专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [外观设计]沙发(G-70P-CN202330116962.3有效
  • 张伟明 - 张伟明
  • 2023-03-14 - 2023-07-04 - 06-01
  • 1.本外观设计产品的名称:沙发(G‑70P)。2.本外观设计产品的用途:家具。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。
  • 沙发70
  • [发明专利]无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法-CN201711464516.1有效
  • 朱天志 - 上海华力微电子有限公司
  • 2017-12-28 - 2019-10-25 - H01L27/02
  • 本发明公开一种无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法,该结构包括:半导体衬底(80);生成于半导体衬底的N阱(60)和P阱(70);高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)置于N阱(60)上部,高浓度P型掺杂(20)、N阱(60)及P阱(70)构成等效PNP三极管结构,高浓度N型掺杂(24)、高浓度P型掺杂(26)置于P阱(70)上部,N阱(60)、基体(80)/P阱(70)与高浓度N型掺杂(24)构成等效NPN三极管结构,高浓度N型掺杂(22)置于N阱(60)与P阱(70)分界处上方,高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)间用宽度为S的浅沟道隔离层(10)隔离,高浓度N型掺杂(28)与高浓度P型掺杂(22)之间为N阱(60)的一部分。
  • 硅控整流器衬底半导体浅沟道隔离分界处隔离
  • [发明专利]无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法-CN201711464508.7有效
  • 朱天志 - 上海华力微电子有限公司
  • 2017-12-28 - 2019-10-25 - H01L27/02
  • 本发明公开一种无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法,该结构包括:半导体衬底(80);生成于半导体衬底的N阱(60)和P阱(70);高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)置于N阱(60)上部,高浓度P型掺杂(20)、N阱(60)及P阱(70)构成等效PNP三极管结构,高浓度N型掺杂(24)、高浓度P型掺杂(26)置于P阱(70)上部,N阱(60)、基体(80)/P阱(70)与高浓度N型掺杂(24)构成等效NPN三极管结构,高浓度N型掺杂(22)置于N阱(60)与P阱(70)分界处上方,所述高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)间为N阱(60)的一部分且间距为S,高浓度N型掺杂(28)与高浓度P型掺杂(22)之间为N阱(60)的一部分。
  • 硅控整流器衬底半导体分界处

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