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[发明专利]漏极阶梯场板结构射频HEMT器件及其制备方法-CN202110180160.9有效
发明人：孙慧卿;黄志辉;丁霄;王鹏霖;郭志友 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种漏极阶梯场板结构射频HEMT器件及其制备方法，该器件包括依次层叠于衬底上的背势垒层、沟道层和势垒层，源极、p型区域以及漏极间隔设置于势垒层表面的第一钝化层中，第一水平漏场板沿漏极的部分表面延伸靠近p型区域；栅极设置于p型区域的表面；第二水平漏场板沿第一水平漏场板的部分表面延伸靠近栅极；第一垂直漏场板自势垒层延伸至背势垒层中；第二垂直漏场板沿第一垂直漏场板下表面侧向衬底方向延伸；第三垂直漏场板沿第二垂直漏场板下表面侧向衬底方向延伸；本发明具有阶梯状漏场板结构射频HEMT器件能够保持器件的导通电阻不变，相比于传统的HEMT，本发明的器件结构具有更小的栅漏电容，表现出更高的截止频率。
阶梯板结射频 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]基于低剖面麦克斯韦鱼眼透镜的大间距稀疏相控阵天线-CN202310783850.2在审
发明人：丁霄;韩刘远志 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01Q21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于低剖面麦克斯韦鱼眼透镜的大间距稀疏相控阵天线，属于微波天线技术领域。该相控阵天线由周期排列的透镜天线单元组成，透镜天线单元包括麦克斯韦鱼眼透镜、金属腔、五个微带贴片天线；麦克斯韦鱼眼透镜为圆柱体结构，由从上至下半径逐渐增大的若干层圆形透镜同心嵌套组成。本发明相控阵天线稀疏率达到72.4％，可以实现±43°扫描，旁瓣电平小于‑7.4dB，相比同口径半波长排列的满阵天线，能够大幅度降低相控阵系统的成本，且增益损失小于2dB，零度增益高于满阵天线增益，降低系统成本的同时保证阵列天线的辐射特性。
基于剖面麦克斯韦透镜间距稀疏相控阵天线

[发明专利]一种用于区分代谢综合征和单纯肥胖的代谢标志物及其应用-CN202310923980.1在审
发明人：袁君;郑程;刘赟;丁霄;熊清平;景怡 -专利权人：淮阴工学院
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于区分代谢综合征和单纯肥胖的代谢标志物及其应用。所述标志物包括以下八种代谢物：甘氨胆酸、石胆酸、亚油酸、缬氨酸、亮氨酸、丙氨酸、丝氨酸和甘氨酸。本发明通过液相色谱质谱联用检测代谢综合征和单纯肥胖患者血清进行非靶向代谢组学分析，发现两者之间的具有8种存在显著性差异的代谢物。这8种代谢标志物在单独或组合诊断区分代谢综合征患者或单纯性肥胖患者时均具有较高的AUC。
一种用于区分代谢综合征单纯肥胖标志及其应用

[发明专利]一种用于预测肝纤维化的肠道菌群组合物及其应用-CN202310923382.4在审
发明人：袁君;刘赟;郑程;丁霄;朱传荣;熊清平;景怡 -专利权人：淮阴工学院
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C12Q1/6883 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于预测肝纤维化的肠道菌群组合物及其应用。所述菌群组合物包括以下六种菌属：乳酸杆菌属(Lactobacillus)、杜氏乳杆菌属(Dubosiella)、拟杆菌属(Muribaculaceae)、毛螺菌属(Lachnospiraceae)、脱硫弧菌属(Desulfovibrio)和粪杆菌属(Faecalibaculum)。本发明采用16SrDNA测序技术检测肠道菌群，将健康人群与肝纤维化患者的肠道菌群检测结果对比，用关键菌群数据的升降，实现对肝纤维化的早期诊断和预测，为对患者制定进一步优化的干预策略提供参考价值，同时，可以在无创条件下进行检测，避免肝活检给患者机体造成损伤。
一种用于预测纤维化肠道组合及其应用

[发明专利]一种基于层次分析法的中药组合分析方法及应用-CN202310959919.2在审
发明人：袁君;丁霄;刘赟;郑程;熊清平;徐若寒 -专利权人：淮阴工学院
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G16H20/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于层次分析法的中药组合分析方法及应用，通过检索医案数据库获取中药处方，建立中药处方数据库；进行药物频次统计和关联规则分析；构建层次结构模型，确定准则权重；进行层次单排序和一致性检验；绘制层次结构图并进行总排序。将本发明应用于选择治疗非酒精性脂肪肝的药物组合中，可释放大量实验验证，将不可量化的指标，做同质化转换，再通过比较矩阵分析计算权向量得出各方案的最终得分，将更优方案筛选出来。本发明为中医治疗非酒精性脂肪肝提供了临床用药思路，也为新药开发、中药治疗非酒精性脂肪肝的系统化、标准化及中医药的现代化及提供了一定的数据和参考，对临床治疗的发展具有重要意义。
一种基于层次分析中药组合分析方法应用

