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[实用新型]一种脸部识别VCSEL模组差模驱动电路-CN202120186206.3有效
发明人：杨文解;朱冰;李学成;王浩 -专利权人：珠海市运泰利自动化设备有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种结构简单、实现方便、能有效避免输出信号存在电压尖峰的脸部识别VCSEL模组差模驱动电路。本实用新型电路包括脸部识别VCSEL模组、脉冲恒流源、跨阻放大器和差模电路，所述差模电路用于消除所述脸部识别VCSEL模组（VCSEL Module）内存在的寄生电容引起的电压尖峰输出。本实用新型可应用于脸部识别技术领域。
一种脸部识别 vcsel 模组驱动电路

[发明专利]电流控制装置和激光器装置-CN201710501990.0有效
发明人：大关衡和;松浦敏晋 -专利权人：株式会社三丰
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种电流控制装置和激光器装置。该电流控制装置向半导体激光器供给电流以使该半导体激光器输出激光，并且包括电流指令器和供给器。所述电流指令器通过随着时间的经过增加与电流值相对应的指令值、直到达到与用以输出具有预定强度的激光的电流值相对应的目标指令值为止，来输出指令值。所述供给器将具有与电流指令器所输出的指令值相对应的大小的电流供给至半导体激光器。
电流控制装置激光器

[发明专利]发光装置以及投影仪-CN201880026637.4有效
发明人：野田贵史;北野洋司 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：提供发光装置以及投影仪，其能够抑制漏电流。发光装置包含：基体；第1半导体层，其具有第1导电型；第2半导体层，其具有与所述第1导电型不同的第2导电型；发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，能够通过注入电流而发光；以及第3半导体层，其设置在所述基体与所述第1半导体层之间，具有所述第2导电型，所述第1半导体层设置在所述第3半导体层与所述发光层之间，所述第3半导体层具有凹凸构造。
发光装置以及投影仪

[发明专利]一种压电陶瓷剪切片驱动电路及激光器系统-CN201910866413.0有效
发明人：程媛;陈宏刚;汤学胜 -专利权人：武汉光迅科技股份有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本申请公开了一种压电陶瓷剪切片(PZT)驱动电路，PZT驱动电路包括：正弦信号发生电路、同相放大电路、升压电路以及降压电路；所述正弦信号发生电路的输出端与同相放大电路的同相输入端连接；所述升压电路与所述同相放大电路的正电源连接，用于为所述同相放大电路的正电源供电；所述降压电路与所述同相放大电路的负电源连接，用于为所述同相放大电路的负电源供电；所述同相放大电路的输出端与位于所述PZT驱动电路外部的激光器内的PZT负载连接。本申请还公开一种包括PZT驱动电路以及PZT负载的激光器系统。
一种压电陶瓷剪切驱动电路激光器系统

[实用新型]5Hz光学信号源-CN202020019515.7有效
发明人：张涛 -专利权人：张涛
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本申请提供了5Hz光学信号源。它由电路和结构件构造而成，所述电路包括内置18V电源、7805c电源转换电路、SE555震荡电路、MXT429脉冲转换驱动电路，所述结构件包括黑色铝壳16.9cm×13.4cm长方体、激光二极管155G1s06s、电源开关、频率开关;其工作原理是，通过内置直流电源，供电震荡电路，脉冲驱动电路，功率放大电路，产生瞬间5Hz脉冲激励信号，使激光二极管能带之间实现能级跃迁，而发射出5Hz的1550nm激光。本实用新型5Hz光学信号源结构简单、体积小，5Hz频率、1550nm激光的产生，准确、可靠、操作简单易懂。
hz 光学信号源

[发明专利]脉冲生成器电路、相关系统和方法-CN202110760420.X在审
发明人： R·莱托;V·波勒托;A·帕夫林;N·莱奇;A·鲁索 -专利权人：意法半导体股份有限公司;意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及脉冲生成器电路、相关系统和方法。实施例脉冲生成器电路包括耦合到第一节点与第二节点之间的第一电子开关，以及耦合到第二节点与参考节点之间的第二电子开关。包括电感和电容的LC谐振电路耦合到第一节点与参考节点之间，充电电路装置包括电源节点与LC谐振电路中的中间节点之间的电流流动线路中的另一个电感。在开关循环序列期间，电子开关的驱动电路装置重复充电时间间隔，其中LC谐振电路中的电容经由充电电路充电，以及脉冲生成时间间隔，其中经由第一节点和第二节点向负载提供脉冲电流。充电时间间隔和脉冲生成时间间隔与振荡时间间隔交错，其中LC谐振电路以谐振频率振荡。
脉冲生成器电路相关系统方法

