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- [发明专利]发光二极管及发光装置-CN202280006116.9在审
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林凡威;张博扬
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厦门三安光电有限公司
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2022-10-27
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2023-10-27
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H01L33/38
- 本发明提供一种发光二极管及发光装置。发光二极管至少可包括：外延结构，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面包含依次堆叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一半导体层远离发光层一侧的表面上至少依序设有第一电连接层、第一绝缘层、第一金属反射层、阻挡层；第一电极，部分设置于第一电连接层上，与第一半导体层电性连接。在第一电极的区域处，在外延结构的发光区的边缘线的外侧，第一电极的边缘线与阻挡层的边缘线之间的间距小于第一电极的边缘线与外延结构的发光区的边缘线之间的间距，以减少第一电极与外延结构邻近的拐角区域的电流集中，提升芯片产品良率和整体性能。
- 发光二极管发光装置
- [发明专利]一种LED芯片及其制作方法-CN202311167970.6在审
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李晓静;黄璐;乔元鹏;许宗琦;马英杰
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扬州乾照光电有限公司
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2023-09-11
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2023-10-27
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H01L33/38
- 本申请提供了一种LED芯片及其制作方法，该制作方法包括：形成LED芯片的堆叠结构，堆叠结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层的掺杂类型相反；在第一半导体层背离第二半导体层的一侧形成凹槽，凹槽延伸至第二半导体层；形成电极结构，电极结构包括：第一电极，位于第一半导体层背离第二半导体层的一侧，且与第一半导体层电连接；第二电极，位于凹槽内，与第二半导体层电连接；其中，凹槽设置有隔离结构，隔离结构用于增大第二电极到第一电极的电流路径。该隔离结构能对电起到一定的阻挡作用，从而避免电流集中在靠近第二电极的一侧，提高电流分布的均匀性，降低LED芯片的损耗，提高了LED芯片的发光效率。
- 一种led芯片及其制作方法
- [发明专利]发光二极管及发光装置-CN202210389394.9在审
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王晶;杨洋;张昀
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泉州三安半导体科技有限公司
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2022-04-13
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2023-10-27
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H01L33/38
- 本发明提供一种发光二极管，其包括外延结构、第一接触电极、第二接触电极以及高阻层，外延结构自下表面至上表面依次包括第一半导体层、发光层以及第二半导体层，第一接触电极与第二接触电极均位于外延结构的上表面上，且分别电连接第一半导体层和第二半导体层，高阻层是自外延结构的上表面向下延伸至第一半导体层，外延结构内具有渗透电区，渗透电区至少与发光层和第二半导体层处于同一水平面，渗透电区的边界接触高阻层，第一接触电极位于渗透电区上，并通过渗透电区电连接第一半导体层。借此，可以使得第一接触电极和第二接触电极处于同一水平面，消除二者的高低差，得到平衡对称结构的发光二极管，提升产品良率。
- 发光二极管发光装置
- [发明专利]高压紫外发光二极管及发光装置-CN202210351829.0在审
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曾明俊;彭康伟;林素慧;江宾;张中英
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厦门三安光电有限公司
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2022-04-02
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2023-10-24
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H01L33/38
- 本发明提供一种高压紫外发光二极管，其包括衬底和多个发光结构，多个发光结构设置在衬底上且相互之间电性连接，各发光结构包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一接触电极和第二接触电极，第一半导体层位于衬底与发光层之间，发光层位于第一半导体层与第二半导体层之间，第一接触电极位于第一半导体层之上，第二接触电极位于第二半导体层之上，其中，俯视来看，各发光结构的第二接触电极具有四个边，四个边在一个环绕方向上依次定义为第一边、第二边、第三边和第四边，第一接触电极至少围住四个边中的三个边。借此设置，可以改善高压紫外发光二极管的光衰特性和电光转换效率，提升紫外发光二极管的可靠性，加强杀菌消毒能力。
- 高压紫外发光二极管发光装置
- [发明专利]氮化物半导体发光元件-CN202280016199.X在审
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山田智也
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旭化成株式会社
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2022-03-23
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2023-10-20
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H01L33/38
- 本发明提供能够在不招致驱动电压增加、制造工序增加的情况下抑制电流集中的氮化物半导体发光元件。氮化物半导体发光元件(1)具备：n型电极(15a～15e)，其以与第1氮化物半导体层(11)接触的接触界面成为沿第1方向(L1)延伸的第1接触区域(151a～151e)的方式配置；以及p型电极(16a、16c)，其以与第2氮化物半导体层(13)接触的接触界面成为沿第1方向(L1)延伸的第2接触区域(161a、161c)的方式配置，第1接触区域(151a～151e)的外周线中的与第1方向(L1)平行的线段(151a3、151b1、151c3、151d1)的长度比第2接触区域(161a、161c)的外周线中的与第1方向(L1)平行且与第1接触区域(151a～151d)相对的线段(161a1、161a3、161c1、161c3)的长度短。
- 氮化物半导体发光元件
- [发明专利]发光元件-CN202310352591.8在审
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陈昭兴;林羿宏;洪千雅
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晶元光电股份有限公司
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2023-04-04
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2023-10-17
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H01L33/38
- 本发明公开一种发光元件，包含一基板；一第一半导体层以及一半导体平台位于第一半导体层上，半导体平台包含一第二半导体层，以及一活性层位于第一半导体层与第二半导体层之间；多个开口穿过半导体平台以露出第一半导体层；多个第一电极分别位于多个开口中的第一半导体层上而未覆盖半导体平台；一第二电极位于第二半导体层上而未覆盖位于多个开口中的第一半导体层；多个第一电极垫仅位于多个开口中的第一半导体层上而未覆盖半导体平台；以及一第二电极垫仅位于半导体平台上而未覆盖位于多个开口中的第一半导体层，其中多个第一电极垫的一第一表面高于第二电极垫的一第二表面，且第一表面与第二表面之间包含一阶差小于2μm。
- 发光元件
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