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[实用新型]一种CMOS像素寻址模块和平板探测器-CN202122684633.7有效
发明人：刘彤芳;吴恩德 -专利权人：地太科特电子制造（北京）有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种CMOS像素寻址模块和平板探测器，该CMOS像素寻址模块包括：地址控制模块和与所述地址控制模块相连的多个行地址译码器；地址控制模块与互补金属氧化物半导体CMOS像素阵列结构中的多个CMOS像素阵列块相连；多个CMOS像素阵列块纵向排列，每个CMOS像素阵列块中每行的像素地址相同，每列的像素地址依次增加；每个CMOS像素阵列块分别对应一个行地址译码器，并与相对应的行地址译码器相连接。通过该实施例方案，实现了分块直接寻址，提高了寻址速度，提高了整体的良率和可靠性。
一种 cmos 像素寻址模块平板探测器

[发明专利]信息处理装置、信息处理方法和信息处理程序-CN202080055560.0在审
发明人：浴良仁;横山恭二 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：提供信息处理装置、信息处理方法和信息处理程序，其能够降低卷积神经网络(CNN)中的卷积处理的负荷。根据本公开的信息处理装置(1)包括设定单元(51)和控制单元(52)。设定单元(51)将包括二维排列的多个成像像素的成像单元(2)中的每个成像像素的曝光时间设定为与CNN的第一层的卷积系数相对应的曝光时间。控制单元(52)使信号电荷从已曝光的成像像素传输到浮动扩散(FD)，从而执行卷积处理。
信息处理装置方法程序

[发明专利]图像传感器-CN202111080551.X在审
发明人：李宰圭;沈喜成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：公开了一种图像传感器。该图像传感器包括以多个行和多个列布置的多个像素，像素中的每一个包括：光电二极管；浮置扩散节点，其配置为累积由所述光电二极管产生的光电荷；第一电容器，其配置为存储根据被复位的浮置扩散节点的电压的电荷；第二电容器，其配置为存储根据其中累积有光电荷的浮置扩散节点的电压的电荷；第一采样晶体管，其连接到第一输出节点并配置为将电荷采样到第一电容器；第二采样晶体管，其连接到第一输出节点并配置为将电荷采样到第二电容器；以及至少一个预充电选择晶体管，其连接到第一输出节点并配置为复位第一输出节点。
图像传感器

[发明专利]图像信号处理器以及包括其的电子装置和电子系统-CN202111086001.9在审
发明人：林东贩;金艾莉娜;徐永一;李正局;崔允硕;许银斗 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：一种图像处理装置，包括存储器；以及至少一个图像信号处理器，其被配置为：使用第一神经网络来生成指示是否校正在单位帧间隔期间感测的全局像素值的特征值，并且生成包括特征值的特征信号；通过将全局像素值与特征信号合并来生成图像信号；将包括在图像信号中的像素值拆分为第一子像素值和第二子像素值，将包括在图像信号中的帧特征信号拆分为与第一子像素值对应的第一子特征值和与第二子像素值对应的第二子特征值，并且生成包括第一子像素值和第一子特征值的第一子图像信号以及包括第二子像素值和第二子特征值的第二子图像信号；并且使用第二神经网络顺序地校正第一子图像信号和第二子图像信号。
图像信号处理器以及包括电子装置系统

[发明专利]成像装置和用于形成图像的方法-CN201810470536.8有效
发明人： A·R·克拉尔克二世;T·布朗;I·J·佩雷斯;A·B·赫尔南德兹 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明题为“成像装置和用于形成图像的方法”。本发明涉及一种成像装置以及用于用成像装置形成图像的方法。本发明解决的技术问题是当那些像素信号的仅一部分将用于最终图像时，使用多余的功率来处理每个像素信号。所述方法和装置可包括能够读出像素阵列的一个或多个非直线子集以形成非直线主图像的像素阵列。所述一个或多个非直线子集可根据期望的直线输出图像来选择，其中所述直线输出图像仅使用所述一个或多个子集形成。所述主图像然后可被变换以形成所述直线输出图像。由本发明实现的技术效果是通过选择用于所述最终图像中的特定像素集来节省功率。
成像装置用于形成图像方法

