本发明涉及一种半导体封装构件及其制备方法，该方法包括以下步骤：提供一基板，在所述基板的上表面形成绝缘层，在所述绝缘层上形成导电图案，将半导体芯片以倒装的方式安装在所述导电图案上，接着依次形成第一封装胶层、第二封装胶层、第三封装胶层、第四封装胶层、第五封装胶层，接着置于密封的腔室中进行热处理，通过调整腔室的压强以及热处理的温度，使得所述第一、第二、第三、第四、第五封装胶层紧密结合，并消除所述第一、第二、第三、第四、第五封装胶层中的裂缝和气泡，接着通过打磨工艺去除部分的所述第一封装胶层，以暴露所述基板的底面。
1.一种半导体封装构件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1)提供一基板，在所述基板的上表面形成绝缘层；2)在所述绝缘层上沉积金属层，并利用掩膜对所述金属层进行刻蚀以得到导电图案；3)接着将半导体芯片以倒装的方式安装在所述导电图案上；4)接着将设置有半导体芯片的基板置于一模具中，所述模具具有容纳所述基板的空腔，在所述模具的顶面设置有注胶孔，通过所述注胶孔注入一定量的第一树脂材料，以形成第一封装胶层，其中，所述第一树脂材料含有脱模剂，所述第一封装胶层覆盖所述基板的底表面；5)通过所述注胶孔注入一定量的第二树脂材料，以形成第二封装胶层，其中，所述第二树脂材料不含有脱模剂，所述第二封装胶层层叠于所述第一封装胶层上；6)通过所述注胶孔注入一定量的第三树脂材料，以形成第三封装胶层，其中，所述第三树脂材料不含有脱模剂，所述第三封装胶层层叠于所述第二封装胶层上；7)通过所述注胶孔注入一定量的第四树脂材料，以形成第四封装胶层，其中，所述第四树脂材料不含有脱模剂，所述第四封装胶层层叠于所述第三封装胶层上；8)通过所述注胶孔注入一定量的第五树脂材料，以形成第五封装胶层，其中，所述第五树脂材料含有脱模剂，所述第五封装胶层层叠于所述第四封装胶层上；9)接着置于密封的腔室中进行热处理，通过调整腔室的压强以及热处理的温度，使得所述第一、第二、第三、第四、第五封装胶层紧密结合，并消除所述第一、第二、第三、第四、第五封装胶层中的裂缝和气泡，接着通过打磨工艺去除部分的所述第一封装胶层，以暴露所述基板的底面。
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