本发明涉及一种Si‑P3HT杂化太阳能电池及其制备方法,包括以下步骤:对n型硅片进行制绒处理;在所述n型硅片的下表面沉积钝化层并形成多个n型重掺杂区;在所述n型硅片的上表面的部分区域上形成多个p型扩散区;接着在所述n型硅片的上表面依次形成第一P3HT层、第二P3HT层、第一PEDOT:PSS层以及第二PEDOT:PSS层;接着在所述n型硅片的上表面制备正面铜栅电极;最后在所述n型硅片的下表面制备背面银电极。
1.一种Si‑P3HT杂化太阳能电池的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:1)对n型硅片进行制绒处理,在所述n型硅片的上表面形成绒面层;2)在所述n型硅片的下表面沉积钝化层,利用刻蚀工艺在所述钝化层中形成多个呈矩阵排布的通孔,接着通过选择性扩散磷以在所述n型硅片的下表面的部分区域上形成多个n型重掺杂区,每个所述n型重掺杂区与每个所述通孔对应设置;3)利用掩膜在所述n型硅片的上表面选择性扩散硼,以在所述n型硅片的上表面的部分区域上形成多个p型扩散区,多个所述p型扩散区呈矩阵排布;4)在步骤3得到的所述n型硅片的上表面旋涂含有二硒化钼二维纳米材料和P3HT的第一氯苯溶液,其中,第一氯苯溶液中P3HT的浓度为1‑2mg/ml,二硒化钼二维纳米材料的浓度为0.03‑0.08mg/ml,旋涂的转速为4500‑5000转/分钟,然后进行第一退火处理,形成第一P3HT层;5)在步骤4得到的所述n型硅片的上表面旋涂含有二硒化钼二维纳米材料和P3HT的第二氯苯溶液,其中,第二氯苯溶液中P3HT的浓度为2‑3mg/ml,二硒化钼二维纳米材料的浓度为0.1‑0.2mg/ml,旋涂的转速为3500‑4000转/分钟,然后进行第二退火处理,形成第二P3HT层;6)在步骤5得到的所述n型硅片的上表面旋涂含有银纳米线的第一PEDOT:PSS溶液,所述第一PEDOT:PSS溶液中银纳米线的浓度为0.1‑0.2mg/ml,旋涂的转速为3000‑4000转/分钟,然后进行第三退火处理,形成第一PEDOT:PSS层;7)在步骤6得到的所述n型硅片的上表面旋涂含有银纳米线的第二PEDOT:PSS溶液,所述第二PEDOT:PSS溶液中银纳米线的浓度为0.3‑0.5mg/ml,旋涂的转速为2000‑3000转/分钟,然后进行第四退火处理,形成第二PEDOT:PSS层;8)在所述步骤7得到的所述n型硅片的上表面制备正面铜栅电极;9)在所述步骤8得到的所述n型硅片的下表面制备背面银电极。
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