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[发明专利]碳量子点的制造方法-CN202280016841.4在审
发明人：高桥裕佳;坂部宏;石津真树;葛尾巧 -专利权人：株式会社吴羽
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种通过简便的过程来制造发光量子产率高的碳量子点的方法。解决上述技术问题的碳量子点的制造方法具有：将含有硼、硫、或磷并且在1个大气压、25℃下为固体，具有结晶性的结晶性化合物与具有反应性基团的有机化合物混合，制备混合物的工序；以及以实质上无溶剂的方式将所述混合物加热至100℃以上且300℃以下，制备碳量子点的工序。所述混合物中的所述结晶性化合物的量相对于所述有机化合物的量100质量份为45质量份以上且1000质量份以下。
量子制造方法

[发明专利]碳量子点的制造方法-CN202280018016.8在审
发明人：高桥裕佳;石津真树;坂部宏;葛尾巧 -专利权人：株式会社吴羽
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种通过简便的过程来制造发光量子产率高的固体状的碳量子点的方法。解决上述技术问题的碳量子点的制造方法为在25℃、1个大气压下为固体的碳量子点的制造方法，其包括：将具有反应性基团且不含硼原子的有机化合物与硼化合物混合，制备混合物的工序；以及以实质上无溶剂的方式将所述混合物加热至100℃以上且300℃以下，制备碳量子点。所述有机化合物中的氮原子的量为20质量％以上，所述硼化合物的量相对于所述有机化合物和所述硼化合物的总量为20质量％以上。
量子制造方法

[发明专利]硅纳米球探针制造高性能纳米线器件和界面提升方法-CN202310608577.X在审
发明人：胡欢;潘鑫;丁小蕾;乔宝石;徐杨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-05-27 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了硅纳米球探针制造高性能纳米线器件和界面提升方法，包括转移二维材料；对二维材料进行热退火，原子力显微镜接触模式扫描等；转移一维材料纳米线；原子力显微镜非接触模式定位纳米线位置；原子力显微镜控制模式旋转移动纳米线，使纳米线和二维材料特定区域接触；原子力显微镜力曲线模式依次扫描纳米线/二维材料接触区域；同时，该纳米球探针通过聚焦离子束仪器的高能氦离子束注入单晶硅表面，通过调节氦离子的注入电压、开关阀门的开启时间定量调控注入的离子剂量；本发明不会引入额外的污染物，并且可以定点、快速、精准处理材料表面，具有在纳米尺度的高度的可行性和可控性，对材料表面的损伤小，可以兼容于不同的器件制备工艺。
纳米探针制造性能器件界面提升方法

[发明专利]一种诱导损伤介电击穿固态纳米孔的制备方法和固态纳米孔器件-CN202310583779.3在审
发明人：袁志山;胡杰铭;林艳邦;王成勇 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及基因检测设备技术领域，具体涉及一种诱导损伤介电击穿固态纳米孔的制备方法和固态纳米孔器件。S1.将洁净的Si3N4薄膜芯片置于真空腔内，在Si3N4薄膜芯片表面进行辐照，使Si3N4薄膜表面诱导出损伤区；S2.将诱导了损伤区的Si3N4薄膜芯片清洗，随后载入液池腔室，采用介电击穿技术对损伤区进行介电击穿，得到固态纳米孔，该诱导损伤介电击穿固态纳米孔的制备方法能够限制纳米孔生成位置，且能提高成孔速度，实现在薄膜上原位快速制造固态纳米孔，具有方便快捷和可操性强的优点。
一种诱导损伤击穿固态纳米制备方法器件

[发明专利]基于纳米线阵列薄膜压力传感器的制备方法及压力传感器-CN202311109543.2在审
发明人：王峰;李卓;倪海彬 -专利权人：常州天策电子科技有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明专利涉及基于纳米线阵列薄膜压力传感器的制备方法及压力传感器，具有硅片、铂片、PET薄膜、旋涂机、光刻机和磁控溅射腔室；包括制备金纳米线阵列层的工艺步骤、制备PET保护层的工艺步骤、以及将金纳米线阵列层和PET保护层结合的工艺步骤，还包括传感器本体，传感器本体由一个金纳米线阵列层和两个PET保护层组成，PET保护层依次包括PVA气导层、碳浆层、银电极层和PET薄膜，金纳米线阵列层和各个PET保护层加热固定后，传感器本体的由中层至上下两端分别为金纳米线阵列层、PVA气导层、碳浆层、银电极层和PET薄膜。本发明结构巧妙，且可以适用各种场景，具有较好的测向性和灵敏度，高效实用。
基于纳米阵列薄膜压力传感器制备方法

