专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]平面结构EBG-CN201180017228.6无效
  • 井上大辅 - 古河电气工业株式会社;古河AS株式会社
  • 2011-04-19 - 2012-12-19 - H01Q15/14
  • 本发明提供一种利用不足一个平面EBG元件分的剩余空间,能够确保高效率的抑制电波传播效果的平面EBG结构。将作为平面EBG结构的任意一个端部列设置的EBG元件形成为在小于EBG元件的宽度的位置被切断的结构,从而能够提高较少排列数量中的平面EBG结构的抑制电波传播效果。尤其是,将端部列EBG元件形成为3/4以上小于1,能够以简单的结构获得较高的抑制电波传播效果。
  • 平面结构ebg
  • [发明专利]一种双频EBG结构以及基于该双频EBG结构的微带天线-CN201710263959.8有效
  • 张晓燕;马海涛;展爱云;刘志伟;喻易强 - 华东交通大学
  • 2017-04-21 - 2020-12-11 - H01Q1/36
  • 本发明公开了一种双频EBG结构,包括金属接地板、介质基板、周期性排列的多个EBG金属贴片和导电过孔构成,EBG金属贴片和金属接地板分别位于介质基板的上下表面,导电过孔设置在EBG金属贴片中心用于连接EBG金属贴片和金属接地板,EBG金属贴片的四周边缘蚀刻有四个关于EBG金属贴片中心对称分布的矩形细槽和四个四分之一圆环形槽。一种基于双频EBG结构的微带天线,包括微带贴片天线和加载在其周围的上述结构的双频EBG结构,微带贴片天线位于介质基板的上表面并且其采用的天线辐射贴片上蚀刻两个对称的矩形开槽和C形弯折枝节槽。通过在微带天线的四周加载EBG结构,抑制天线的表面波,提高天线的工作带宽,增加天线的增益同时降低天线的后向辐射。
  • 一种双频ebg结构以及基于微带天线
  • [发明专利]加载EBG表面的毫米波SIW喇叭天线-CN202010332112.2在审
  • 张金平;杨溢;周志鹏 - 中国电子科技集团公司第十四研究所
  • 2020-04-24 - 2020-07-14 - H01Q1/38
  • 本发明公开了一种加载EBG表面的毫米波SIW喇叭天线,属于天线微波技术领域。本发明包括依次压合在一起的上EBG层金属板(4)、上EBG层介质基板(1)、上辐射层金属板(5)、辐射层介质基板(2)、下辐射层金属板(6)、下EBG层介质基板(3)和下EBG层金属板(7),以及与上辐射层金属板(5)共面互连的馈电层金属板(8),与下辐射层金属板(6)共面互连的馈电层金属地(9);上EBG层金属板(4)上分布有金属贴片阵和金属化过孔(10);上、下EBG层金属板结构一致,上下EBG层介质基板结构一致本发明提供一种高前后比、高增益的小口径的加载EBG表面的毫米波SIW喇叭天线。
  • 加载ebg表面毫米波siw喇叭天线
  • [实用新型]一种新型平面EBG结构的低耦合微带天线-CN202120204700.8有效
  • 罗文涛 - 北京华通嘉业科技有限公司
  • 2021-01-26 - 2021-11-02 - H01Q1/52
  • 本实用新型涉及一种新型平面EBG结构的低耦合微带天线,包括第一介质基板、第一微带天线、第二微带天线、第二介质基板,第一微带天线、第二微带天线、第二介质基板均设置在第一介质基板顶部,第一微带天线、第二微带天线对称设置在第二介质基板左右两侧,第二介质基板上从上到下依次设置有第一EBG结构单元、第二EBG结构单元、第三EBG结构单元,所述第一EBG结构单元、第二EBG结构单元、第三EBG结构单元上均设置有折线形槽,去耦单元为三个周期性EBG单元,该EBG单元是在一个E形的贴片上附贴了两个方向相反的L形贴片构成的,三个周期去耦单元之间的距离相同,该新型平面EBG结构单元会降低天线单元之间的电磁波的传播,从而达到很好的降耦作用。
  • 一种新型平面ebg结构耦合微带天线
  • [实用新型]一种对SSN具有超带宽抑制能力的新型EBG结构-CN201720232112.9有效
  • 靳蒙蒙;胡华清;孙志敏 - 西安电子科技大学
  • 2017-03-10 - 2017-09-19 - H01P1/203
  • 本实用新型公开了一种对SSN具有超带宽抑制能力的新型EBG结构,包括传统Meader L‑bridge结构单元、增强型AI‑EBG结构单元、新型嵌入式EBG结构单元,EBG金属电源层的顶部刻蚀有矩形细槽,金属接地板位于介质层的底部,且为底部的表面层上,EBG金属电源层位于介质层的顶部,且为顶部的表面层上,传统Meader L‑bridge结构单元中内嵌设置有增强型AI‑EBG结构结构单元,新型嵌入式EBG本实用新型通过在传统的Meader L‑bridg结构的中心刻蚀四个完全相同且中心对称的矩形细槽,实现了超带宽抑制SSN的设计,具有超带宽抑制能力,且能抑制同步开关噪声,通过内嵌的思想,构建新型EBG结构
  • 一种ssn具有带宽抑制能力新型ebg结构

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