“G02B6/036”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果617个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种G.654.E光纤及其制备方法-CN202310859573.9在审
发明人：劳雪刚;陈浩;鞠磊;王友兵;田国才 -专利权人：江苏亨通光导新材料有限公司;江苏亨通光电股份有限公司;江苏亨通光纤科技有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本发明公开了一种G.654.E光纤及制备方法，所述光纤包括复合芯层、包覆在复合芯层外的过渡层、包覆在过渡层外的外包层，其特征在于：所述复合芯层包括从内到外设置的芯层、第一内包层、第二内包层以第一外包层，所述包覆在过渡层外的外包层作为第二外包层；所述芯层为锗氟及碱金属共掺石英玻璃材质，碱金属掺杂浓度为10～200ppm。本发明的光纤截止波长、模场直径、损耗系数、色散等综合性能参数在应用波段良好，可满足G.654.E光纤标准。本发明的光纤截止波长、模场直径、损耗系数、色散等综合性能参数在应用波段性能优越，可满足G.654.E光纤标准。
一种 654.光纤及其制备方法

[发明专利]一种低损耗光纤及其制作方法-CN202310889523.5在审
发明人：陆健红;李庆国 -专利权人：杭州富通通信技术股份有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本申请公开了低损耗光纤及其制备方法，其中，低损耗光纤包括：芯层；第一包层，包覆在芯层的外侧，芯层和第一包层之间形成有芯包应力区；第二包层，包覆在第一包层的外侧，第一包层具有位于第一包层外侧的第二包层应力层以及位于第二包层应力层外侧的第二包层本体层，第二包层应力层用于对第一包层施加向内的压应力来抵消或部分抵消芯包应力区对芯层的影响，从而降低损耗。本申请在制作第二包层时增加一个第二包层应力层，通过该第二包层应力层能够对第一包层施加向内的压应力来抵消或部分抵消芯包应力层对芯层的影响，从而减少结构应力对光纤损耗的影响。
一种损耗光纤及其制作方法

[实用新型]一种光纤结构-CN202223604797.5有效
发明人：苗效方;李立波;闫大鹏 -专利权人：武汉锐科光纤激光技术股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光纤结构，其中，上述光纤结构包括：一个或者多个第一环形光纤，一个或者多个第二环形光纤，内纤芯和光纤包层，其中，所述一个或者多个第一环形光纤和所述一个或者多个第二环形光纤交替分布在所述内纤芯与所述光纤包层之间，所述第一环形光纤是折射率为第一折射率的环形光纤，所述第二环形光纤是折射率为第二折射率的环形光纤。采用上述技术方案，解决了相关技术中，提升激光器输出功率的效率较低等问题。
一种光纤结构

[发明专利]一种低衰减少模光纤-CN202310817759.8在审
发明人：许硕;王棚栓;张磊;沈磊;杨柳波;张黎;龚先超 -专利权人：长飞光纤光缆股份有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本发明属于光纤技术领域，公开了一种低衰减少模光纤，本发明中芯层为三层，芯层外依次包覆内包层、下陷包层和外包层；第一芯层的半径R1为2～3.2μm，相对折射率差△1为0.3～0.6％；第二芯层的半径R2为5～8μm，相对折射率差△2为0.6～1.2％；第三芯层的半径R3为7～10μm，相对折射率差△3为0.4～0.8％；三芯层的相对折射率差呈阶跃型，且相对折射率差满足△1＜△3＜△2；内包层的半径R4为12～15μm，相对折射率差△4为‑0.2％～0.1％；下陷包层的半径R5为16～19μm，相对折射率差△5为‑1.0％～‑0.5％；外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明不仅衰减低，而且综合性能好。
一种衰减光纤

[发明专利]超低损耗光纤及其制备方法-CN202310905845.4有效
发明人：油光磊;王震;杨郭杰;郭雨凡;徐海涛;曹珊珊;刘志忠 -专利权人：中天科技光纤有限公司;江东科技有限公司;江苏中天科技股份有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本申请提供一种超低损耗光纤及其制备方法。光纤包括：芯层的半径宽度R0的范围为4.2μm至4.8μm，芯层的最大相对折射率差△1max的范围为0.2%至0.3%；内包层包覆于芯层的外侧，内包层的外半径为R1，内包层的宽度R1‑R0的范围为4.0μm至4.3μm，内包层的最小相对折射率差△2min的范围为‑0.25%至‑0.3%；凹陷包层的宽度范围为30μm至40μm，凹陷台阶层的宽度大于深凹陷层的宽度，凹陷平台层的宽度大于凹陷台阶层的宽度；外包层包覆于凹陷包层的外侧。超低损耗光纤对应的1550nm波长衰减系数小于或等于0.170dB/km，超低损耗光纤对应的1480nm波长衰减系数小于或等于0.210dB/km。本申请的超低损耗光纤具有不大于1400nm的光缆截止波长，满足G.654.C光纤标准，优选光缆截止波长≤1260nm，满足G.652光纤标准。
损耗光纤及其制备方法

