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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种非晶合金钢笔笔尖及钢笔及其制造方法-CN201510071836.5在审
发明人：李奉珪 -专利权人：东莞台一盈拓科技股份有限公司
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： B22D17/00 文献下载
摘要：本发明涉及非晶合金的应用技术领域，特别是涉及一种非晶合金钢笔笔尖及钢笔及其制造方法，该钢笔笔尖是采用锆基非晶合金、铜基非晶合金、钛基非晶合金、镍基非晶合金、钯基非晶合金或铁基非晶合金而制造的非晶合金钢笔笔尖非晶合金钢笔笔尖的制造方法，利用非晶合金的合金锭通过甩带法、吸铸法、快速放电成型法、连续铸造法、压铸成型法或者热塑成型法制备非晶合金钢笔笔尖。该非晶合金钢笔笔尖具有高强度、高弹性、耐磨、耐腐蚀、表面光洁度高、不易变形、书写流畅和书写手感好的优点。
一种合金钢笔笔尖及其制造方法

[发明专利]一种非晶合金标志牌及其制造方法-CN201510071791.1有效
发明人：李奉珪 -专利权人：东莞台一盈拓科技股份有限公司
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： C22C45/10 文献下载
摘要：本发明涉及非晶合金的应用技术领域，特别是涉及一种非晶合金标志牌及其制造方法，该标志牌是采用锆基非晶合金、铜基非晶合金、钛基非晶合金、镍基非晶合金、钯基非晶合金或铁基非晶合金而制造的非晶合金标志牌。非晶合金标志牌的制造方法，利用非晶合金的合金锭通过压铸成型法、甩带法、吸铸法、快速放电成型法、连续铸造法或者热塑成型法制备非晶合金标志牌。该非晶合金标志牌具有耐磨、耐刮、耐腐蚀、美观、高强度、高硬度和高弹性的优点，该非晶合金标志牌的制造方法能够避免大量机加工工序，并且具有生产成本低的优点。
一种合金标志及其制造方法

[发明专利]一种非晶合金手机弹片及手机及其制造方法-CN201510071784.1有效
发明人：李昊度 -专利权人：东莞帕姆蒂昊宇液态金属有限公司
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H04M1/02 文献下载
摘要：本发明涉及非晶合金的应用技术领域，特别是涉及一种非晶合金手机弹片及手机及其制造方法，该手机弹片是采用锆基非晶合金、铜基非晶合金、钛基非晶合金、镍基非晶合金、钯基非晶合金或铁基非晶合金而制造的非晶合金手机弹片非晶合金手机弹片的制造方法，利用非晶合金的合金锭通过压铸成型法、甩带法、吸铸法、快速放电成型法、连续铸造法或者热塑成型法制备非晶合金手机弹片。该非晶合金手机弹片具有优异的弹性，从而大大提高手机音量键、开关机键、震动马达等部件的手感，非晶合金手机弹片还具有高强度、高硬度、耐磨、耐刮、耐腐蚀和韧性好的优点。该非晶合金手机弹片的制造方法具有机械加工量小、加工时间短、生产效率高且生产成本低的优点。
一种合金手机弹片及其制造方法

[发明专利]手机摄像头的非晶合金保护框架及手机摄像头及其制造方法-CN201510071795.X有效
发明人：李奉珪 -专利权人：东莞台一盈拓科技股份有限公司
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H04M1/02 文献下载
摘要：本发明涉及非晶合金的应用技术领域，特别是涉及手机摄像头的非晶合金保护框架及手机摄像头及其制造方法，该保护框架是采用锆基非晶合金、铜基非晶合金、钛基非晶合金、镍基非晶合金、钯基非晶合金或铁基非晶合金而制造的非晶合金保护框架非晶合金保护框架的制造方法，利用非晶合金的合金锭通过压铸成型法、甩带法、吸铸法、快速放电成型法、连续铸造法或者热塑成型法制备非晶合金保护框架。该非晶合金保护框架具有高强度、高硬度、高弹性、耐磨、耐刮、耐腐蚀和抛光性能好的优点，该手机摄像头的非晶合金保护框架的制造方法具有机械加工量小、加工时间短、生产效率高且生产成本低的优点。
手机摄像头合金保护框架及其制造方法

[发明专利]一种非晶合金耳机挂及耳机及其制造方法-CN201510071838.4在审
发明人：李奉珪 -专利权人：东莞台一盈拓科技股份有限公司
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H04R1/10 文献下载
摘要：本发明涉及耳机挂技术领域，特别是涉及一种非晶合金耳机挂及耳机及其制造方法，该耳机挂是采用锆基非晶合金、铜基非晶合金、钛基非晶合金、镍基非晶合金、钯基非晶合金或铁基非晶合金而制造的非晶合金耳机挂。非晶合金耳机挂的制造方法，利用非晶合金的合金锭通过压铸成型法、甩带法、吸铸法、快速放电成型法、连续铸造法或者热塑成型法制备非晶合金耳机挂。非晶合金耳机挂具有高强度、高硬度、高弹性、耐磨、耐刮、耐腐蚀、防过敏、防磁和舒适度好的优点。
一种合金耳机及其制造方法