[发明专利]一种新型InP纳米线阵列及其制备方法-CN202210617314.0有效
发明人：李国强;郭建森;曾庆浩;莫由天;刘红斌 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料领域，公开了一种新型InP纳米线阵列及其制备方法。本发明用压印模具在InP基板的纳米压印胶层进行压印，得到具有光栅线和掩模版图案的纳米压印胶掩模版InP基板，再用紫外光照射使所述掩模版图案覆盖的区域固化，并清洗干净，然后蒸镀无机薄膜，再用显影液进行清洗，保留了所需图案化的无机薄膜掩模版，再进行刻蚀，制备纳米线阵列结构，再将所述纳米线阵列结构顶部的无机薄膜去除，即得到新型InP纳米线阵列。本发明得到的纳米线阵列排列更加均匀有序，通过调整纳米线阵列的排列，可以实现对不同波长光的光工程管理，从而大幅度提高使用特定波长的光能器件的性能。
一种新型 inp 纳米阵列及其制备方法

[发明专利]一种多层微结构仿生干黏附结构、模具及其制备方法-CN202210051875.9在审
发明人：邵仁锦;浦东林;张瑾;朱鹏飞;陈林森 -专利权人：苏州苏大维格科技集团股份有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：一种多层微结构仿生干黏附结构、模具及其制备方法，多层微结构仿生干黏附结构包括多个多层微结构单元，每一所述多层微结构单元包括底层的微米级柱体结构、中间层的微米级蘑菇头结构，以及顶层的纳米阵列结构，其中纳米阵列结构为纳米柱阵列结构或者纳米孔阵列结构。本发明提供的多层微结构仿生干黏附结构、模具及其制备方法，通过设置顶层的纳米阵列结构，使得微结构与物体面之间的接触端由微米量级的蘑菇头“面结构”变成纳米量级的纳米珠阵列或纳米孔阵列的“点结构”，增加了接触面积，进一步提升产品的黏附性能，结构稳定性更强。
一种多层微结构仿生黏附结构模具及其制备方法

[发明专利]一种葡萄糖氧化酶驱动游动纳米机器人及其制备方法-CN202310500216.3在审
发明人：贺强;林显坤;杨帅;柯昌成 -专利权人：国科温州研究院（温州生物材料与工程研究所）;哈尔滨工业大学
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种葡萄糖氧化酶驱动游动纳米机器人及其制备方法，属于游动纳米机器人技术领域。本发明构建具有生物相容性的小尺度游动纳米机器人。本发明利用溶胶‑凝胶的方法制备尺度较小的介孔二氧化硅球，单侧修饰金属金之后，构建阴阳型介孔硅‑金纳米颗粒。在金侧修饰葡萄糖氧化酶和聚乙二醇后，使其具备一定的生物相容性，该游动纳米机器人可以在葡萄糖溶液中进行自推进运动。本发明有效避免生物粘附，在生物体环境中应用时可满足应用场景需求，可在主动给药，生物传感等领域具有良好的应用前景。
一种葡萄糖氧化酶驱动游动纳米机器人及其制备方法

[发明专利]一种转移纳米森林结构的方法-CN202210143474.6在审
发明人：李茂;毛海央;周娜 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种转移纳米森林结构的方法，该方法利用可释放型胶带的可控粘附性与磁场吸附的原理，成功地将纳米森林结构从原始基底转移至目标基底，由于目标基底种类多样化，因此扩大了纳米森林结构的应用场景，同时提高了纳米森林结构在应用时的可靠性。
一种转移纳米森林结构方法

[发明专利]基于压电片可控纳米间隙的单分子结制备方法和应用-CN202211262272.X有效
发明人：向东;尹凯凯;赵雪妍;张旭斌;许晓娜;王懋宁 -专利权人：南开大学
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于压电片可控纳米间隙的单分子结制备方法，包括：压电片、驱动电极、绝缘层、带有预环切的金线；压电片为基片/衬底；压电片的上下表面均设置有驱动电极；绝缘层位于驱动电极的上层；带有预环切的金线固定在绝缘层上；当驱动电压施加至驱动电极时，所述压电片将发生横向/水平变形，固定在绝缘层上的金线被相应拉伸，精确控制纳米间隙大小。本发明通过使用水平方向膨胀的压电片构建具有埃级调节精度的原位可调片上金属纳米间隙，进一步发展为平面内的可控裂结；为以单分子作为构建模块制造出具有集成潜力的片上器件提供技术支撑。
基于压电可控纳米间隙分子制备方法应用

[发明专利]一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备-CN202111661815.0有效
发明人：巢炎;黄伟业;李彬 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备，电机驱动两石墨电极旋转；三个超声发生器分别装配在反应釜内部的底面和两侧壁面上；一个超声发生器装配在釜端盖的下表面上。本发明通过两对超声发生器在硅片表面形成驻波场，使带电金属粒子停滞在驻波场的驻波节点上；石墨电极通电使带电金属粒子沿交变电场力方向运动，团聚在带电金属粒子周围的腐蚀液中的酸在带电金属粒子带动下与硅片表面反应；通过改变超声波频率和幅值改变驻波场中驻波节点位置，改变在硅片上的刻蚀位置；电机调整两石墨电极位置，使交变电场力方向改变；改变交变电流的频率和幅值，调整微结构刻蚀深度。本发明能按预设图案对硅片进行刻蚀。
一种交变电场结合超声制备纳米结构设备