[发明专利]固态成像设备、成像系统和固态成像设备的驱动方法-CN201811420733.5有效
发明人：齐藤和宏;板野哲也 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：公开了固态成像设备、成像系统和固态成像设备的驱动方法。在作为实施例的固态成像设备中，模数转换器单元在第一时段中将第一像素信号转换为数字信号，在第一时段之后的确定时段中执行第二像素信号与设置为预定阈值的参考信号的比较，并且在确定时段之后的第二时段中，将第二像素信号以根据在确定时段中执行的比较的结果的增益转换为数字信号。在参考信号从第一时段起达到阈值以前，参考信号生成单元在不改变参考信号相对于时间的推移的改变方向的情况下改变参考信号。
固态成像设备系统驱动方法

[发明专利]CMOS结构、图像传感器及手持装置-CN201980004293.1有效
发明人：林奇青;杨富强;杨孟达 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本申请公开了一种CMOS结构(103_1)、图像传感器及手持装置，所述CMOS结构耦接至薄膜半导体结构，所述薄膜半导体结构包括至少一像素，所述像素用来在重置阶段产生重置信号并输出至所述CMOS结构，以及在感测阶段产生感测信号，并在读出阶段才将所述感测信号输出至所述CMOS结构，所述CMOS结构包括：运放(206)，正端(+)选择性地从所述薄膜半导体结构接收所述重置信号，负端(‑)选择性地从所述薄膜半导体结构接收所述感测信号；第一反馈电路(201)，耦接于运放的负端与输出端之间，用于在重置阶段时，与运放共同组态为单位增益缓冲器；以及第二反馈电路(203)，用于在读出阶段时，与第一反馈电路及运放共同组态为电荷放大器。
cmos 结构图像传感器手持装置

[发明专利]图像感测系统-CN202111079288.2在审
发明人：文章豪;辛德夏;李济硕;朴熙根;郑小荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：公开了一种图像感测系统。所述图像感测系统包括相机模块和应用处理器。相机模块包括：图像传感器，包括像素阵列，像素阵列包括具有第一图案的滤色器，图像传感器被配置为感测入射在像素阵列上的光以生成具有第一图案的第一图案图像信号；第一转换器，被配置为将第一图案图像信号转换为具有与第一图案不同的第二图案的第二图案图像信号；以及第二转换器，被配置为将第二图案图像信号转换为具有与第一图案和第二图案不同的第三图案的第三图案图像信号。应用处理器被配置为对第三图案图像信号执行图像处理。
图像系统

[发明专利]暗电流相关双采样器、图像传感器和暗电流补偿方法-CN201980004076.2有效
发明人：王程左;詹昶 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种暗电流相关双采样器、图像传感器和暗电流补偿方法，包括：开关电路、n个第一电容器、m个第二电容器、积分电容器和运算放大器，n个第一电容器的电容值之和与m个第二电容器的电容值之和相等；n个第一电容器通过开关电路分别与n个有源像素的输出电压和运算放大器的反相输入端相连，m个第二电容器通过开关电路分别与m个暗像素的输出电压和反相输入端相连，积分电容器通过开关电路连接在反相输入端与运算放大器的输出端之间。能够通过暗电流相关双采样器直接实现有源像素的输出电压与暗像素的输出电压相减，以补偿有源像素中的暗电流。
电流相关采样图像传感器补偿方法

[实用新型]基于毫米波雷达测距结合CMOS传感器成像的一体式摄像头-CN202122313921.1有效
发明人：李煜斌;冯国强 -专利权人：深圳煜芯科技有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本实用新型涉及检测技术领域，尤其是指一种基于毫米波雷达测距结合CMOS传感器成像的一体式摄像头，包括信号处理模块、雷达模块以及CMOS模块；所述雷达模块用于发射毫米波并接收经外界物体反射的毫米波信号；所述CMOS模块用于生成图像信号；所述信号处理模块用于接收毫米波信号以及图像信号，并结合毫米波信号以及图像信号进行图像处理。本实用新型结合雷达以及CMOS模块进行测量，即通过毫米波以及图像结合实现对于被测物图像的生成与测距，保证了测距的精度以及被测物图像的准确。
基于毫米波雷达测距结合 cmos 传感器成像体式摄像头

