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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]CuGaSe2-CN202210855553.X在审
发明人：张运祥;张勤芳;徐诗诗;王仲杰;陈锦;侯海军;石林;戴海璐;刘超 -专利权人：盐城工学院
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种CuGaSe2基太阳电池，包括：衬底；Mo背电极，形成在衬底上；CuGaSe2吸收层，形成在Mo背电极上，配置为响应于太阳光而产生光生载流子；Ga2Se3缓冲层，形成在CuGaSe22Se3缓冲层与CuGaSe2吸收层异质结界面处形成spike结构；前电极，形成在透明导电层上，配置为接收光生载流子；其中，Ga2Se3缓冲层配置为减小CuGaSe本发明还公开了一种上述的CuGaSe2基太阳电池的制备方法。
cugase base sub

[发明专利]核壳结构的量子点及其制备方法和应用-CN201911395677.9有效
发明人：梁良;吴龙佳 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明属于量子点技术领域，尤其涉及一种核壳结构的量子点，包括CuGaSexS2‑x量子点内核，和形成在所述CuGaSe本发明提供的CuGaSexS2‑x/ZnSeS核壳结构量子点或CuGaSexS2‑x/ZnSeS/ZnS核壳结构量子点，通过稳定性好的ZnSeS壳层或者ZnSeS/ZnS壳层对稳定性欠佳的CuGaSex
结构量子及其制备方法应用

[发明专利]一种二维非层状CuGaSe2-CN202111094633.X有效
发明人：王文亮;冯文玲;王卫华;赵玉彤;张文骞;刘梦雪 -专利权人：曲阜师范大学
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开一种二维非层状CuGaSe2多孔纳米材料及其制备方法和应用。该纳米材料的微观形貌为纳米级多孔片状结构，且该纳米材料的晶型为四方相。（3）在所述B溶液进行溶剂热反应的过程中加入溶有镓源的油胺溶液，继续进行溶剂热反应，完成后分离出固体产物，即得二维非层状CuGaSe2多孔纳米材料。相对于现有的纳米颗粒形态的CuGaSe2，本发明方法制备的CuGaSe2材料为高结晶度的二维非层状多孔纳米材料，具有优异的环境污染物降解能力
一种二维层状 cugase base sub

[发明专利]太阳能电池用光吸收层及其制备方法-CN200580046447.1无效
发明人：崔寅焕 -专利权人：银太阳科技发展公司
申请日： 2005-02-03 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：公开了一种具有增强的日光吸收作用的太阳能电池用光吸收层，该光吸收层包括互相层合的CuGaSe₂、CuIn_1-xGa_xSe₂₂Se薄膜；通过金属有机化学气相沉积，使用含有Ga和Se的单独前体在Cu₂Se薄膜上形成CuGaSe₂薄膜；以及通过金属有机化学气相沉积，使用含有In和Se的单独前体以及Cu前体在CuGaSe₂薄膜上形成CuGaSe₂/CuInSe
太阳能电池用光吸收及其制备方法

[发明专利]一种柔性不锈钢衬底上CIGS吸收层制备方法-CN201210035817.3无效
发明人：马格林;张建柱;孙玉娣;彭博 -专利权人：任丘市永基光电太阳能有限公司
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：改进的三步共蒸发法为先在Mo表面沉积CuGaSe2薄层，随后采用类似三步共蒸发法的前两步，分别沉积(InGa)2Se3预制层和富铜化学计量比的Cu(InGa)Se2和二次相CuxSe，然后用Br2水溶液刻蚀掉二次相该方法得到的CIGS吸收层，具有既产生了Ga的后偏析，Mo/CIGS界面处形成CuGaSe2和MoSe2，又形成大的柱状晶粒和表面贫铜富铟的镜面结构。
一种柔性不锈钢衬底 cigs 吸收制备方法

[发明专利]一种水相法制备CuGaSe₂纳米晶的方法-CN201511026900.4在审
发明人：房永征;郑新峰;刘玉峰;侯京山;张娜;赵国营 -专利权人：上海应用技术学院
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种水相法制备CuGaSe₂纳米晶的方法。
一种法制 cugase sub 纳米方法

[发明专利]一种CuInSe₂基薄膜太阳能电池-CN201010212923.5有效
发明人：张晓勇;王东;李学耕 -专利权人：普尼太阳能(杭州)有限公司
申请日： 2010-06-28 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种CuInSe2基薄膜太阳能电池，依次由基底、金属正极、由CuAlSe2/CuAlxGa1-xSe2/CuGaSe2薄膜依次构成的反射层、由CuIn1-mGamSe2/CuInSe2-ySy
一种 cuinse sub 薄膜太阳能电池

[发明专利]铜铟镓硒靶材连续溅射制备CIGS太阳电池吸收层的新工艺-CN201110293017.7有效
发明人：王应民;李清华;徐章程;李禾 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2011-10-07 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：使用不同组成的CIGS靶材进行连续溅射制备出CIGS太阳电池吸收层，通过溅射(In,Ga)Se或(In,Ga)2Se3靶材和多元共蒸发In、Se金属，调整CIGS太阳电池吸收层的组成，得到p+-CuGaSe2
铜铟镓硒靶材连续溅射制备 cigs 太阳电池吸收新工艺

[实用新型]一种CuInSe₂基薄膜太阳能电池-CN201020241912.5有效
发明人：张晓勇;王东;李学耕 -专利权人：普尼太阳能(杭州)有限公司
申请日： 2010-06-28 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种CuInSe2基薄膜太阳能电池，依次由基底、金属正极、由CuAlSe2/CuAlxGa1-xSe2/CuGaSe2薄膜依次构成的反射层、由CuIn1-mGamSe2/CuInSe2-
一种 cuinse sub 薄膜太阳能电池

[发明专利]一种铜镓硒纳米晶及利用其制得的钙钛矿太阳能电池-CN202110376307.1在审
发明人：张振龙;毛艳丽;马梦恩;马文博 -专利权人：河南大学
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开一种铜镓硒纳米晶及利用其制得的钙钛矿太阳能电池，其中，CuGaSe2纳米晶的制备方法，过程如下：（1）将等摩尔量的碘化亚铜和碘化镓加入三颈烧瓶中，然后再加入油胺和十八烯
一种铜镓硒纳米利用钙钛矿太阳能电池

[发明专利]一种超薄半透明薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201710369916.8有效
发明人：梁军;杨晓杨;闵煜鑫;潘锋 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：包括依序层叠的玻璃基底、透明导电薄膜层、N型过渡层、吸光层、钝化层和背电极；钝化层为铜掺杂半导体层，背电极为NTO导电薄膜，吸光层为CdTe薄膜、CdSe薄膜、CdZnTe薄膜、CdSeTe薄膜、CdMgTe薄膜、CuGaSe
半透明薄膜薄膜太阳能电池钝化层吸光层半导体层背电极铜掺杂制备申请电池透明导电薄膜层光电转化效率可见光透过率导电薄膜界面接触整流效应玻璃基过渡层悬挂键短路隧穿

[发明专利]一种钠钙玻璃衬底上CIGS吸收层的制备方法-CN201210035816.9无效
发明人：马格林;张建柱;孙玉娣;彭博 -专利权人：任丘市永基光电太阳能有限公司
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种钠钙玻璃衬底上高光电转换效率Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层的沉积方法，该沉积方法采用改进的三步共蒸发法，先在Mo表面沉积CuGaSe2薄层，随后采用类似三步共蒸发法的前两步，分别沉积
一种玻璃衬底 cigs 吸收制备方法

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