[发明专利]特种光纤、激光器及激光加工系统-CN202310728832.4有效
发明人：蒋峰;请求不公布姓名;张显廷;张心贲;杨德权;雷剑 -专利权人：深圳市创鑫激光股份有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本发明涉及光学元器技术领域，提供一种特种光纤、激光器及激光加工系统，特种光纤包括纤芯以及第一二氧化硅层、角谱筛选层和波导层等多包层结构，使该特种光纤可以实现MOPA结构，可满足更高功率的复合输出，使输出的复合光斑的中心区域的光斑能量能够在信号光功率的基础上获得进一步地放大，可以提高复合光斑的中心区域的功率，降低对谐振腔输出的激光的要求。而且，由于环形区域可实现高亮度的光斑输出，可以避免整机光路的环形发散角的进一步变大，进而可以避免外环光传输过程中对空间光学器件的加热风险，降低对空间光路器件的损伤风险，不仅实现了MOPA结构和复合光斑输出的结合，还降低了光路的复杂度。
特种光纤激光器激光加工系统

[发明专利]一种弱耦合低损耗少模光纤及其制作方法-CN202310040097.8在审
发明人：柯一礼;李伟;杜城;张凯棋;米凯峰 -专利权人：锐光信通科技有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本申请涉及一种弱耦合低损耗少模光纤及其制作方法，其包括：沿径向从内至外设置的内芯层、外芯层、匹配包层、下陷包层和外包层，下陷包层为掺氟的二氧化硅玻璃层，外包层为纯二氧化硅玻璃层，内芯层、外芯层和匹配包层中氟的含量依次升高，外芯层和匹配包层中锗的含量均大于内芯层中锗的含量。本申请提供的弱耦合低损耗少模光纤通过控制内芯层、外芯层和匹配包层的掺杂氟元素的含量，实现由内至外升高的梯度掺氟变化，优化了多层结构造成的界面应力，实现低损耗，通过高流量锗氟共掺的方式减小了外芯层和下陷包层之间由高掺锗到高掺氟的粘度失配，匹配包层和外包层之间增加下陷包层的结构设计，抑制了基模截止问题，使光纤具有低的差分模群时延。
一种耦合损耗光纤及其制作方法

[发明专利]弱耦合少模光纤逆向实现方法-CN202010320689.1有效
发明人：杜江兵;何祖源;何枝琴;陈心怡;沈微宏 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：一种弱耦合少模光纤逆向实现方法，以扫描得到的多环型少模光纤的数值仿真结果作为少模光纤数据集，并以可传输模式数量与需优化模式数量相同为条件选取目标所需数据集设置神经网络模型并进行训练，再针对少模光纤的弱耦合需求设置神经网络的优化目标，即以有效折射率数值作为输入，输出光纤的折射率阶跃分布结构参数的预测值；最后通过将预测值与优化目标比对，实现少模光纤结构的逆向优化。本发明实现了最小相邻模式/模群有效折射率差的最大化，光纤传输的模式最小有效折射率差可达到10‑3以上，当神经网络训练好，就可以快速预测出光纤的结构参数，具有高效性、高精确度的特点，能够应用在少模光纤模分复用中，满足弱耦合传输需求。
耦合光纤逆向实现方法

[发明专利]双包层氟化物增益光纤及其制备方法-CN202311069110.9在审
发明人：李平雪;姚传飞;任国川;李凯航 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：双包层氟化物增益光纤及其制备方法，具有低损耗、高泵浦吸收效率。这种双包层氟化物增益光纤，其包括：纤芯（12）、D型内包层（13）、外包层（14）和聚合物涂覆层（15），所述纤芯、内包层和外包层均为氟化物玻璃材料，所述聚合物涂覆层为氟化乙烯丙烯共聚物。纤芯、内包层结构采用吸注法制备，并将内包层抛磨为D型结构，外包层采用插芯浇筑法制备，形成D型双包层氟化物光纤预制棒，并拉制成光纤。
包层氟化物增益光纤及其制备方法

[发明专利]一种细径单模光纤-CN202210681648.4有效
发明人：罗文勇;耿皓;喻煌;吴海波;陈保平;胡古月;廖伟章;黄非;黄志凌;祁庆庆;邵帅 -专利权人：烽火通信科技股份有限公司;烽火藤仓光纤科技有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本申请涉及一种细径单模光纤，包括沿径向由内到外依次设置的掺锗芯层、第一过渡包层、第二过渡包层和外石英包层；所述第一过渡包层的折射率小于掺锗芯层的折射率，且大于第二过渡包层的折射率；沿径向由内到外，所述第一过渡包层的相对折射率差呈第一多项式线形下降，所述第二过渡包层的相对折射率差呈第二多项式线形下降。在掺锗芯层的周围设计了相对折射率差呈第一多项式线形下降的第一过渡包层和相对折射率差呈第二多项式线形下降的第二过渡包层，从而形成双平滑过渡包层的波导结构，加强细径光纤抵抗外界的干扰能力，并实现掺锗芯层与外石英包层之间的平滑过渡，减少芯包间应力，降低光纤内部因应力造成的微裂纹，从而提升其长期可靠性。
一种单模光纤