[发明专利]一种带数字像素存储的差量图像传感器-CN202111395274.1在审
发明人：查颖云;罗杰·博斯托克;邓坚;邹钰 -专利权人：深圳锐视智芯科技有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明属于图像传感器技术领域，尤其涉及一种带数字像素存储的差量图像传感器，包括像素阵列和多个采集电路，每个所述采集电路均包括至少一个传感器电路，用于根据照亮对应所述光传感器的至少一个像素的光信号生成传感器信号VSIG；至少一个模数转换电路，用于根据所述传感器信号VSIG生成当前数字信号；至少一个数字存储电路，用于存储先前数字信号；至少一数字比较电路，用于将所述当前数字信号的电平与所述先前数字信号的电平比较，并判断所述当前数字信号是否存在变化的电平；至少一个数字输出电路，在所述当前数字信号存在变化的电平时，生成一事件信号并输出。
一种数字像素存储图像传感器

[发明专利]一种带数字像素存储的差量图像传感器-CN202111395275.6在审
发明人：查颖云;罗杰·博斯托克;邓坚;邹钰 -专利权人：深圳锐视智芯科技有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明属于图像传感器技术领域，尤其涉及一种带数字像素存储的差量图像传感器，包括像素阵列和多个采集电路，每个所述采集电路均包括至少一个传感器电路，用于根据照亮对应所述光传感器的至少一个像素的光信号生成传感器信号VSIG；至少一个模数转换电路，用于根据所述传感器信号VSIG生成当前数字信号；至少一个数字存储电路，用于存储先前数字信号；至少一数字比较电路，用于将所述当前数字信号的电平与所述先前数字信号的电平比较，并判断所述当前数字信号是否存在变化的电平；至少一个数字输出电路，在所述当前数字信号存在变化的电平时，生成一事件信号并输出。
一种数字像素存储图像传感器

[发明专利]具有埋入式沟道的双转换增益电路-CN202111631828.3在审
发明人：吴敏锡 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：本发明题为“具有埋入式沟道的双转换增益电路”。本发明公开了一种成像设备，所述成像设备可具有各自具有光电二极管和浮动扩散节点的图像传感器像素的阵列。所述阵列中的每个图像传感器像素还可包括双转换增益开关和双转换增益电容器，所述双转换增益电容器允许所述图像传感器像素以低转换增益模式和高转换增益模式操作，在所述低转换增益模式期间，所述开关被接通以在所述浮动扩散节点和所述双转换增益电容器之间共享电荷，在所述高转换增益模式中，所述开关被关断。在积聚期间，所述光电二极管可生成比可保持在所述浮动扩散节点处更多的电荷。埋入式沟道可设置在所述双转换增益开关下方以提供路径，沿着所述路径，即使当所述双转换增益开关断开时，过量电荷也可在所述浮动扩散节点和所述双转换增益电容器之间共享。
具有埋入沟道转换增益电路

[发明专利]一种读出电路及图像校正方法-CN201910770598.5有效
发明人：施薛优;陈光毅 -专利权人：北京安酷智芯科技有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明公开一种读出电路及图像校正方法，涉及非制冷红外探测器领域；所述图像校正方法包括：从包含像素衬底温度传感器的读出电路中获取原始图像数据矩阵和像素阵列衬底温度数据；基于像素阵列衬底温度数据与非均匀性校正系数查找表调整非均匀性校正系数；利用调整完的非均匀性校正系数和非均匀性校正算法对原始图像数据矩阵进行校正处理，获得处理后的均匀图像数据矩阵；本发明公开的方法能够利用读出电路中包含像素衬底温度传感器获得像素阵列衬底温度数据，并基于像素阵列衬底温度数据进行温漂校正，在提升校正精度的同时，还减小了获取校正参数的测试代价及实际校正时的硬件代价，测试速度加快。
一种读出电路图像校正方法

[发明专利]斜坡信号发生装置及使用其的CMOS图像传感器-CN201811631815.4有效
发明人：金贤俊 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：一种斜坡信号发生装置及使用其的CMOS图像传感器。可以提供一种斜坡信号发生装置，其包括：斜坡信号发生器，该斜坡信号发生器包括多个局部斜坡信号发生器，每个局部斜坡信号发生器被构造为基于外部控制单元的控制而产生具有局部斜坡范围的局部斜坡信号；AC耦合器，该AC耦合器联接到所述斜坡信号发生器以从所述斜坡信号发生器接收局部斜坡信号，AC耦合器被构造为对所接收的局部斜坡信号执行AC耦合并产生经AC耦合的斜坡信号；以及积分器，该积分器联接到AC耦合器以接收经AC耦合的斜坡信号，并且被构造为将经AC耦合的斜坡信号积分成具有完整斜坡范围的斜坡信号。
斜坡信号发生装置使用 cmos 图像传感器