“vt”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4976个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种智能LED驱动控制器-CN201521105661.7有效
发明人：姚鹏;何成科 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种智能LED驱动控制器，包括电阻R1、电容C1、二极管D1、三极管VT1、电位器RP1和发光二极管LED，所述电容C1一端分别连接电源VCC、电阻R3、二极管D1负极、电阻R4、三极管VT1发射极、三极管VT2集电极和三极管VT3集电极，电阻R4另一端分别连接二极管D3负极和电阻R5，电阻R5另一端分别连接二极管D2负极和三极管VT4发射极，三极管VT4基极分别连接电容C2和电位器RP1滑片，电容C2另一端分别连接三极管VT4集电极、三极管VT5集电极、三极管VT1集电极和三极管VT2基极。
一种智能 led 驱动控制器

[发明专利]一种电机无功补偿变频电路-CN201811015085.5在审
发明人：史隰明 -专利权人：史隰明
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H02P27/06 文献下载
摘要：逆变单元和无功补偿单元组成；所述电源为三相电源P，所述电源P的输入端连接开关K1、K2、K3；所述整流单元由二极管D1、D2、D3、D4、D5、D6组成，所述滤波单元由电阻R1和滤波电容C1组成，所述逆变单元包括晶闸管VT1、VT2、VT3、VT4、VT5、VT6，所述无功补偿单元由电容C2、C3、C4组成，本发明的电机无功补偿变频电路，可以更好地驱动电机运行，又能节省电机运行时的能耗，降低线路损耗及设备故障率。
变频电路无功补偿无功补偿单元电源电机滤波单元逆变单元整流单元设备故障率输入端连接二极管电机运行滤波电容驱动电机三相电源线路损耗晶闸管电容电阻能耗

[发明专利]大功率软开关双向DC‑DC变换器电路-CN201610451779.8在审
发明人：国海峰;孙力;刘青山 -专利权人：国海峰;孙力;刘青山
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：VT1与VT2构成的半桥中点经滤波电感L1与输出电源Uout连接。本发明通过VT1和VT2控制，使L1电流处于反向断续工作状态，实现VT1和VT2管的零电压开通和零电压关断，减少其开关损耗。
大功率开关双向 dc 变换器电路

[发明专利]一种高稳定性路灯自动控制电路-CN201610875618.1在审
发明人：梁毅;俞德军 -专利权人：成都赛昂电子科技有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高稳定性路灯自动控制电路，其特征在于，主要由二极管整流器U，三极管VT1，光敏三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6等组成。
一种稳定性路灯自动控制电路

[发明专利]一种多电路处理的负离子发生器电源-CN201710990556.3在审
发明人：李小林 -专利权人：成都翰兴科技有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种多电路处理的负离子发生器电源，主要由变压器T，放电板DB，场效应管MOS，压控恒流电路，三极管VT1，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，三极管VT8，极性电容C4，
一种电路处理负离子发生器电源

[发明专利]低成本的B方法高压隔离筛选测试-CN202280011994.X在审
发明人： T•D•博尼菲尔德 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：一种方法(100)包括：将AC测试电压信号(VT)施加(110)到电子器件的端子，该AC测试电压信号(VT)具有300Hz至100kHz的测试频率(F1)；感测(112)在AC测试电压信号(VT)的施加期间该电子器件的电流信号在将电子器件标识(115)为通过隔离测试之后，方法(100)包括：将第二AC测试电压信号(VT)施加(116)到电子器件的端子，该第二AC测试电压信号(VT)具有300Hz至100kHz的第二测试频率(F2)；测量(118)在施加第二AC测试电压信号(VT)期间该电子器件的放电；以及响应于放电小于放电阈值(DTH)，将电子器件(200)标识(121)为通过放电测试。
低成本方法高压隔离筛选测试

[发明专利]一种单相并网逆变器的逆变电路的控制方法-CN201010608747.7有效
发明人：徐海波;韩军良;郑兆宏 -专利权人：广东易事特电源股份有限公司
申请日： 2010-12-28 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：一种单相并网逆变器的逆变电路的控制方法，步骤包括：A：中央处理器发出脉冲信号Wave1、Wave2和SPWM信号PWM1和PWM2；Wave1和Wave2为与电网同步的工频信号；B：Wave1、Wave2、PWM1和PWM2分别传送至VT1的驱动单元、VT3的驱动单元、VT2和VT5的驱动单元，以及VT4和VT6的驱动单元；功率MOSFET的栅极串联电阻小于IGBT的栅极串联电阻，功率MOSFET先于IGBT导通，而落后于IGBT关断。
一种单相并网逆变器电路控制方法

[发明专利]具有剪裁的电介质的P型场效应晶体管及方法和集成电路-CN200810184838.5有效
发明人：里克·卡特;迈克尔·P·查德齐克;拉什米·杰;奈姆·莫曼 -专利权人：国际商业机器公司;先进微装置公司
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有剪裁的电介质的PFET及相关方法和集成电路，剪裁的电介质由PFET中的栅叠层中的NFET阈值电压(Vt)功函数调制层部分地组成。在一个实施例中，PFET包括n-型掺杂的硅阱(N阱)和栅叠层，该栅叠层包括：N阱上的掺杂的能带工程的PFET阈值电压(Vt)功函数调制层；掺杂的能带工程的PFET Vt功函数调制层上的剪裁的电介质层，该剪裁的电介质层由掺杂的能带工程的PFET Vt功函数调制层上的高介电常数层和高介电常数层上的n型场效应晶体管(NFET)阈值电压(Vt)功函数调制层构成；以及NFET Vt功函数调制层上的金属。
具有剪裁电介质场效应晶体管方法集成电路

