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[发明专利]一种基于FinFET管的一位全加器-CN201610257904.1有效
发明人：胡建平;许仲池 -专利权人：宁波大学
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FinFET管的一位全加器，包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第八FinFET管、第九FinFET管、第十FinFET管、第十一FinFET管、第十二FinFET管、第十三FinFET管、第十四FinFET管、第十五FinFET管、第十六FinFET管、第十七FinFET管、第十八FinFET管、第十九FinFET管和第二十FinFET管，第一FinFET管、第二FinFET管、第五FinFET管、第七FinFET管、第九FinFET管、第十二FinFET管、第十三FinFET管、第十五FinFET管、第十七FinFET管和第十九FinFET管为P型FinFET管，第三FinFET管、第四FinFET管、第六FinFET管、第八FinFET管、第十FinFET管、第十一FinFET管、第十四FinFET管、第十六FinFET管、第十八FinFET管和第二十FinFET管为N型FinFET管；优点是电路面积、延时、功耗和功耗延时积均较小。
一种基于 finfet 一位全加器

[发明专利]一种基于FinFET器件的一位全加器-CN201710253939.2在审
发明人：胡建平;朱昊天;柏文敬 -专利权人：宁波大学
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FinFET器件的一位全加器，包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第八FinFET管、第九FinFET管、第十FinFET管、第十一FinFET管、第十二FinFET管、第十三FinFET管、第十四FinFET管、第一反相器和第二反相器，第一FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第七FinFET管、第十FinFET管和第十一FinFET管均为P型FinFET管，第二FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第八FinFET管、第九FinFET管、第十二FinFET管、第十三FinFET管和第十四FinFET管均为N型FinFET管；优点是在不影响电路性能的情况下，电路面积、延时、功耗和功耗延时积均较小。
一种基于 finfet 器件一位全加器

[发明专利]一种基于FinFET晶体管的一位全加器-CN201710253206.9在审
发明人：胡建平;朱昊天;汪佳峰 -专利权人：宁波大学
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FinFET晶体管的一位全加器，包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第八FinFET管、第九FinFET管、第十FinFET管、第十一FinFET管、第十二FinFET管、第十三FinFET管、第一反相器和第二反相器，第一FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第七FinFET管、第十FinFET管和第十一FinFET管均为P型FinFET管，第二FinFET管、第三FinFET管、第六FinFET管、第八FinFET管、第九FinFET管、第十二FinFET管和第十三FinFET管均为N型FinFET管；优点是在不影响电路性能的情况下，面积、延时、功耗和功耗延时积均较小。
一种基于 finfet 晶体管一位全加器

[发明专利]一种基于FinFET器件的异或/同或门电路-CN201610044398.8有效
发明人：胡建平;张绪强 -专利权人：宁波大学
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H03K19/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FinFET器件的异或/同或门电路，包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管和第六FinFET管，第一FinFET管和第四FinFET管均为P型FinFET管，第二FinFET管、第三FinFET管、第五FinFET管和第六FinFET管均为N型FinFET管；第一FinFET管和第四FinFET管均为低阈值FinFET管，第二FinFET管、第三FinFET管、第五FinFET管和第六FinFET管均为高阈值FinFET管，第一FinFET管和第四FinFET管鳍的个数均为1，第二FinFET管、第三FinFET管、第五FinFET管和第六FinFET管鳍的个数均为2；优点是在具有正确的逻辑功能的基础上，电路面积、延时、功耗和功耗延时积均较小。
电路同或门异或功耗延时逻辑功能功耗延时

[发明专利]一种基于FinFET混合逻辑的一位全加器-CN201610259437.6有效
发明人：胡建平;许仲池 -专利权人：宁波大学
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FinFET混合逻辑的一位全加器，包括求和输出电路和进位输出电路，求和输出电路包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第八FinFET管、第九FinFET管、第十FinFET管、第十一FinFET管、第十二FinFET管、第十三FinFET管和第十四FinFET管，进位输出电路包括第十五FinFET管、第十六FinFET管、第十七FinFET管、第十八FinFET管、第十九FinFET管、第二十FinFET管、第二十一FinFET管、第二十二FinFET管、第二十三FinFET管和第二十四FinFET管；优点是功耗和功耗延时积均较小。
一种基于 finfet 混合逻辑一位全加器

[发明专利]一种基于FinFET器件的存储单元-CN201610836679.7有效
发明人：邬杨波;张绪强;胡建平 -专利权人：宁波大学
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： G11C11/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FinFET器件的存储单元，包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第七FinFET管，第一FinFET管、第二FinFET管和第六FinFET管均为P型FinFET管，第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管和第七FinFET管均为N型FinFET管；第一FinFET管和第二FinFET管的鳍的数量均为2，第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第七FinFET管的鳍的数量均为1；优点是读操作和写操作分开，读写互不干扰，延时、功耗和功耗延时积均较小
一种基于 finfet 器件存储单元

[发明专利]一种基于FinFET分栅结构互补对称逻辑的同或异或电路-CN201610836875.4有效
发明人：胡建平;许仲池 -专利权人：宁波大学
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H03K19/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FinFET分栅结构互补对称逻辑的同或异或电路，包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管和第八FinFET管，所述的第一FinFET管、所述的第三FinFET管、所述的第四FinFET管和所述的第七FinFET管为P型FinFET管，所述的第二FinFET管、所述的第五FinFET管、所述的第六FinFET管和所述的第八FinFET管为N型FinFET管，所述的第一FinFET管和所述的第六FinFET管鳍的个数均为3，所述的第二FinFET管、所述的第三FinFET管、所述的第四FinFET管、所述的第五FinFET管、所述的第七FinFET管和所述的第八FinFET管鳍的个数均为1；优点是在不影响电路性能的基础上，面积、功耗和时延均较小，且驱动能力较强。
一种基于 finfet 结构互补对称逻辑电路

