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- [发明专利]热电装置-CN201880014495.X有效
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C·保利
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IEE国际电子工程股份公司
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2018-03-01
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2020-10-16
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H01L35/32
- 的顶表面(11)的至少一个沟道层(10),其中每个沟槽(12)的每个侧表面(12.1)包括带有一对拓扑保护的一维电子沟道(15)的导电区(14),每个沟道层(10)包括配置用于类似电子传导的至少一个n区域(10.3)和配置用于类似空穴传导的至少一个p区域(10.4),所述n区域(10.3)和p区域(10.4)交替地设置并从沟道层(10)的第一端(10.1)延伸至第二端(10.2),每个n区域(10.3)包括从第一端12.3),并且每个p区域(10.4)包括从第二电极(19)延伸至第一电极(17,18,19)的至少一个p沟槽(12.5),其中第一电极(16,17,18)和第二电极(19)交替地设置以连接相邻区域(10.3
- 热电装置
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