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[发明专利]一种多晶硅抛光液及其制备方法-CN202311005529.8在审
发明人：惠宏业;姚力军;万旭军;朱海青 -专利权人：宁波平恒电子材料有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅抛光液及其制备方法，所述多晶硅抛光液包括以下原料：有机碱1‑5％；促进剂1‑5％；硅溶胶10‑50％；杀菌剂0.01‑1％；余量为水；所述硅溶胶所含单种金属离子的含量≤0.1ppm。本发明提供的抛光液通过有机碱、促进剂、硅溶胶和杀菌剂的相互配合，能够提高多晶硅与二氧化硅的选择比，保护芯片中的电路，并且采用单种金属离子含量≤0.1ppm的硅溶胶，能够降低产品表面金属离子的残留，避免高压时击穿芯片。
一种多晶抛光及其制备方法

[发明专利]一种集成电路铜化学机械抛光组合物及其制备方法、用途-CN202310523057.9在审
发明人：张兵;牟健 -专利权人：深圳市拉达特科技有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，尤其涉及一种集成电路铜化学机械抛光组合物及其制备方法、用途。该抛光组合物按重量份数计由以下原料组成：纳米研磨粒子3～5份、高铈氧化剂0.1～5.0份、金属络合剂或金属螯合剂0.01～2.0份、表面活性剂0.01～5.0份。本发明以高铈为氧化剂取代现用的双氧水，以氧化硅及氧化铈复合物为研磨粒子，控制硅铈比使金属层和介质层的研磨速率达到平衡，解决现有铜互连化学机械抛光过程中铜与介质层去除率不平衡所造成的碟陷。
一种集成电路化学机械抛光组合及其制备方法用途

[发明专利]一种单晶硅精抛液及制备方法-CN202310743059.9在审
发明人：贺兆波;罗月;叶瑞;张庭;邹哲敏;姜飞;冯凯;崔会东;王书萍;严凡 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅精抛液及制备方法，该硅片精抛液由咪唑改性的高纯硅溶胶、渗透剂和成膜剂、表面活性剂、pH调节剂和超纯水组成，各组分所占的质量百分比为：0.5%～20%的咪唑改性的高纯纳米硅溶胶、0.01～1%的螯合剂、0.01%～0.5%的渗透剂，0.001%～0.5%的成膜剂、0.01%～5%的pH调节剂、余量的超纯水。其中咪唑改性的高纯硅溶胶不仅能提高硅溶胶的分散性，而且能减弱硅溶胶与硅片之间的静电斥力，显著地提高硅片的抛光速率；在渗透剂和成膜剂的共同作用下，本发明的精抛液不仅抛光速率高达550 nm/min，且抛光后硅片表面沾污颗粒极少，表面没有划痕和凹陷，表面状态良好。同时本发明精抛液的金属杂质离子控制在10 ppb以下，符合高端集成电路中单晶硅的精抛要求。
一种单晶硅精抛液制备方法

[发明专利]一种用于碳化硅晶片加工的粗磨液及其制备方法-CN202311005526.4在审
发明人：惠宏业;姚力军;万旭军;朱海青 -专利权人：宁波平恒电子材料有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于碳化硅晶片加工的粗磨液及其制备方法，所述粗磨液包括溶液A和溶液B；以质量百分含量计，所述溶液A包括以下原料：氧化铝5‑15％；分散剂0.1‑5％；氧化剂0.5‑10％；杀菌剂0.001‑1％；余量为水；以质量百分含量计，所述溶液B包括以下原料：促进剂0.1‑5％；杀菌剂0.001‑1％；余量为水。所述制备方法包括先制备溶液A和溶液B，然后再将溶液A和溶液B混合，得到粗磨液。本发明提供的粗研磨液不仅去除速率高，而且表面抛光效果好，并且可以循环使用。
一种用于碳化硅晶片加工粗磨液及其制备方法

[发明专利]一种汽车上光蜡的制备方法-CN202310940565.7在审
发明人：李毅;孟庆龙;许雷标 -专利权人：苏州海迈汽车防护材料有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C09G1/12 文献下载
摘要：本发明涉及汽车上光蜡领域技术领域，尤其是一种汽车上光蜡的制备方法，上光蜡的组合分及其质量百分比如乳化蜡30‑45％，氨基硅油25‑30％、抗静电剂5‑7％、光亮剂4‑6％、抗紫外剂0.6‑1.2％、防腐剂0.5‑0.8％、矿物油16‑19％、1.9‑3％聚环氧乙烷、三硬脂酸甘油酯2‑3％，与现有的技术相比，本发明的汽车上光蜡的附着性、摩擦性、滑性及粘度硬度进行有效的良好提升，便于提高上光蜡的使用持久性，通过抗静电剂有效的提高了抗静电效果，且同通过光亮剂进一步的增加了上光蜡的光亮度，提高了其使用效果，且通过抗紫外剂，增加了上光蜡的的抗UV效果，便于对汽车表面油漆进行有效的防护，通过苯甲酸钠材料的防腐剂，有效的对车漆进行防腐蚀保护。
一种汽车上光制备方法

