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[发明专利]超纯三氯氢硅分离的热泵精馏间壁塔装置及操作方法-CN201210043998.4有效
发明人：刘春江;郭凯;袁希钢;丁晖殿 -专利权人：天津大学
申请日： 2012-02-24 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及超纯三氯氢硅分离的热泵精馏间壁塔装置以及操作方法。通常为了得到高纯度的三氯氢硅，需要经过多塔的分离才能将原料中的轻重杂质除去，并且耗费大量的能量。而采用热泵精馏间壁塔装置，在一个间壁塔内就可以实现多种轻重杂质的完全脱除，得到超纯的三氯氢硅，并且通过热泵达到降低能耗的目标。间壁塔内的隔板将塔分为进料段、塔顶段、塔底段以及侧线产品段，在合适的控制参数下，在侧线段的合适位置能得到超高纯度的三氯氢硅产品。本发明的优点在于集合了热泵精馏以及间壁塔的特点，在一塔内完成不同杂质的脱除，在得到超纯三氯氢硅产品的同时大幅度降低能耗，减少设备投资。
超纯三氯氢硅分离精馏间壁装置操作方法

[实用新型]超纯三氯氢硅分离的热泵精馏间壁塔装置-CN201220064702.2有效
发明人：刘春江;郭凯;袁希钢;丁晖殿 -专利权人：天津大学
申请日： 2012-02-24 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型涉及超纯三氯氢硅分离的热泵精馏间壁塔装置。通常为了得到高纯度的三氯氢硅，需要经过多塔的分离才能将原料中的轻重杂质除去，并且耗费大量的能量。而采用热泵精馏间壁塔装置，在一个间壁塔内就可以实现多种轻重杂质的完全脱除，得到超纯的三氯氢硅，并且通过热泵达到降低能耗的目标。间壁塔内的隔板将塔分为进料段、塔顶段、塔底段以及侧线产品段，在合适的控制参数下，在侧线段的合适位置能得到超高纯度的三氯氢硅产品。本实用新型的优点在于集合了热泵精馏以及间壁塔的特点，在一塔内完成不同杂质的脱除，在得到超纯三氯氢硅产品的同时大幅度降低能耗，减少设备投资。
超纯三氯氢硅分离精馏间壁装置

[发明专利]超纯三氯氢硅制备的多级全热耦合精馏生产装置和工艺方法-CN201110151035.1有效
发明人：袁希钢;龚超;刘春江;段长春 -专利权人：天津大学
申请日： 2011-06-07 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及超纯三氯氢硅采用全热耦合精馏的生产装置和工艺方法。通常对高纯度三氯氢硅原料液的提纯需要经过多次脱轻塔和脱重塔的处理，将原料液中的轻重杂质进一步除去，以得到超纯三氯氢硅。采用全热耦合精馏的生产工艺，通过两个全热耦合精馏塔的串联，使高纯三氯氢硅原料液在经过两次全热耦合之后，在二次塔的侧线实现三氯氢硅超纯浓度的提取，而原料液中的轻重杂质组分则分别从两塔的主塔塔顶和塔釜馏出。
超纯三氯氢硅制备多级耦合精馏生产装置工艺方法

[发明专利]一种制备高纯三氯氢硅的装置及方法-CN201810454678.5有效
发明人：王生红;曹玲玲;鲍守珍;蔡延国;宗冰;李彦;董海涛;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）股份有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅生产领域，具体涉及一种制备高纯三氯氢硅的装置及方法。本发明提供的制备高纯三氯氢硅的装置，在使用过程中，将制备好的三氯氢硅通入过滤装置中，将其中杂质进行过滤，并将三氯氢硅通入检测评价装置，检测到三氯氢硅的纯度达到预设值时，将三氯氢硅通入还原炉内。当检测装置检测三氯氢硅的纯度未达到预设值时，将三氯氢硅通入制备装置内，重新通过过滤装置再次进行过滤至其纯度达到预设值。本发明提供的制备高纯三氯氢硅的装置操作简单，可制备纯度高的三氯氢硅，同时提高了生产的高效化，且降低了生产成本。本发明提供的制备高纯三氯氢硅的方法，采用上述的制备高纯三氯氢硅的装置，因此也具有上述的有益效果。
一种制备高纯三氯氢硅装置方法

