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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器装置及其制造方法-CN201810512816.0有效
发明人：颜英竹;张维哲 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G11C21/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种存储器装置及其制造方法，其中存储器装置的制造方法，该方法包含形成氧化物层于半导体基底上，形成隔离结构于半导体基底和氧化物层中，隔离结构定义出主动区，形成字线和位线于半导体基底中，其中位线位于字线上方，移除氧化物层，形成凹陷部位于隔离结构与位线之间，以及形成储存节点接点于凹陷部内。此外，由俯视观之，存储器装置包含的储存节点接点与相对应的主动区重叠。
存储器装置及其制造方法

[实用新型]具有防水功能的自行车导航仪-CN201220364254.8有效
发明人：戎海峰;代纪元;周建威 -专利权人：广东远峰电子科技有限公司
申请日： 2012-07-25 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： G11C21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有防水功能的自行车导航仪，可用于自行车导航仪，该自行车导航仪包括壳体，所述壳体内安装有显示屏、操作按键、蓄电池和电路板，所述壳体包括第一壳和第二壳，所述第一壳与所述第二壳密封卡合并形成安装所述显示屏、操作按键、蓄电池和电路板的容纳腔，且所述第一壳包括形成所述容纳腔的硬壳和一体成型于所述硬壳外的软壳，所述硬壳上开设有与所述操作按键相对应的按键孔，所述软壳相对于所述按键孔的位置形成有无缝按键，所述操作按键穿过所述按键孔并位于所述无缝按键内，使得整个第一壳上没有因按键产生的开口，防水密封性能好。
具有防水功能自行车导航

[发明专利]循序式存储器及其存取方法-CN200710199165.6有效
发明人：陈张庭;陈重光 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-12-18 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： G11C21/00 文献下载
摘要：一种循序存取存储器的方法，应用于存储器，存储器具有m+1条位线及至少一行晶体管，m为正整数。该方法包括，首先，于预放电周期，使得晶体管的第一端及第二端的电压电平均为地电压。接着，于第n读取周期，转换第n个晶体管的第一端的电压电平为源极电压，第二端的电压电平为漏极电压，转换第n+1个晶体管的第二端的电压电平为隔离电压，n为小于m的正整数。之后，于第m读取周期，转换第m个晶体管的第一端的电压电平为源极电压，第二端的电压电平为漏极电压。其中，源极电压相等于地电压。
循序存储器及其存取方法

[发明专利]具有多个行地址选通信号的半导体存储装置-CN92112631.X无效
发明人：崔润浩;Ｅ·Ｕ·哈克;陈大济;赵秀仁 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1992-10-31 - 公布日： 2002-01-23 - 主分类号： G11C21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一半导体存储装置，特别是一通过向芯片施加多个行地址选通信号而用以完成高速数据存取操作的动态随机存取存储器。多个行地址选通信号被加至多个管脚，且每一行地址选通信号在一数据存取操作期间被依次加以一激发信号。因而，多个存储单元阵列中的数据在一个存取周期时间内进行存取。这样，由于提供了大量随机数据，数据存取时间变得更快且系统特性能得到大的改进。$#!
具有多个行地址通信半导体存储装置

[发明专利]半导体存储器件-CN98100465.2无效
发明人：杉林直彦 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-02-27 - 公布日： 1998-10-14 - 主分类号： G11C21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体存储器件,其中减少了由于存在缺陷位线所致的存储区域。在双字线系统的DRAM中,当在某个块中存在缺陷字线103时,仅有缺陷位线103所属的块的右或左部分中的存储区域104无效,另一侧上的区域有效。在这种情况中,借助地址转换电路,通过转换行地址的最高位和列地址的最高位,构成有效存储区组。
半导体存储器件

