三井金属鉱业株式会社
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供在n⁺-Si等半导体层和Al系合金层直接接合时可防止Al和Si的互相扩散，可维持欧姆特性，可确保Al系合金层本身的低电阻特性的元件的接合结构。本发明是具备半导体层和与该半导体层直接接合的Al系合金层的元件的接合结构，该元件的接合结构的特征在于，与Al系合金层直接接合的半导体层为含氮Si。该Si的氮含量为1×10A¹⁸～5×10²¹原子/cm³。
元件接合结构

[发明专利]Al系合金配线材料及使用了该材料的元件结构-CN200780003110.1无效
发明人：占部宏成;松浦宜范;久保田高史 -专利权人： 三井金属鉱业株式会社
申请日： 2007-10-22 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供具有薄膜晶体管的显示装置中的可与n⁺－Si等半导体层直接接合的Al系合金配线材料。本发明的铝中含有镍和硼的Al系合金配线材料的特征在于，含有氮(N)。较好的是该氮含量为2×10¹⁷原子/cm³以上但不足9×10²¹原子/cm³。较好的是该Al系合金配线材料在镍的组成比例定义为x原子％、硼的组成比例定义为y原子％、铝的组成比例定义为z原子％、x+y+z＝100时，满足0.5≤x≤10.0、0.05≤y≤11.00、y+0.25x≥1.00、y+1.15x≤11.50各式，其余部分含有氮。
al 合金线材料及使用材料元件结构

[发明专利]反射膜用Al－Ni－B合金材料-CN200780001938.3有效
发明人：松浦宜范;附田龙马;占部宏成;久保田高史 -专利权人： 三井金属鉱业株式会社
申请日： 2007-08-30 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：本发明涉及反射型显示器，提供具有优异的反射特性且能与ITO和IZO等透明电极层直接接合的反射膜用铝类合金材料。本发明的在铝中含有镍和硼的反射膜用Al－Ni－B合金材料的特征在于，镍含量为1.5at％～4at％，硼含量为0.1at％～0.5at％，其余为铝。此外，进一步优选镍含量为1.5at％～3at％，硼含量为0.1at％～0.4at％。
反射 al ni 合金材料

[发明专利]铈系研磨材料-CN200780001175.2无效
发明人：瓜生博美;山崎秀彦;小林大作;桑原滋 -专利权人： 三井金属鉱业株式会社
申请日： 2007-02-19 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明的目的是提供在研磨损伤的产生得到抑制的同时研磨速度得到大幅改善的铈系研磨材料。本发明的铈系研磨材料的特征在于，它是相对于全部稀土类氧化物(TREO)的氧化铈含量为95质量％以上的铈系研磨材料，利用激光衍射·散射法测得的从小粒径侧开始的累积体积50％的粒径(D₅₀)值为1.3～4.0μm。此外，较好的是本发明的铈系研磨材料通过基于Cu－Kα₁射线的X射线衍射分析测定的氧化铈的最大峰的半宽度以2θ计为0.1～0.5°。
研磨材料

[发明专利]铈系研磨材料-CN200680040308.2有效
发明人：瓜生博美;内野义嗣 -专利权人： 三井金属鉱业株式会社
申请日： 2006-10-27 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明的目的是提供氧化铈含量高的高纯度铈系研磨材料，该研磨材料的研磨速度得到了改善。本发明的铈系研磨材料的特征在于，它是相对于全部稀土类氧化物(TREO)的氧化铈的含量为90质量％以上的铈系研磨材料，相对于研磨材料总量，含有0.01～2.0质量％的选自Ti及原子序号80以下的5族～12族的元素的至少1种特定元素。
研磨材料

[发明专利]铈类研磨材料-CN200680037841.3无效
发明人：山口靖英;桑原滋 -专利权人： 三井金属鉱业株式会社
申请日： 2006-10-12 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明提供无论是否含有F、La、Nd只要CeO₂/TREO≥40质量％则研磨速度快且研磨损伤少的铈类研磨材料。本发明涉及CeO₂/TREO≥40质量％的铈类研磨材料，将以稀土类元素Ce为主要成分的稀土类氧化物的通过使用了Cu－Kα线或Cu－Kα1线的X射线衍射得到的峰中基于(111)面的峰定为a，其强度定为A，基于(220)面的峰定为b，其强度定为B时，强度比B/A的值为0.20～0.80，BET法比表面积为1～150m²/g。
研磨材料