[发明专利]用于化学机械抛光的抛光组合物及其制备方法、用途-CN202310888528.6在审
发明人：张兵;牟健 -专利权人：深圳市拉达特科技有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造用化学试剂的领域，具体公开一种用于化学机械抛光的抛光组合物及其制备方法、用途。该抛光组合物按重量份数计由以下原料组成：氧化铈颗粒0.05～2.0份、水溶性共聚物0.001～10份、分散剂0.007～3份。本发明提供的抛光组合物，氮化硅薄膜的去除率保持在较低水平，同时氧化硅薄膜有足够高的去除率，该抛光组合物适用于在半导体器件制造工艺中STI结构的高度平坦化。
用于化学机械抛光抛光组合及其制备方法用途

[发明专利]一种油性金刚石抛光液、其制备方法及用途-CN202211298553.0有效
发明人：侯军;孙西;李传强 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种油性金刚石抛光液、其制备方法及用途。本发明油性金刚石抛光液包括重量配比如下的各组分：金刚石磨料0.1‑1份；油性剂70‑90份；润滑剂2‑15份；分散剂0.5‑5份；润湿剂0.1‑2份；螯合剂0.1‑2份。所述金刚石磨料为类多晶、多晶、单晶和聚晶中的两种或多种混合磨料。所述油性剂为烷烃与矿物油的混合物。本发明还公开了油性金刚石抛光液的制备方法，及其在蓝宝石抛光领域的用途。本发明油性金刚石抛光液安全、环保、高效，对蓝宝石衬底无腐蚀。在相同磨料下，本发明油性金刚石抛光液与水性抛光液相比较，具有较高的移除率以及较低的粗糙度。
一种油性金刚石抛光制备方法用途

[发明专利]研磨用组合物、研磨方法及半导体基板的制造方法-CN202010951611.X有效
发明人：前僚太;大西正悟 -专利权人：福吉米株式会社
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及研磨用组合物、研磨方法及半导体基板的制造方法。本发明所述的研磨用组合物包含磨粒、碱性无机化合物、阴离子性水溶性高分子和分散介质；前述磨粒的zeta电位为负，前述磨粒的长径比超过1.1，在利用激光衍射散射法求出的前述磨粒的粒径分布中，从微粒侧起的累积颗粒质量达到总颗粒质量的90％时的颗粒的直径D90与从微粒侧起的累积颗粒质量达到总颗粒质量的50％时的颗粒的直径D50的比D90/D50超过1.3。
研磨组合方法半导体制造

[发明专利]半导体工艺用组合物和使用其的半导体器件的制造方法-CN202310384103.1在审
发明人：洪承哲;明康植;朴韩址;韩德洙;崔容寿 -专利权人： SK恩普士有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：提供一种半导体工艺用组合物和使用其的半导体器件的制造方法等。本实施方式的半导体工艺用组合物包括抛光颗粒和凹陷控制添加剂。所述凹陷控制添加剂包括第一凹陷控制添加剂和第二凹陷控制添加剂。所述第一凹陷控制添加剂包括具有甜菜碱基和水杨基的化合物或其衍生物，所述第二凹陷控制添加剂包括唑类化合物。基于100重量份的所述抛光颗粒，所述第一凹陷控制添加剂的含量为0.07重量份以上，基于100重量份的所述抛光颗粒，所述第二凹陷控制添加剂的含量为0.13重量份以下。根据本实施方式，可以更有效地执行抛光工艺，并且在对在外部暴露有多个不同膜质的表面进行抛光时，可以实现平坦抛光的表面而没有各个膜质之间的厚度偏差。
半导体工艺组合使用半导体器件制造方法