[发明专利]故障随机存取存贮器的再利用方法-CN93109336.8无效
发明人：沈明东 -专利权人：沈明东
申请日： 1993-08-05 - 公布日： 1996-10-23 - 主分类号： G11C21/00 文献下载
摘要：本发明为一种故障随机存贮器的再利用方法，它是用两个三态门分别寻找出损坏在左半区、右半区的DRAM，开关的输出端接有DRAM，输入端接有可使能此DRAM的信号，控制端则接有此DRAM的最高位地址信号；另有两个可被高电位及低电位触发导通的三态门，可被高电位触发导通的三态门的输出端接有内部损坏在左侧的DRAM，而可被低电位触发导通的三态门的输出端接有内部损坏在右侧的DRAM。
故障随机存取存贮器再利用方法

[发明专利]寄存器电路-CN94115387.8无效
发明人：寿国梁;高取直;山本诚 -专利权人：株式会社鹰山;株式会社夏普
申请日： 1994-09-16 - 公布日： 1996-02-21 - 主分类号： G11C21/00 文献下载
摘要：通过保持电路或连结到量化电路上反馈电路保持量化电压，使得多值电压得以寄存。在另一实施例中有阶梯式阈值的双稳态电路的输出同通过耦合电容权重相加。
寄存器电路

[发明专利]动态随机存取存储器-CN94101103.8无效
发明人：前田敏夫 -专利权人：株式会社日立制作所;日立工程设备株式会社
申请日： 1994-01-18 - 公布日： 1994-11-09 - 主分类号： G11C21/00 文献下载
摘要：一种在一个半导体基片上形成的半导体集成电路器件，包括多个动态存储器单元和一个振荡电路，该振荡电路用来对每个所述动态存储器单元进行刷新操作，其中所述半导体集成电路器件具有一个控制装置，该装置用来在供给所述半导体集成电路的电压发生变化时控制所述刷新操作的刷新周期，使所述刷新周期产生变化。
动态随机存取存储器

[发明专利]动态RAM及使用该RAM的信息处理系统-CN94100573.9无效
发明人：梶谷一彦;高桥继雄;大一义;中村正行;大鸟浩;松本哲郎;河原尊之 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1994-01-24 - 公布日： 1994-09-28 - 主分类号： G11C21/00 文献下载
摘要：一种采用对成对MOSFET特性偏差进行补偿的读出放大器的动态RAM，位线的寄生电容至少是存储单元的电容的20倍。每根位线被开关MOSFET分成两部分，需要时可以断开。电路中提供了许多组存储器矩阵，每一组包括一个开关MOSFET，用于互连与读出放大器相连的公共源极线，因此在它们之间可以对公共源极线进行循环充电。
动态 ram 使用信息处理系统

[实用新型]高可靠随机存储器数据保护器-CN93200196.3无效
发明人：李兰兰;孙华;付卓;肖钢 -专利权人：中国中医研究院基础理论研究所;李兰兰
申请日： 1993-01-08 - 公布日： 1994-02-23 - 主分类号： G11C21/00 文献下载
摘要：一种高可靠随机存储器数据保护器由外壳、包含三极管二极管和可充电池的电源变换电路、包含两个电压比较器和分压支路阻容延迟支路的监测保护电路组成。掉电时随机存储器由电池供电并处保持状态，监测保护电路输出的片选控制信号可使随机存储器在上下电过程中当系统电源低于正常值时迅速自锁，避免产生误动作，从而保护其中的数据。本实用新型适用于数字系统中的随机存储器数据保护。
可靠随机存储器数据保护

[发明专利]数据传输电路-CN92112356.6无效
发明人：柳承汶 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1992-10-24 - 公布日： 1993-05-26 - 主分类号： G11C21/00 文献下载
摘要：一种数据传输电路，当在数据读操作之后执行数据写操作时，通过抑制直流电流的产生，以高速处理数据输入/输出。数据传输电路具有一个共用输入/输出线、用于传感位线间电位差的传感晶体管电路、用于接收数据的输入晶体管电路以及用于处理数据的输出晶体管电路。共用输入/输出线在数据写操作期间绝缘于输入晶体管电路和传感晶体管电路。
数据传输电路

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