[发明专利]一种用于核酸提取实验的乙醇清除装置及其使用方法-CN201711389445.3有效
发明人：丁霄;王传旭;李朋波;罗晓丽;王娇娟;潘转霞;姜南;张树伟;李换丽;吴翠翠;杨六六;朱永红;曹彩荣;夏芝 -专利权人：山西省农业科学院棉花研究所;运城学院
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C12M1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于核酸提取实验的乙醇清除装置，包括风机主体、试管盒以及能够扣压在试管盒上的盒盖，所述试管盒内装有EP管架，所述EP管架上排布有若干试管孔，所述试管孔中可放置盛有待干燥核酸的EP管，所述的风机主体内设有风扇以及为风扇供电的电源，所述风机主体上设有风机口，所述风机口位于风扇的正前方，所述风机口上安装有风嘴，所述风嘴的另一端设有水平的扁平嘴；所述盒盖的左右两侧分别设有入风口和出风口。本发明改变了以往通过垂直风干燥试管，利用水平风产生的负压效应，实现EP试管中残留乙醇的快速挥发，有效的减少批量核酸提取过程中清除残留乙醇的步骤及时间，同时降低提取样品受污染的概率。
一种用于核酸提取实验乙醇清除装置及其使用方法

[发明专利]一种调控棉花纤维长度的基因及其应用-CN202210005870.2有效
发明人：吴翠翠;杨六六;肖水平;夏芝;丁霄;潘转霞;兰刚;曹彩荣 -专利权人：山西农业大学棉花研究所（山西省农业科学院棉花研究所）;江西省棉花研究所
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C12N15/29 文献下载
摘要：本发明属于植物基因工程技术领域，具体涉及一种调控棉花纤维长度的基因及其应用。该基因为GhHD7基因，其核苷酸序列如SEQ ID NO.1所示，其编码蛋白的氨基酸序列如SEQ ID NO.2所示。通过对棉花中GhHD7基因碱基的插入或缺失来实现棉花中GhHD7基因的表达量降低，得到的转基因棉花植株纤维长度显著变短。本发明为培育高品质棉花提供了有利的基因资源。
一种调控棉花纤维长度基因及其应用

[外观设计]包装盒（《丹青闻途》矿物颜料填色本）-CN202330254398.1有效
发明人：张冰;王鹤翔;李昌恒;赵明鑫;王禧龙;丁霄;王婕;丁凯阳;陈慧莹 -专利权人：西北师范大学
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： 09-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：包装盒（《丹青闻途》矿物颜料填色本）。2.本外观设计产品的用途：物品外包装。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.产品右视图为开口设计，故没有设计要点，省略右视图。
包装丹青矿物颜料

[发明专利]一种透射通带可调谐的有源频率选择表面及其设计方法-CN202310522504.9在审
发明人：张琳曼;丁霄 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种透射通带可调谐的有源频率选择表面及其设计方法，属于电磁对抗及隐身技术领域。该结构包括介质板、及设置于其正面和背面的第一贴片单元阵列、第二贴片单元阵列；其中第一贴片单元阵列中的每一行单元通过直流馈线相连，且奇数行和偶数行的单元分别连接正极和负极，同一列贴片单元之间加载有变容二极管。本发明的频率选择表面能够根据天线系统的工作状态进行动态调谐；当天线系统工作时，可根据天线系统的带宽进行调频工作，保持透射通带和天线的工作频段一致；此外，通过调频可以拓宽天线可用带宽，提高了信道容量，同时可以降低带内隐身风险；当天线系统关闭时，在可调范围内进行跳频扰乱，使得带内的信号难以被准确探测。
一种透射通带可调谐有源频率选择表面及其设计方法

[发明专利]八通道DAC电压可调线性电源-CN202310359759.8在审
发明人：丁霄;董俊彦 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：本发明公开了一种八通道DAC电压可调线性电源，属于电子信息领域。包括220V转18V单元、BUCK稳压单元、5V稳压单元、3.3V稳压单元、八通道DAC电压输出单元、固定增益放大单元、主控MCU、LCD显示单元、串口通信单元、按键单元；本发明将外部220V交流电依次转变为18V、8V、5V、3.3V为各单元提供稳定电压；通过按键单元或串口通信单元与主控MCU进行交互，控制八通道DAC电压输出单元控制每一路的电压输出0‑1.5V可调，再经过固定增益放大单元实现0‑15V，精度0.001V的可调直流电压输出。本发明具有精度高、体积小、通道数多、独立调节能力强、与串口通信可以保存数据等优点，大大提高了应用的灵活性与便捷性。
通道 dac 电压可调线性电源