[发明专利]一种大块非晶合金纳米化方法-CN03133630.2无效
发明人：张甲;董盼;王建强;全明秀;胡壮麒 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2003-08-01 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： C22F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及金属材料组织纳米化技术，具体为一种通过压力晶化法使大块非晶合金纳米化方法。通过压力晶化法大块非晶合金纳米化，具体步骤如下：1)用电弧炉将母合金反复熔炼；2)采用铜模铸造法制成mm级大块非晶；3)首先对该非晶合金加压，压力为3－5GPa，然后对大块非晶加热，加热温度为450～550℃，然后保温，保温时间为10－60min，自然冷却至室温后，卸掉压力，得到完全纳米级结构晶体或纳米晶/非晶复合结构。本发明通过压力晶化法得到的完全纳米级结构晶体或纳米晶/非晶复合结构晶体致密、无界面污染。
一种大块合金纳米方法

[发明专利]一种调控纳米非晶颗粒尺寸的方法-CN201710153635.9在审
发明人：吴斌;孙铭;郭春雨;兰司;冯涛 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： C25D3/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种调控纳米非晶颗粒尺寸的方法，通过调控电沉积法过程中电流密度对镍磷纳米非晶进行非晶颗粒的纳米级别尺寸控制，使得电沉积薄膜由不同尺寸的纳米非晶颗粒堆垛而成，非晶合金的无序结构相比晶体材料长程有序结构，这种无序结构带来了优秀的物理性能，而纳米非晶相比非晶，具有网络状的非晶界面，以及网格内部的非晶颗粒。本发明通过简单多相脉冲电流沉积法，解决了纳米非晶制备工艺的复杂性，得到未氧化的不存在气孔的制备工艺，这种方法最关键的是可以控制颗粒尺寸，同时调节内部自由体积的比例。
非晶无序结构制备工艺调控脉冲电流沉积长程有序尺寸控制电沉积法非晶合金晶体材料纳米级别内部自由物理性能电沉积颗粒堆网络状镍磷网格薄膜

[发明专利]一种利用恒电流法测试非晶条带钝化膜转变电位的方法-CN202011077799.6有效
发明人：王伟民;张昊;闫芝成 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G01N27/416 文献下载
摘要：本发明涉及非晶条带钝化膜转变电位的技术领域，尤其涉及一种利用恒电流法测试非晶条带钝化膜转变电位的方法，包括如下步骤：将非晶条带置于三电极工作站中，测试TAFEL曲线，得到钝化平台，从钝化平台上选取电位值点；针对选取的电位值点，按照恒电流法测试，得到非晶条带的转变电位。本发明扩大了铁基合金以及非晶材料的应用领域，可以将非晶运用到更多的实际生产中，发挥非晶合金更大的作用，使其具有更大的应用前景。
一种利用电流测试条带钝化转变电位方法

[发明专利]一种非晶合金近终型铸件的成型装置及制备方法-CN202010675376.8有效
发明人：李炳;孔一龙;范新会;王鑫;李艳红;杨珂;王昭;赵进北;刘杰 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： B22D18/06 文献下载
摘要：本发明提供的一种非晶合金近终型铸件的成型装置，该成型装置包括真空室、红外测温仪、水冷系统、铜模具、浇口杯、坩埚、感应线圈；本发明还提供一种浇铸‑吸铸相结合的非晶合金近终型铸件的制备方法，包括步骤S1：称取合金原料；步骤S2：清洗并干燥合金原料；步骤S3：对真空室进行抽真空；步骤S4：制备非晶合金近终型铸件；步骤S5：对非晶合金近终型铸件进行后处理。本发明实现了大体积非晶合金快速成型，利用浇铸‑吸铸法解决了传统浇铸法充型能力差的问题及传统吸铸法无法制备大体积的非晶合金的问题。
一种合金近终型铸件成型装置制备方法

[发明专利]半导体薄膜、半导体薄膜的制备方法和半导体元件-CN201310154043.0无效
发明人：井上一吉;宇都野太;本田克典 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2008-04-23 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C03C17/23 文献下载
摘要：将含有非晶质氧化物的非晶质氧化物薄膜暴露于用高频率激发含有氧的气体而产生的氧等离子体中。氧等离子体的产生条件优选外加频率数为1kHz以上300MHz以下、压力为5Pa以上。另外，优选利用溅射法、离子镀法、真空蒸镀法、溶胶凝胶法、微粒涂布法的任一者暴露非晶质氧化物薄膜。
半导体薄膜制备方法元件

