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- [发明专利]无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法-CN201711464516.1有效
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朱天志
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上海华力微电子有限公司
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2017-12-28
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2019-10-25
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H01L27/02
- 本发明公开一种无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法,该结构包括:半导体衬底(80);生成于半导体衬底的N阱(60)和P阱(70);高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)置于N阱(60)上部,高浓度P型掺杂(20)、N阱(60)及P阱(70)构成等效PNP三极管结构,高浓度N型掺杂(24)、高浓度P型掺杂(26)置于P阱(70)上部,N阱(60)、基体(80)/P阱(70)与高浓度N型掺杂(24)构成等效NPN三极管结构,高浓度N型掺杂(22)置于N阱(60)与P阱(70)分界处上方,高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)间用宽度为S的浅沟道隔离层(10)隔离,高浓度N型掺杂(28)与高浓度P型掺杂(22)之间为N阱(60)的一部分。
- 硅控整流器衬底半导体浅沟道隔离分界处隔离
- [发明专利]无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法-CN201711464508.7有效
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朱天志
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上海华力微电子有限公司
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2017-12-28
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2019-10-25
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H01L27/02
- 本发明公开一种无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法,该结构包括:半导体衬底(80);生成于半导体衬底的N阱(60)和P阱(70);高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)置于N阱(60)上部,高浓度P型掺杂(20)、N阱(60)及P阱(70)构成等效PNP三极管结构,高浓度N型掺杂(24)、高浓度P型掺杂(26)置于P阱(70)上部,N阱(60)、基体(80)/P阱(70)与高浓度N型掺杂(24)构成等效NPN三极管结构,高浓度N型掺杂(22)置于N阱(60)与P阱(70)分界处上方,所述高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)间为N阱(60)的一部分且间距为S,高浓度N型掺杂(28)与高浓度P型掺杂(22)之间为N阱(60)的一部分。
- 硅控整流器衬底半导体分界处
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