[发明专利]一种基于宽带90°巴伦的圆极化扫描栅格阵列-CN202310008598.8在审
发明人：丁霄;刘相渝 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于宽带90°巴伦的圆极化扫描栅格阵列，属于微波天线技术领域。该阵列由圆极化天线单元栅格布阵组成，圆极化天线单元包括从上到下依次设置的辐射贴片层、第一介质基板、空气间隙层、金属接地层、第二介质基板、馈电网络层。该圆极化天线单元以旋转放置的微带贴片作为辐射器，采用金属背腔实现稳定单向辐射，该种结构可以有效降低天线组阵后单元间的耦合；下层馈电网络采用180°功分移相网络组合超宽带移相器，可以极大程度实现宽带移相，从而拓宽圆极化天线的阻抗带宽和轴比带宽。
一种基于宽带 90 极化扫描栅格阵列

[发明专利]一种基于偶极子的宽带方向图可重构天线-CN202310215768.X在审
发明人：陈柏睿;丁霄;邵维 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于偶极子的宽带方向图可重构天线，属于微波天线技术领域。本发明所述天线包括介质基板、中心贴片、四个宽带巴伦馈电结构、四个PIN二极管开关、直流偏置电路、四个寄生金属结构、四个折叠偶极子和同轴线；PIN二极管开关加载在中心贴片与对应宽带巴伦馈电结构中间，激励不同方向上的宽带巴伦馈电结构，从而使得介质基板下方的折叠偶极子参与辐射，通过加载直流偏置控制开关的通断切换主辐射贴片，可以使天线的表面电流分布发生改变，实现不同的波束指向。本发明所述方向图可重构天线可在方位平面实现四种不同的波束指向的切换，具有工作频带宽、切换速度快、性能稳定、结构简单、易于加工等优点。
一种基于偶极子宽带方向图可重构天线

[发明专利]一种超宽带紧耦合宽角扫描阵列天线-CN202310215761.8在审
发明人：曾馨;丁霄;邵维 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01Q21/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超宽带紧耦合宽角扫描阵列天线，属于相控阵天线技术领域。本发明所述阵列天线由多个单元天线呈矩形排布而成，单元天线包括金属地板、金属短路柱、介质基板、微带馈线、金属条带、同轴接头、渐变辐射槽和窄长缝；本发明所述阵列天线采用匹配层融合在阵面的设计思想，在不额外增加多余的重量且能够满足低剖面、轻质化、低成本的同时实现超宽带大角度扫描；本发明所述阵列天线使用紧耦合长槽阵，避免了复杂的去耦网络设计，并且引入了长窄缝，增强了单元之间的耦合，降低了输入阻抗，使得天线能够更好地和同轴馈电进行匹配；本发明所述阵列天线采用了E面和H面阵元间距不相等的设计，能够提升不同面扫描时的阻抗匹配性能。
一种宽带耦合扫描阵列天线

[发明专利]带机械转动的非接触式生命信号监测毫米波雷达系统-CN202211368479.5在审
发明人：丁霄;李博洋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G01S7/41 文献下载
摘要：本发明公开了一种带机械转动的非接触式生命信号监测毫米波雷达系统，属于电子信息技术领域。该系统包括计算机、毫米波雷达、天线模块、两相四线式步进电机、控制芯片、变压器和驱动器，采用该系统同时基于FMCW与毫米波雷达技术，还提供了一种非接触式生命监测方法。本发明系统配备有机械转动装置，可以实现平面上全方位无死角的自动探测，扩大检测区域，大大提高了安全性和便捷性，能够实时、便捷地针对不同人群进行生命体征监测，减少了人力资源的浪费；对于特殊人群的生命信号监测及交通、安检、监控的建设提供了可选方案。
机械转动接触生命信号监测毫米波雷达系统

[发明专利]增强型AlGaN-GaN垂直超结HEMT及其制备方法-CN202011508741.2有效
发明人：孙慧卿;张淼;夏晓宇;夏凡;马建铖;李渊;谭秀洋;郭志友;丁霄;黄志辉;王鹏霖 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及增强型AlGaN/GaN垂直超结HEMT及其制备方法，包括沿GaN基底表面边缘设置的P型GaN柱，设置于GaN基底表面中间区域的N型GaN梯度柱，其掺杂浓度自远离GaN基底的方向依次递减，设置于所述P型GaN柱表面的P型GaN电流阻挡层，依次设置于所述P型GaN电流阻挡层和所述N型GaN梯度柱表面的N型沟道层和N型势垒层，间隔分布的钝化层和P型GaN帽层，以及截面呈π型的栅极；其有效调解了导通电阻和击穿电压不可兼顾的限制，并提高了饱和电流，以及更有效的高温传导。该制备方法中的工艺步骤使用的均是目前比较成熟的技术，能够减少器件制造工艺过程中的损伤，提高器件的可靠性。
增强 algan gan 垂直 hemt 及其制备方法

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