[发明专利]薄膜半导体装置及其制造方法-CN03158436.5有效
发明人：土弘;世良贤二 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2003-09-10 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明包含在形成于玻璃基板1上的多晶硅膜3上形成n沟道型TFT和p沟道型TFT时，在n沟道型TFT的一部分沟道区中和p沟道型TFT的一部分沟道区中同时引入P型或N型掺杂剂的工序，可以通过1次沟道掺杂形成低VT和高VT的p沟道型TFT组，以及低VT和高VT的n沟道型TFT组，借助于用此方法形成能够减小逻辑、开关电路的关态电流的高VT－TFT，以及能够扩大模拟电路的动态范围的低VT－TFT，求得了薄膜半导体装置性能的提高
薄膜半导体装置及其制造方法

[发明专利]薄膜半导体装置及其制造方法-CN200810130874.3有效
发明人：土弘;世良贤二 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2003-09-10 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明包含在形成于玻璃基板1上的多晶硅膜3上形成n沟道型TFT和p沟道型TFT时，在n沟道型TFT的一部分沟道区中和p沟道型TFT的一部分沟道区中同时引入P型或N型掺杂剂的工序，可以通过1次沟道掺杂形成低VT和高VT的p沟道型TFT组，以及低VT和高VT的n沟道型TFT组，借助于用此方法形成能够减小逻辑、开关电路的关态电流的高VT－TFT，以及能够扩大模拟电路的动态范围的低VT－TFT，求得了薄膜半导体装置性能的提高
薄膜半导体装置及其制造方法

[发明专利]薄膜半导体装置及其制造方法-CN200610071008.2有效
发明人：土弘;世良贤二 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2003-09-10 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明包含在形成于玻璃基板1上的多晶硅膜3上形成n沟道型TFT和p沟道型TFT时，在n沟道型TFT的一部分沟道区中和p沟道型TFT的一部分沟道区中同时引入P型或N型掺杂剂的工序，可以通过1次沟道掺杂形成低VT和高VT的p沟道型TFT组，以及低VT和高VT的n沟道型TFT组，借助于用此方法形成能够减小逻辑、开关电路的关态电流的高VT－TFT，以及能够扩大模拟电路的动态范围的低VT－TFT，求得了薄膜半导体装置性能的提高
薄膜半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种盐酸胺碘酮原料药中有关物质的分析方法-CN201910602182.2有效
发明人：陆文通;戴德标;单胜男;耿爽 -专利权人：合肥拓锐生物科技有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：，采用高效液相色谱法分别按照色谱条件A和色谱条件B进行分析，再结合进行分析；色谱条件A和B均包括：色谱柱为Welch Ultimate AQ‑C18；以乙酸‑乙酸铵缓冲溶液：甲醇乙腈混合液＝49‑51vt％：51‑49vt％为流动相A，其中，甲醇乙腈混合液中甲醇：乙腈＝30vt％：40vt％；以甲醇：乙腈＝30vt％：40vt％为流动相B；检测波长为240±2nm，进行梯度洗脱；其中，色谱条件A中乙酸‑
一种盐酸胺碘酮原料药有关物质分析方法

[实用新型]用于高压电容器充放电的试验装置-CN201320572040.4有效
发明人：雷立;吴强;罗仁俊;陈刚;黄欢;熊强;汪小梅;林丽;彭勃;张得祥;李庆武;唐奔 -专利权人：株洲变流技术国家工程研究中心有限公司
申请日： 2013-09-16 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于高压电容器充放电的试验装置，包括依次相连的试验电源、前置处理单元及电容器充放电电路，电容器充放电电路包括第一晶闸管VT1、第二晶闸管VT2以及负载电阻R2，试验电源经前置处理单元后输出电源的正极、第一晶闸管VT1、负载电阻R2、被试电容器C2、输出电源的负极依次串联形成回路，第二晶闸管VT2的阳极连接于第一晶闸管VT1与负载电阻R2之间的A点，第二晶闸管VT2的阴极连接于被试电容器C2与输出电源负极之间的
用于高压电容器放电试验装置

[实用新型]电焊机空载节能装置-CN201120298960.2有效
发明人：冯新卫;朱志华;施百泉;吴其 -专利权人：桐乡中欣化纤有限公司
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： B23K9/10 文献下载
摘要：本实用新型所设计的一种电焊机空载节能装置，它主要包括电源、电焊机、双向可控硅VT和电流互感器TA，电源与双向可控硅VT连接，双向可控硅VT并联设置有电容A，双向可控硅VT的另一端开出两条支路，一条与电焊机连接这种结构在接通电源，电容A进行充电，起弧后，电容B进行充电，停焊时电容B释放电流供给双向可控硅VT维持其导通，待电容B放电结束，双向可控硅VT截止，电流回到电容A。
电焊机空载节能装置

[实用新型]一种太阳能草坪灯-CN201220476336.1有效
发明人：徐文君 -专利权人：宁波南方新能源科技有限公司
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：3）及振荡升压电路（4），振荡升压电路（4）与LED灯（3）电连接为LED灯（3）提供工作电压，所述的蓄电池（2）与振荡升压电路（4）之间连接有光控电路（5），光控电路（5）包括光敏电阻（6）、三极管VT1、三极管VT2，光敏电阻（6）的一端分别与蓄电池（2）的正极、三极管VT1的发射极、三极管VT2的基极电连接，三极管VT1的基极与三极管VT2的集电极电连接。
一种太阳能草坪灯