专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]010)面氧化镓单晶在制备非极性GaN衬底中的应用-CN202111548883.6有效
  • 修向前;李悦文;许万里;陶涛;张荣 - 南京大学
  • 2021-12-17 - 2022-11-11 - C30B31/08
  • 本发明公开了(010)面氧化镓单晶在制备非极性GaN衬底中的应用,其步骤包括:(1)对氧化镓单晶的(010)面进行清洗;(2)在氨气气氛或氨气氮气混合气氛中对氧化镓单晶的(010)面进行部分氮化或完全氮化处理,从而在氧化镓单晶的(010)面表面或全部形成多孔非极性GaN层;(3)在步骤(2)获得的多孔非极性GaN层上进行GaN薄膜或GaN厚膜的外延,得到非极性自支撑GaN衬底。本发明提供了一种简单的获得非极性GaN及非极性GaN自支撑衬底的方法,采用(010)面氧化镓单晶通过氮化得到非极性GaN,进一步外延得到非极性GaN薄膜或自支撑衬底,从而实现大尺寸高质量低成本非极性GaN
  • 010氧化镓单晶制备极性gan衬底中的应用

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