专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种抗辐照的共岛LPNP和SPNP版图结构-CN202010889839.0有效
  • 钟咏梅;刘鹏;方雷;尤路;魏海龙 - 西安微电子技术研究所
  • 2020-08-28 - 2023-06-06 - H01L27/02
  • 一种抗辐照的共岛LPNP和SPNP版图结构,包括LPNP的基极、LPNP的集电极、LPNP的发射极、SPNP的发射极、基区复合墙、衬底、外延层沟道电阻和埋层;衬底的表面覆盖有外延层,外延层和衬底之间设置有埋层;外延层上排布有LPNP的基极、LPNP的集电极、LPNP的发射极、基区复合墙和SPNP的发射极;基区复合墙将共岛的LPNP和SPNP分隔形成LPNP隔离岛和SPNP隔离岛,LPNP隔离岛和SPNP隔离岛之间通过外延层连通,形成外延层沟道电阻;LPNP的基极B通过外延层连接外延沟道电阻的一端,外延沟道电阻的另一端连接SPNP的基极。有效提高SPNP的电流放大倍数,提升抗辐照性能,并节约版图面积。该版图结构可推广应用于任一款低压抗辐照双极电路版图设计,有效降低芯片版图面积并提升抗辐照性能。
  • 一种辐照lpnpspnp版图结构
  • [发明专利]一种SPNP管的制作方法及SPNP-CN202210818220.X在审
  • 石建武 - 福建福顺微电子有限公司
  • 2022-07-12 - 2022-10-21 - H01L21/332
  • 一种SPNP管的制作方法及SPNP管,包括如下步骤,PC区硼氧化作为掩蔽;PC区光刻,将光刻版的图形转移到硅片上,BOE腐蚀10分钟,将掩蔽层腐蚀尽,硫酸去胶,注入阻档氧化层,在PC区进行硼注入,将总剂量分为PC硼注入总剂量拆分为四至八次小剂量、同时每次的小剂量注入能量递减分层分布、按二次小剂量一次硼退火,共二至四次退火来恢复注入缺陷,从而显著的降低SPNP管N型基区层错缺陷。
  • 一种spnp制作方法

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