[发明专利]脉冲发生器电路、相关系统以及方法-CN202110760426.7在审
发明人： R·莱托;V·波勒托;A·帕夫林;A·鲁索;N·莱奇 -专利权人：意法半导体股份有限公司;意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及脉冲发生器电路、相关系统以及方法。根据实施例，脉冲发生器电路包括：LC谐振电路，耦合在第一节点与参考节点之间；第一开关，耦合在第一节点与参考节点之间；开关网络，包括耦合在第一节点与参考驱动节点之间的第二开关；驱动电路，其输出耦合到第一开关和开关网络的第二开关。驱动电路被配置为，在重复的周期中，在谐振周期期间，当流过LC谐振电路的电感器的电流增加时，闭合第一电子开关，当流过电感器的电流达到阈值时，断开第一电子开关，当第一电子开关被断开时，针对脉冲持续时间闭合开关网络的第二电子开关，其中流过电感器的电流被换向朝向第二电子开关和相应驱动节点，以及在脉冲持续时间过期时断开第二电子开关。
脉冲发生器电路相关系统以及方法

[发明专利]一种激光切割脉冲宽度调制器-CN201610735337.6有效
发明人：薛华军;潘文金;吴许祥;赵洋;李亚敏;沈店祥;周佩佩;凌步军;朱鹏程;冷志斌 -专利权人：江苏亚威机床股份有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明公开了激光切割技术领域的一种激光切割脉冲宽度调制器，包括微型计算机，所述微型计算机电性输入连接A/D转换模块，所述A/D转换模块电性输入连接信号调理单元，所述信号调理单元电性输入连接串口电路，所述微型计算机电性双向连接存储器，所述比较器电性输入连接循环计数器，所述比较器还电性输入连接寄存器，所述脉冲宽度调制波电性输出连接激光器，所述脉冲宽度调制波电性输入连接控制总线，所述控制总线电性输入连接频率及占空比控制，通过A/D转换将输入的模拟量转变为数字量输出，可以避免信号传输过程中产生的失真，通过调节频率及占空比控制，在切割直线和尖角时都能取得良好的切割效果。
一种激光切割脉冲宽度调制器

[发明专利]半导体激光器-CN201880026466.5有效
发明人：罗兰德·海因里希·恩茨曼;安德烈亚斯·武伊齐克;胡贝特·哈尔布里特;马丁·鲁道夫·贝林格;约瑟普·马里克;马里耶·格拉斯·贾马;贝特霍尔德·哈恩;克里斯蒂安·穆勒;伊莎贝尔·奥托 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：在一个实施方式中，半导体激光器(1)包括：半导体层序列(2)，其具有用于产生激光辐射(L)的有源区(20)。在半导体层序列(2)的彼此相对置的主侧上存在两个电连接区域(21，22)。接触载体(3)包括用于电接触半导体层序列(2)的电接触面(31，32)。电连接线路(23)从半导体层序列(2)的背离接触载体(3)的一侧朝向接触载体(3)伸展。连接线路(23)位于半导体层序列(2)上或位于半导体层序列(2)中。
半导体激光器

[实用新型]一种高速极窄脉冲激光驱动装置和投射及接收系统-CN202120884374.X有效
发明人：张俊君;陈驰;申小红;李安 -专利权人：深圳市安思疆科技有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高速极窄脉冲激光驱动装置，具有与投射模块依次连接的脉冲产生电路和功率放大电路；所述脉冲产生电路包括：信号处理模块，用于根据接收的触发信号产生两路具有时延t且相位相反的脉冲信号；整形电路，分别对两路脉冲信号进行整形；差分信号比较器，用于对整形后的两路脉冲信号进行与门处理，得到宽度为t的脉冲信号；所述功率放大电路用于对脉冲产生电路输出的脉冲信号进行放大，并驱动投射模块发出激光光束。本实用新型还公开一种高频极窄脉冲激光投射及接收系统，由上述高速极窄脉冲激光驱动装置驱动投射模块出射光束。
一种高速脉冲激光驱动装置投射接收系统