[发明专利]一种石墨烯量子点阵列的微纳复合制备方法-CN202111191935.9有效
发明人：黄小平;昌竹;颜子龙;彭奉江;陈若童;杨镇源;赵青 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯量子点阵列的微纳复合制备方法，属于光电技术领域。采用化学气相沉积法制备石墨烯薄膜，然后采用EBL光刻工艺完成石墨烯表面牺牲层及纳米阵列结构的初加工，保证量子点阵列的均匀性；然后进行FIB雕刻修饰，去除腐蚀过程中出现的棱边缺陷结构，降低棱边粗糙度，保证石墨烯量子点阵列的光洁性；最后腐蚀去除表面牺牲层，得到最后的石墨烯量子点阵列结构。本发明提出的表面牺牲层EBL辅助FIB加工技术是一种高精度微纳阵列加工技术，具有加工精度高、均匀性好、粗糙度低等特点，可广泛应用于微纳结构光电传感集成器件微加工制造；形成的石墨烯量子点阵列，对近红外波段具有吸收峰，可作为一种石墨烯量子点阵列的消光器件。
一种石墨量子阵列复合制备方法

[发明专利]利用量子限域超流体效应的多重响应驱动器的制备方法及应用-CN202310439732.X在审
发明人：马佳楠;桑胜波;菅傲群;张强;葛阳;王洪涛;柴晓杰 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用量子限域超流体效应制备多重响应驱动器的方法及应用，涉及驱动器技术领域。将MXene溶液直接滴涂在玻璃片上，在室温下晾干成膜；通过鼓风机加速薄膜上方的空气流动，加快水分子的蒸发，MXene纳米片层层堆叠形成量子限域超流体通道。成膜时由于水分子的快速蒸发，MXene薄膜上表面出现一些纳米褶皱，下表面由于玻璃片衬底的限制呈现比较平整的状态，从而形成了非对称的量子限域超流体通道。本发明提供的MXene薄膜驱动器，当施加湿度刺激、光场及电场时，会出现非对称膨胀或收缩现象，实现湿度、光场、电场多场驱动。本发明解决了传统多层结构中由于多种材料间层间结合力弱、粘附性差所带来的器件稳定性差的问题。
利用量子限域超流体效应多重响应驱动器制备方法应用

[发明专利]一种介孔二氧化硅-铂Janus纳米马达的制备方法-CN202310306381.5在审
发明人：王肖肖;马皓燃;郭雨璇;张楷 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明属于功能纳米材料技术领域，具体涉及一种介孔二氧化硅‑铂Janus纳米马达的制备方法，该制备方法以正硅酸乙酯和双‑[γ‑(三乙氧基硅)丙基]‑四硫化物为硅源，十六烷基三甲基溴化铵为造孔剂，合成介孔二氧化硅纳米球。采用3‑氨丙基三甲氧基硅烷对其进行氨基修饰，通过戊二醛将聚乙烯亚胺与介孔二氧化硅球偶联，接着通过静电吸附将氯铂酸吸附到介孔二氧化硅纳米球上，以水合肼为还原剂将其还原，最终形成介孔二氧化硅‑铂Janus纳米马达；该纳米马达是以介孔二氧化硅球和金属铂共同组成的各向异性粒子。本发明提供的介孔二氧化硅‑铂Janus纳米马达的制备方法具有操作简单，无需特殊设备，可批量制备等优点。
一种二氧化硅 janus 纳米马达制备方法

[发明专利]等离子改性3D纳米图案及引导嵌段共聚物自组装的方法-CN202310053555.1在审
发明人：季生象;黄广诚;刘亚栋;韩苗苗 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明属于纳米结构制造技术领域，本发明公开了一种等离子改性3D纳米图案及引导嵌段共聚物自组装的方法。本发明制备步骤包括：将聚合物刷/毡接枝到基底表面‑清洗‑旋涂光刻胶‑曝光‑显影‑等离子改性‑清洗。其中，通过等离子改性聚合物刷/毡，调节嵌段共聚物与刷/毡之间的界面自由能，从而获取非选择性的基底。该方法易实现，合成简单，是值得推广的获取中性分子刷的方式。同时引导嵌段共聚物进行密度倍增组装，均得到无缺陷长程有序的形貌。相比传统化学图案法减少了修整刻蚀的步骤，制备过程对设备要求较低，制备流程简单易控制，仅需改变曝光剂量和氧等离子改性条件即可引导不同嵌段共聚物进行组装，且获得更高倍率的密度倍增效果。
等离子改性纳米图案引导共聚物组装方法

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