[发明专利]一种高模式数量且弱耦合的少模光纤-CN202110996123.5有效
发明人：彭楚宇;喻煌;郭浩;曲斌;郭君;刘旋 -专利权人：烽火通信科技股份有限公司;烽火藤仓光纤科技有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本申请涉及一种高模式数量且弱耦合的少模光纤，其包括由内到外依次设置的椭圆芯层、椭圆环形芯层、椭圆环形下陷包层和外包层；在所述椭圆环形下陷包层上设有两个空气孔，两个所述空气孔关于所述椭圆环形芯层的短轴轴对称；在所述椭圆芯层、椭圆环形芯层和椭圆环形下陷包层中，三者的中心大致重合，三者的长轴位于同一直线上，三者的短轴位于同一直线上；所述椭圆芯层与所述椭圆环形芯层的折射率剖面的形状均为水平直线形；所述椭圆芯层的折射率小于所述椭圆环形芯层的折射率。本申请能够解决相关技术中光纤可用的模式数量较少，远不能满足长距离大容量扩容的需求的问题。
一种模式数量耦合光纤

[发明专利]光波导、光通信设备、光通信方法和光通信系统-CN202180090638.7在审
发明人：森田宽;尾山雄介;鸟羽一彰;山本真也 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本发明使得能够缓和非对准的精度以降低成本，并抑制模间传播延迟差以使得能够进行信号的高质量传输。在该光波导中，在第一波长下仅传播基模并且在第二波长下能够传播基模以及至少一阶模。在光波导中，纤芯和包层的折射率分布被控制为使得，当使用第二波长的光执行通信时，模间传播延迟差等于或低于预定阈值，例如使得模间传播延迟差等于零。例如，第一波长为1310nm波段并且第二波长为850nm波段。
波导光通信设备方法系统

[发明专利]光纤-CN202180085812.9在审
发明人：寒河江悠途;松井隆;中岛和秀 -专利权人：日本电信电话株式会社
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本发明提供一种光纤。本发明的目的在于通过通用的折射率分布结构实现能够应用于MS‑CPE传输方式的主信道的低延迟芯。本发明的光纤是单模光纤，具有SI型折射率分布结构，相对于芯区域折射率的包层区域相对折射率差Δ(％)、芯区域的半径a(μm)、以及主信道与从信道的群延迟时间差Δτ满足“数学式19”和“数学式20”，或者具有W型折射率分布结构，模场直径MFD为9.5～10.1μm，低折射率层相对于芯的相对折射率差Δ1(％)、包层区域相对于芯的相对折射率差Δ2(％)、芯半径a1、以及主信道与从信道的群延迟时间差Δτ满足“数学式41”。
光纤

[发明专利]一种多芯光纤-CN202210763137.7有效
发明人：田凤;忻向军;王浩哲;张琦;姚海鹏;高然;胡鹏;王瑞春;王光全;田清华;王拥军 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本发明提供一种多芯光纤，包括环形层和包层，其中多个环形层依次分布于半径不同的同心圆上，且半径更大的同心圆包裹在半径更小的同心圆的外侧，任意一个环形层上的多个核芯为同质核芯，任意一个环形层上的核芯与其他环形层上的核芯为异质核芯，根据环形层所在的同心圆位置的不同，具有较高折射率核芯的环形层分布于半径更大的同心圆上，具有较低折射率核芯的环形层分布于半径更小的同心圆上。本发明提供的多芯光纤结构能够使得多芯光纤在传输光信号时的芯间串扰、弯曲损耗以及差分模式时延较低，进而解决现有的多芯光纤存在的传输质量较低的问题。
一种光纤

[发明专利]单模光纤及单模光纤的制备方法-CN202310613527.0在审
发明人：杨郭杰;曹珊珊;刘羽航;朱钱生;王震;油光磊 -专利权人：中天科技光纤有限公司;江东科技有限公司;江苏中天科技股份有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本申请提供一种单模光纤及单模光纤的制备方法，具体地，单模光纤由中心至外周依次包括：芯层、内包层、第一下陷包层、第二下陷包层以及外包层；其中，芯层相对外包层的折射率与半径呈负向关；内包层相对外包层的折射率与半径呈负向关，内包层的外边界的折射率小于外包层的折射率；第一下陷包层的折射率小于第二下陷包层的折射率；第二下陷包层的折射率小于外包层的折射率。应用本申请的技术方案能够有效地解决单模光纤在C+L波段的衰减系数差异大的问题。
单模光纤制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 617 条