[发明专利]半导体工艺用组合物和基板的抛光方法-CN202310384135.1在审
发明人：韩德洙;洪承哲;朴韩址;金桓铁;李亨株 -专利权人： SK恩普士有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺用组合物和基板的抛光方法。所述半导体工艺用组合物包括：抛光颗粒，用氨基硅烷类化合物进行表面改性；铜腐蚀抑制剂，包含唑类化合物；铜表面保护剂，包含具有甜菜碱基和水杨基的化合物或其衍生物；及表面活性剂，在分子中含有氟；经过表面改性的所述抛光颗粒的表面具有氨基硅烷基团。根据本实施方式，可以更有效地进行抛光工艺，尤其，在适用于具有穿通电极的基板的抛光工艺时，可以使凹陷、腐蚀及突起等缺陷最小化。并且，在抛光在外部暴露有多个不同膜质的表面时，可以实现平坦抛光结果而没有各个膜质之间的厚度偏差。
半导体工艺组合抛光方法

[发明专利]用于进行材料去除操作的组合物和方法-CN202080061122.5有效
发明人：富琳;贾森·A·舍洛克;隆·于伊·布维;道格拉斯·E·沃德 -专利权人：圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本公开提供一种适合于对基材进行化学机械抛光的组合物，所述组合物可包含磨料颗粒、多价金属硼酸盐、至少一种氧化剂和溶剂。所述组合物能够以高材料去除率和非常光滑的表面光洁度对基材进行抛光。
用于进行材料去除操作组合方法

[发明专利]表面处理组合物-CN202310312112.X在审
发明人：德岛荣至;吉野努 -专利权人：福吉米株式会社
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C09G1/18 文献下载
摘要：本发明涉及表面处理组合物。本发明提供能够充分地去除残留于完成了研磨的研磨对象物表面的残渣的方法。本发明提供一种表面处理组合物，其包含下述(A)成分和(B)成分、且pH为8.0以上，(A)成分：具有含有含氮季鎓盐的结构单元或下述结构(X)的结构单元的高分子；(B)成分：式R‑COO‑NH4+所示的缓冲剂。#imgabs0#
表面处理组合

[发明专利]表面处理组合物、表面处理方法、和半导体基板的制造方法-CN202310312118.7在审
发明人：德岛荣至;吉野努 -专利权人：福吉米株式会社
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C09G1/18 文献下载
摘要：本发明为表面处理组合物、表面处理方法、和半导体基板的制造方法。本发明提供能够充分地去除残留于完成了研磨的研磨对象物表面的残渣的手段。本发明的表面处理组合物包含下述(A)～(C)成分、且pH超过7.0。(A)成分：具有碳数7以上的直链或支链的烷基和碳数7以上的直链或支链的烯基中的至少1者的含氮季鎓盐化合物；(B)成分：非离子性高分子；(C)成分：由式A‑COO‑NH4+所示的缓冲剂。
表面处理组合方法半导体制造

[发明专利]抛光液及其制备方法、抛光方法、抛光装置-CN202310691792.0在审
发明人：陆继果;汪良;苏双图;张洁 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C09G1/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种抛光液及其制备方法、抛光方法、抛光装置，抛光液为无磨料抛光液，抛光液包括如下组分：电解液、氧化剂、光亮剂、平整剂、pH调节剂和水，其中，光亮剂用于提高待抛光件表面的光亮度，平整剂用于降低待抛光件表面的粗糙度。光亮剂和平整剂的加入，使得待抛光件的表面更均匀，且增加了光亮度和平整度，减少待抛光件表面的划伤。
抛光及其制备方法装置

[发明专利]一种掺杂金属纳米颗粒的单晶金刚石抛光液及其制备方法-CN202310840454.9在审
发明人：黄永庆;曾皇铭;李柏林 -专利权人：深圳市朗纳研磨材料有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂金属纳米颗粒的单晶金刚石抛光液，其原料按重量份包括：单晶金刚石微粉50‑150份，金属纳米颗粒10‑30份，分散二氧化硅微球5‑10份，氧化石墨烯15‑30份，润湿剂1‑2份，表面活性剂1‑2份，防锈剂1‑2份，消泡剂1‑2份，黏度调节剂1‑2份，质量分数为26‑30％的双氧水溶液1000‑4000份，浓度为0.1‑1mol/L的硫酸铁溶液0.1‑10份。其中分散二氧化硅微球以水杨酸钠和十六烷基三甲基溴化铵为结构导向剂，以三乙醇胺为催化剂，将正硅酸乙酯水解后胶束自组装，再经煅烧得到。本发明公开了上述掺杂金属纳米颗粒的单晶金刚石抛光液制备方法。
一种掺杂金属纳米颗粒金刚石抛光及其制备方法

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