[发明专利]半导体薄膜、半导体薄膜的制备方法和半导体元件-CN200880015165.9无效
发明人：井上一吉;宇都野太;本田克典 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2008-04-23 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： C01B13/14 文献下载
摘要：将含有非晶质氧化物的非晶质氧化物薄膜暴露于用高频率激发含有氧的气体而产生的氧等离子体中。氧等离子体的产生条件优选外加频率数为1kHz以上300MHz以下、压力为5Pa以上。另外，优选利用溅射法、离子镀法、真空蒸镀法、溶胶凝胶法、微粒涂布法的任一者暴露非晶质氧化物薄膜。
半导体薄膜制备方法元件

[发明专利]一种非晶合金磁性粉末加工方法-CN202310917978.3在审
发明人：商燕彬;瞿德林;王晓祥;蒲成刚;李丛俊 -专利权人：天长市中德电子有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B22F9/08 文献下载
摘要：本发明涉及非晶合金磁性粉末加工技术领域，且公开了一种非晶合金磁性粉末加工方法，包括以下步骤：S1：配料：对非晶合金磁性粉末生产原料进行配料；S2：熔炼：将步骤S1配备的原料进行熔炼，得到合金液；S3：粉末制备：通过气雾化法进行制备，得到有呈类球状的非晶粉末；S4：烘干：将步骤S3的呈类球状的非晶粉末进行烘干，得到烘干后的非晶合金磁性粉末；本发明非晶合金磁性粉末加工方法采用的气雾化法可有效降低在雾化过程中的杂质混入，使得本非晶合金磁性粉末更加纯净，质量更加优越，采用本方法原料配比制成的非晶合金磁性粉末磁导率更加稳定，本发明工艺制备便捷，适合推广。
一种合金磁性粉末加工方法

[发明专利]一种表面光滑四面体非晶碳膜及其制备方法和应用-CN202210880379.4在审
发明人：代伟;施运湛;王启民 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面光滑四面体非晶碳膜及其制备方法和应用，所述制备方法采用阴极真空电弧离子镀机装置制备，包括如下步骤：S1：控制基体表面法向和电弧石墨靶表面法向反向之间的夹角为80°～100°，刻蚀清洗基体；S2：沉积四面体非晶碳膜涂层；S3：退火降温，即得表面光滑四面体非晶碳膜。本发明利用阴极真空电弧沉积技术通过调控基体表面法向和电弧石墨靶表面法向反向之间的夹角为80°～100°得到了高硬度、致密且表面光滑的四面体非晶碳膜；另外，该表面光滑四面体非晶碳膜的制备方法具有设备简单、操作方便和离化率高等优点，有利于推进四面体非晶碳膜的工业化生产。
一种表面光滑四面体非晶碳膜及其制备方法应用

[发明专利]非共形非晶硅的沉积方法及制备的半导体结构、电子设备-CN202011061661.7在审
发明人：李相遇;项金娟;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种非共形非晶硅的沉积方法。一种非共形非晶硅的沉积方法，包括下列步骤：在半导体衬底上经过沟槽刻蚀后，得到有源区目标图形；采用原子层沉积法在所述有源区目标图形表面沉积非共形非晶硅膜，然后进行后续氧化工艺，制成半导体器件。本发明采用原子层沉积法(Atomic layer deposition，ALD)代替传统的CVD，利用脉冲供料方式沉积非共形非晶硅膜，解决了现有技术有源区顶部厚度不足、台阶覆盖率无法调节以及硅源受限等问题
非共形非晶硅沉积方法制备半导体结构电子设备

[发明专利]非晶丝在非轴向磁场作用下的巨磁阻抗建模方法-CN201710890013.4有效
发明人：许洪光;路小菲;胡琴芳 -专利权人：哈尔滨工业大学深圳研究生院
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提出了一种非晶丝在非轴向磁场作用下的巨磁阻抗建模方法，首先利用LLG方程，对磁化矢量旋转方程进行约束，建立非晶丝内部总能量的表达式；然后，根据体系自由能最小原理，建立磁化矢量运动方程，通过对运动方程求解得到非轴向磁场作用下非晶丝磁导率张量，利用磁场强度和磁感应强度的本征关系以及麦克斯韦方程，建立关于非晶丝环向和轴向磁场参量的电磁场方程；最后针对高频和低频的应用条件，对非晶丝电磁场方程的解进行简化，使用高频近似法和低频近似法得到了非晶丝巨磁阻抗的一般表达式本发明能精确建立非晶丝在非轴向磁场下的巨磁阻抗传感模型，给出巨磁阻抗的计算方法。
非晶丝轴向磁场作用磁阻建模方法

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