[发明专利]元件的制造方法-CN200680037806.1无效
发明人：久保田高史;松浦宜范 -专利权人： 三井金属鉱业株式会社
申请日： 2006-10-13 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明涉及具备刻蚀铝合金膜而形成配线电路的工序的元件的制造方法，提供极度抑制对铝合金膜造成的破坏，可以实现可靠性高的元件的制造技术。具备在基板上形成铝合金膜，刻蚀该铝合金膜而形成配线电路的工序的元件的制造方法中，形成铝合金膜后，使铝合金膜表面氧化。这时的氧化处理如下进行：以相对于将具备自然氧化被膜的规定厚度的铝合金膜通过铝合金用刻蚀液以总厚度刻蚀时所算出的厚度方向的刻蚀速度，可以确保80％以上的刻蚀速度的条件，形成氧化被膜。
元件制造方法

[发明专利]铈系研磨材料及其原料-CN200710142719.9有效
发明人：小林大作;内野义嗣;山崎秀彦 -专利权人： 三井金属鉱业株式会社
申请日： 2004-03-29 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明提供具有发生损伤更少等优良研磨特性、研磨速度更高的铈系研磨材料。该铈系研磨材料作为稀土类氧化物至少含有氧化铈(CeO₂)、氧化镧(La₂O₃)及氧化钕(Nd₂O₃)，并含有氟元素(F)，其总稀土类氧化物换算重量(TREO)为90wt％以上，同时，TREO中氧化铈所占重量比(CeO₂/TREO)为50wt％～65wt％，并且TREO中氧化钕所占重量比(Nd₂O₃/TREO)为10wt％～16wt％。使用这样的铈系研磨材料能迅速得到研磨损伤发生较少的研磨面。
研磨材料及其原料

[发明专利]Al－Ni－B合金布线材料及使用该材料的元件结构-CN200680001532.0有效
发明人：占部宏成;松浦宜範;久保田高史 -专利权人： 三井金属鉱业株式会社
申请日： 2006-03-30 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：本申请的发明提供在具备薄膜晶体管及透明电极层的显示器件中，能够与ITO或IZO等的透明电极层直接接合，同时还能够与n⁺－Si等半导体层直接接合的Al系合金布线材料。本申请的发明的Al合金布线材料中，将镍含量设为镍的原子百分率Xat％，硼含量设为硼的原子百分率Yat％时，所述含量在满足下述各式的区域的范围内，余分为铝，式0.5≤X≤10.00.05≤Y≤11.0Y+0.25X≥1.0Y+1.15X≤11.5。
al ni 合金布线材料使用元件结构

[发明专利]溅镀靶材-CN200580001261.4无效
发明人：加藤和照;久保田高史;木村浩;松浦宜范;松崎健嗣 -专利权人： 三井金属鉱业株式会社;日本轻金属株式会社
申请日： 2005-07-08 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供可尽量不产生溅镀时的电弧放电现象和喷溅现象的溅镀靶材。对溅镀靶材的用于溅镀的部分进行了摩擦搅拌处理，即使是含碳的铝类合金的溅镀靶材或大型的溅镀靶材，也可以可靠地抑制溅镀时的电弧放电现象和喷溅现象。
溅镀靶材

[发明专利]铝类靶材及其制造方法-CN200480028627.2无效
发明人：久保田高史;松浦宜范;加藤和照 -专利权人： 三井金属鉱业株式会社;日本轻金属株式会社
申请日： 2004-12-20 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的目的是提供尽量减少像气孔这样的内部缺陷、不发生翘曲的大面积铝类靶材。它是由多块铝合金靶材构成件构成的铝类靶材，具备通过搅拌摩擦焊接法接合铝合金靶材构成件的接合部。此外，该接合部为在铝母材中分散了直径10μm以下的金属间化合物析出物的组织，存在0.01～0.1个/cm²的直径500μm以下的气孔。
铝类靶材及其制造方法

[发明专利]电沉积铜箔-CN200610004607.2无效
发明人：中野修;片冈卓;妙中咲子;内田直仁;半泽规子 -专利权人： 三井金属鉱业株式会社
申请日： 2000-11-27 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： C25D1/04 文献下载
摘要：公开了电沉积铜箔，其20％或更多的光泽面的晶体具有孪晶结构；用电解工艺制造电沉积铜箔的方法，包括制出分离的铜箔，其特征是将晶粒尺寸号为6.0的钛材料用作旋转阴极鼓，将含0.2－20mg/l的胶和/或明胶的硫酸铜溶液用作电解液。该电沉积铜箔的使用可提供显示与抗蚀层粘合良好的铜箔，无需在铜箔线路蚀刻工艺的表面预处理中进行机械抛光(如磨光)。
沉积铜箔

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