[发明专利]提纯三氯氢硅的方法及系统-CN202010120663.2有效
发明人：吴锋;李明峰;李福中;韩秀娟;王海豹 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了提纯三氯氢硅的方法及系统。其中，提纯三氯氢硅的方法包括：(1)采用碱性溶液对金属氧化物微球进行表面处理，以便在所述金属氧化物微球表面形成羟基；(2)将三氯氢硅与步骤(1)得到的微球混合并进行脱重处理，以便使所述羟基与三氯氢硅和有机物杂质反应并除去反应产物，得到初级纯化的三氯氢硅；(3)对步骤(2)得到的三氯氢硅进行脱轻处理和脱重处理，以便得到高纯三氯氢硅。该方法不仅工艺简单，还可以高效去除三氯氢硅中的有机物杂质，使最终得到的高纯三氯氢硅产品中有机物杂质的质量浓度不高于20ppb。
提纯三氯氢硅方法系统

[发明专利]一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法-CN201110200460.5有效
发明人：徐恒泳;唐春华;孙剑;董恩宁;侯守福 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2011-07-18 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： C01B3/56 文献下载
摘要：一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法。采用两组串联的金属钯复合膜氢气纯化器，对三氯氢硅还原循环氢气进行提纯处理，其中第一组金属钯复合膜氢气纯化器相对较大，提纯处理的超纯氢气(H2纯度＞99.9999％)返回还原炉，用于三氯氢硅还原的原料气，而第二组氢气纯化器相对较小，提纯处理的高纯氢气(H2纯度-99.999％)去冷氢化工段作为原料气。当循环氢气中氯化氢含量较高时，需要采取必要的脱氯措施使得HCl含量降低到0.5ppm以下。利用该方法提纯的氢气生产多晶硅，可以明显提高多晶硅产品的纯度和质量，具有明显的节能减排效应。
一种三氯氢硅还原生产多晶循环氢气提纯处理方法

[实用新型]一种控制高纯三氯氢硅中二氯二氢硅含量的系统-CN202320868154.7有效
发明人：牛刚;刘华鹏;刘飞;李鹏 -专利权人：新疆大全新能源股份有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种控制高纯三氯氢硅中二氯二氢硅含量的系统，涉及多晶硅设备技术领域，主要目的是提供一种能够提高三氯氢硅中二氯二氢硅的比例控制的准确度的一种控制高纯三氯氢硅中二氯二氢硅含量的系统。本实用新型的主要技术方案为：一种控制高纯三氯氢硅中二氯二氢硅含量的系统，包括：存储部件；输送部件，第一管道的一端连接于三氯氢硅储罐，另一端连接于混合部件，第一控制部件设置在第一管道上，第二管道的一端连接于二氯二氢硅储罐本实用新型主要用于监测二氯二氢硅含量。
一种控制高纯三氯氢硅中二氯二氢硅含量系统

[发明专利]一种精三氯氢硅的生产方法-CN200910076297.9无效
发明人：王宝华 -专利权人：北京先锋创新科技发展有限公司
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及一种精三氯氢硅的生产方法，包括(1)在工业级三氯氢硅精馏工段增加预塔装置；(2)在预塔前增加加热器对加料进行预热；(3)预塔、三氯氢硅塔、四氯化硅塔内部采用填料和塔板复合的形式；(4)四氯化硅可来自四氯化硅塔下部的气相侧采；(5)三氯氢硅塔和四氯化硅塔可集成为一个塔或者采用双效精馏方法；(6)在冷却工段中除尘器之后冷凝器前增加洗涤塔装置；(7)对于洗涤塔采用底温余热驱动溴化锂机组产生冷水供冷却使用；(8)对合成热进行热集成和节能利用；(9)在三氯氢硅进行超纯精馏和精制过程中采用3～8个精馏塔和吸附塔或者络合精馏塔装置。本发明有投资低、能耗低且目标产物三氯氢硅的分离纯度高等优点。
一种精三氯氢硅生产方法