[发明专利]一种基于FinFET器件的读写分离存储单元-CN201610836865.0有效
发明人：胡建平;张绪强 -专利权人：宁波大学
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FinFET器件的读写分离存储单元，其特征在于包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第七FinFET管，第一FinFET管和第二FinFET管均为P型FinFET管，第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第七FinFET管均为N型FinFET管，第一FinFET管和第二FinFET管的鳍的数量均为2，第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第七FinFET管的鳍的数量均为1；优点是电路结构简单，采用数量较少的晶体管来实现存储单元功能
一种基于 finfet 器件读写分离存储单元

[发明专利]一种基于FinFET器件的脉冲触发器-CN201610257098.8有效
发明人：胡建平;张绪强 -专利权人：宁波大学
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FinFET器件的脉冲触发器，包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器和第五反相器，第一FinFET管、第二FinFET管和第三FinFET管为P型FinFET管，第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第七FinFET管为N型FinFET管；第一FinFET管和第二FinFET管的鳍的个数为1，第三FinFET管的鳍的个数为3，第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第七FinFET管的鳍的个数为
一种基于 finfet 器件脉冲触发器

[发明专利]一种基于FinFET器件的单位线非对称存储单元-CN201710462400.8有效
发明人：胡建平;杨会山 -专利权人：宁波大学
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： G11C7/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FinFET器件的单位线非对称存储单元，包括位线、写字线、读字线、第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第八FinFET管和第九FinFET管；第一FinFET管和第七FinFET管分别为低阈值的P型FinFET管，第二FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第八FinFET管和第九FinFET管均为低阈值的N型FinFET管，第三FinFET管为高阈值的P型FinFET管；优点是在不影响电路性能的情况下，延时、功耗和功耗延时积均较小，写操作时噪声容限较大
一种基于 finfet 器件单位对称存储单元

[发明专利]一种基于FinFET器件的全摆幅单端读存储单元-CN201710462410.1有效
发明人：胡建平;杨会山 -专利权人：宁波大学
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FinFET器件的全摆幅单端读存储单元，包括写字线、写位线、反相写位线、读字线、读位线、第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第八FinFET管和第九FinFET管，第一FinFET管、第二FinFET管和第七FinFET管分别为低阈值的P型FinFET管，第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第九FinFET管分别为为低阈值的N型FinFET管，第八FinFET管为高阈值的N型FinFET管；优点是在不影响电路功能的情况下，延时、功耗和功耗延时积均较小
一种基于 finfet 器件全摆幅单端读存储单元

[发明专利]一种基于FinFET的存储单元-CN201810120375.X在审
发明人：胡建平;杨会山;陈泽奇 -专利权人：宁波大学
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FinFET的存储单元，包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第八FinFET管、第九FinFET管、写位线、反相写位线、读位线、写字线和读字线，第一FinFET管、第三FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第九FinFET管均为N型FinFET管，第二FinFET管、第四FinFET管、第七FinFET管和第八FinFET管均为P型FinFET管；优点是在保证读操作稳定性的基础上，可以得到较高的写噪声容限，存储值结果稳定，电路功能稳定，且漏功耗较小，同时延时也较小
存储单元写位线存取数据电路功能快速稳定噪声容限读操作读位线读字线写字线反相功耗延时存储保证

[发明专利]一种基于FinFET器件的脉冲型D触发器-CN201610256175.8有效
发明人：胡建平;马天放;张绪强 -专利权人：宁波大学
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H03K3/3562 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FinFET器件的脉冲型D触发器，包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第五反相器、第六反相器和二输入或非门；第一FinFET管、第二FinFET管和第三FinFET管为P型FinFET管，第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第七FinFET管为N型FinFET管，第一FinFET管和第二FinFET管的鳍的个数为1，第三FinFET管的鳍的个数为3，第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第七FinFET
一种基于 finfet 器件脉冲触发器

[发明专利]基于FinFET晶体管的电流模RM或非-异或单元电路-CN201710259212.5有效
发明人：胡建平;熊阳;杨廷锋;汪佳峰 -专利权人：宁波大学
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FinFET晶体管的电流模RM或非‑异或单元电路，第一P型FinFET管、第二P型FinFET管、第一N型FinFET管、第二N型FinFET管、第三N型FinFET管、第四N型FinFET管、第五N型FinFET管、第六N型FinFET管和第七N型FinFET管，第一P型FinFET管和第二P型FinFET管分别为低阈值P型FinFET管，第一N型FinFET管、第二N型FinFET管、第三N型FinFET管、第四N型FinFET管、第五N型FinFET管和第七N型FinFET管为低阈值N型FinFET管，第六N型FinFET管为高阈值N型FinFET管；优点是在具有正确的逻辑功能的基础上
基于 finfet 晶体管电流 rm 单元电路

[发明专利]一种基于FinFET器件的读去耦存储单元-CN201710462406.5有效
发明人：胡建平;杨会山 -专利权人：宁波大学
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： G11C11/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FinFET器件的读去耦存储单元，包括写字线、写位线、反相写位线、读字线、读位线、第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第八FinFET管和第九FinFET管，第一FinFET管、第二FinFET管和第七FinFET管分别为低阈值的P型FinFET管，第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第九FinFET管分别为为低阈值的N型FinFET管，第八FinFET管为高阈值的N型FinFET管；优点是在不影响电路性能的情况下，延时、功耗和功耗延时积均较小
一种基于 finfet 器件读去耦存储单元

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