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- [发明专利]一种抗辐照的共岛LPNP和SPNP版图结构-CN202010889839.0有效
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钟咏梅;刘鹏;方雷;尤路;魏海龙
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西安微电子技术研究所
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2020-08-28
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2023-06-06
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H01L27/02
- 一种抗辐照的共岛LPNP和SPNP版图结构,包括LPNP的基极、LPNP的集电极、LPNP的发射极、SPNP的发射极、基区复合墙、衬底、外延层沟道电阻和埋层;衬底的表面覆盖有外延层,外延层和衬底之间设置有埋层;外延层上排布有LPNP的基极、LPNP的集电极、LPNP的发射极、基区复合墙和SPNP的发射极;基区复合墙将共岛的LPNP和SPNP分隔形成LPNP隔离岛和SPNP隔离岛,LPNP隔离岛和SPNP隔离岛之间通过外延层连通,形成外延层沟道电阻;LPNP的基极B通过外延层连接外延沟道电阻的一端,外延沟道电阻的另一端连接SPNP的基极。有效提高SPNP的电流放大倍数,提升抗辐照性能,并节约版图面积。该版图结构可推广应用于任一款低压抗辐照双极电路版图设计,有效降低芯片版图面积并提升抗辐照性能。
- 一种辐照lpnpspnp版图结构
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