专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [外观设计]文胸(N319-CN202030605203.X有效
  • 陈苑婷 - 陈苑婷
  • 2020-10-12 - 2021-03-05 - 02-01
  • 1.本外观设计产品的名称:文胸(N319)。2.本外观设计产品的用途:女性穿戴文胸。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。
  • 文胸n319
  • [外观设计]鞋(N319-CN202330339031.X有效
  • 王兆辉 - 山东众新商贸有限公司
  • 2023-06-05 - 2023-10-24 - 02-04
  • 1.本外观设计产品的名称:鞋(N319)。2.本外观设计产品的用途:鞋子。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。5.请求保护的外观设计包含色彩。
  • n319
  • [发明专利]一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法-CN201510114652.2有效
  • 卢马才 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2015-03-16 - 2017-10-03 - H01L21/77
  • 本发明公开一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法,包括步骤A)利用第一带条纹的光罩定义出N沟道的源电极的重掺杂区(316a)和轻掺杂区(316b)、N沟道的漏电极的重掺杂区(317a)和轻掺杂区(317b);B)利用第二带条纹的光罩定义出P沟道的源电极的掺杂区(318)和漏电极的掺杂区(319);C)利用第三带条纹的光罩定义出像素区、N沟道的漏电极的重掺杂区(317a)和源电极的重掺杂区(316a)处的接触孔区、P沟道的源电极的掺杂区(318)和漏电极的掺杂区(319)处的接触孔区;D)利用第四带条纹的光罩定义出N沟道的漏电极的重掺杂区(317a)和源电极的重掺杂区(316a)处的金属电极区、P沟道的源电极的掺杂区(318)和漏电极的掺杂区(319)处的金属电极区。
  • 一种低温多晶薄膜晶体管阵列制作方法
  • [发明专利]制备用于流体处理系统的芯的方法-CN201380014841.1有效
  • J·塔萨雷克;G·古克斯;M·费斯特纳;U·朗;T·舒勒;J·富尔斯特;T·霍宁 - 布丽塔有限责任公司
  • 2013-03-20 - 2014-12-10 - C02F1/00
  • 、404、504、604、704、804)包括限定用于流体处理介质的至少一个室的壳体,包括提供芯壳体部件(212、312、512、612、712、812),该芯壳体部件包括限定能够由过滤元件(219、319提供过滤元件(219、319、519、619、719、819)。过滤元件(219、319、519、619、719、819)包括多孔体(220、320、520、620、720、820),所述多孔体用于至少机械过滤经由所述过滤元件(219、319、519、619、719、819)的至少一个第一表面区域流入所述过滤元件(219、319、519、619、719、819)、流过所述多孔体(220、320、520、620、720、820)并经由所述过滤元件(219、319、519过滤元件(219、319、519、619、719、819)包括覆盖所述多孔体(220、320、520、620、720、820)的至少外周面以便框入所述第一和第二表面区域的边沿(221、321、521、621
  • 制备用于流体处理系统方法

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