[实用新型]VCSEL器件-CN202120521977.3有效
发明人：王承栋 -专利权人：三赢科技（深圳）有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本实用新型提供一种VCSEL器件，包括外延层、欧姆接触层、正极、第一绝缘层、导电层及负极，外延层包括第一表面、与第一表面相对设置的第二表面及连接第一表面和第二表面的侧壁；欧姆接触层设于第一表面；正极设于第二表面；第一绝缘层设于正极与第二表面之间，第一绝缘层沿侧壁延伸至欧姆接触层靠近外延层一侧的表面；导电层设于位于侧壁的第一绝缘层上，正极通过导电层与欧姆接触层电性连接；负极设于第二表面，负极与正极间隔设置。本实用新型能减少焊线制程，有利于缩小VCSEL器件尺寸。
vcsel 器件

[发明专利]一种激光器的驱动电路及其驱动方法-CN202110770177.X有效
发明人：解军;阳树中 -专利权人：成都成电光信科技股份有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明公开一种激光器的驱动电路及其驱动方法，包括激光发生单元，所述驱动电路还包括用于提高消光比的分流支路和差分电路，所述分流支路包括分流电阻，所述分流电阻按照并联的方式与所述激光发生单元电气连接，所述差分电路与所述激光发生单元电气连接。本发明通过在激光器的驱动电路中增设相互配合的分流支路和差分电路，使得激光发生单元的光脉冲宽度压窄，响应时间变短。同时，通过分流支路和差分电路相配合，在驱动电路中不存在正脉冲驱动电压时，分流支路的分流电阻基于漏电流生成远小于激光发生单元正向导通电压的电压，使得所述激光单元不会由于漏电流而产生辐射发光，实现了绝对消光比。
一种激光器驱动电路及其方法

[发明专利]半导体激光二极管-CN201680065425.8有效
发明人： A.巴赫曼;C.劳尔;M.富里奇 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：半导体激光二极管包括层序列，该层序列包括在生长方向上的上下布置的多个层。该半导体激光二极管包括镜面刻面和输出耦合刻面，在镜面刻面和输出耦合刻面之间形成沿纵向方向延伸的谐振器。该层序列包括有源层，在有源层中形成有源区。该层序列还包括在生长方向上布置于有源层的上方的应力层。
半导体激光二极管

[发明专利]一种垂直腔面发射激光器及其制造方法与应用-CN202010143280.7有效
发明人：刘嵩;张成;梁栋;赵励 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提出一种垂直腔面发射激光器及其制造方法与应用，包括，衬底；第一反射层，形成在所述衬底上；至少两个发光单元，形成在所述第一反射层上，每一所述发光单元包括至少两个发光子单元；第一沟槽，形成在所述至少两个发光单元之间，所述第一沟槽暴露所述衬底；绝缘层，形成在所述第一沟槽内；至少一个第一电极，形成在所述至少两个发光单元上，连接所述至少两个发光单元，且每一所述发光单元内的发光子单元通过所述第一电极连接，以形成公共阳极；至少两个第二电极，接触所述第一反射层；其中，每一所述发光子单元内包括一发光孔，所述第一电极围绕在所述发光孔的外周。本发明提出的垂直腔面发射激光器应用频率快。
一种垂直发射激光器及其制造方法应用

[发明专利]半导体激光二极管-CN201880040771.X有效
发明人：斯文·格哈德;克里斯托夫·艾克勒;艾尔弗雷德·莱尔;贝恩哈德·施托耶茨 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：提出一种半导体激光二极管(100)，具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且配置为，在运行中在有源区(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)将其放射，其中有源区(5)从与光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)朝向光耦合输出面(6)沿着纵向方向(93)在主延伸平面中延伸，其中半导体层序列(2)具有表面区域(20)，在所述表面区域上直接接触地施加有第一外壳层(4)，其中所述第一外壳层(4)具有出自与半导体层序列(2)不同的材料体系的透明材料，并且其中第一外壳层(4)是结构化的并且具有第一结构。
半导体激光二极管