[发明专利]一种多补多排生产多晶硅和硅烷偶联剂的方法-CN202211244006.4在审
发明人：徐凯;赵长森;牛强;郭婷;李鹏 -专利权人：内蒙古鄂尔多斯多晶硅业有限公司;内蒙古鄂尔多斯电力冶金集团股份有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提供了一种多补多排生产多晶硅和硅烷偶联剂的方法，涉及多晶硅生产技术领域，包括步骤：将多补三氯氢硅与原料粗氯硅烷通入粗分塔中进行粗提纯后，通入精馏塔中提纯，得到高纯三氯氢硅和含杂质的三氯氢硅；高纯三氯氢硅通入还原炉生产多晶硅；含杂质的三氯氢硅通入高低沸塔中提纯，提纯后的三氯氢硅回到精馏塔提纯再用于生产多晶硅，未回到精馏塔的三氯氢硅多排出系统，生产硅烷偶联剂。本发明将高低沸塔中反复循环富集的杂质排出系统，从根本上解决多晶硅系统P杂质不易去除等问题；并将高低沸塔中未回到系统中的高杂质含量的三氯氢硅再多排出系统用于硅烷偶联剂的生产，增加了硅基产品的高附加值。
一种多补多排生产多晶硅烷偶联剂方法

[发明专利]三氯氢硅全热耦合集成多效精馏生产装置及生产方法-CN201310009641.9无效
发明人：刘春江;郭凯;袁希钢;丁晖殿 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及三氯氢硅全热耦合集成多效精馏生产装置以及工艺方法。通常为了得到高纯度的三氯氢硅，需要经过多塔的分离，耗费大量的能量。而采用全热耦合集成多效精馏生产装置，在操作压力不同的全热耦合精馏塔之间设置冷凝再沸器，不但可以实现轻重杂质的完全脱除，得到超纯的三氯氢硅，并且通过塔内的热耦合以及各个塔之间的热耦合达到降低能耗的目标。本发明的优点在于集合了压差能量耦合技术以及全热耦合精馏塔的优点，在一个系统中合理安排全热耦合精馏塔的个数以及相关的操作参数，在得到高纯度三氯氢硅产品的同时大幅度降低能耗。
三氯氢硅全热耦合集成精馏生产装置方法

[发明专利]一种三氯氢硅中ppb级硼和磷元素杂质的吸附除杂工艺-CN201510823969.3在审
发明人：柯汉奇;张鹏;许国华;陈静 -专利权人：宜昌南玻硅材料有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供一种三氯氢硅中ppb级硼和磷元素杂质的吸附除杂工艺，涉及电子级多晶硅生产领域。经过精馏提纯的液相三氯氢硅首先进入汽化器，经过加热后汽化，汽化后的三氯氢硅温度为40～110℃；气相三氯氢硅进入固定床对硼和磷元素杂质进行吸附，得到高纯三氯氢硅。本发明实现了三氯氢硅通过吸附过程去除硼、磷元素杂质的工艺方法，大幅降低了三氯氢硅中的含硼和磷元素杂质的含量，提升了三氯氢硅的品质，突破了国外的技术垄断，可为未来实现稳产电子级多晶硅奠定基础。
一种三氯氢硅中 ppb 元素杂质吸附杂工

[实用新型]一种三氯氢硅提纯装置-CN201020231452.8有效
发明人：孙亮 -专利权人：唐山三孚硅业有限公司
申请日： 2010-06-22 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：一种三氯氢硅提纯装置，属于化工生产设备技术领域，目的是提供一种能够提取高纯度三氯氢硅和四氯化硅、且可以大幅度地降低尾气总量的提纯装置，其技术方案是：它采用脱轻塔、两级三氯氢硅精馏塔和四氯化硅精馏塔结构，脱轻塔与第一级三氯氢硅精馏塔、第二级三氯氢硅精馏塔依次连接，四氯化硅精馏塔接在第二级三氯氢硅精馏塔后，在第二级三氯氢硅精馏塔与四氯化硅精馏塔之间还接有中间罐。本实用新型的优点是：高纯三氯氢硅产品中的B含量得到了明显的降低，可以适用目前国内所有多晶硅生产厂家的要求；高纯三氯氢硅产品的纯度及收率均得到了明显的提高；四氯化硅纯度可以适用各气相白炭黑厂家的使用要求；
一种三氯氢硅提纯装置

[发明专利]高纯三氯氢硅的制备方法及装置-CN202211207232.5在审
发明人：张燕南;郭树虎;万烨;赵雄;赵宇;王磊;常欣;袁振军;王国元;张兴毅;郭克涛;郭武辉 -专利权人：洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司;中国有色工程有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供一种高纯三氯氢硅的制备方法及装置，通过两级减压精馏即可获得电子级三氯氢硅。与现有技术提纯三氯氢硅相比，本发明通过仅需两级减压蒸馏即可达到常压三至五级精馏效果，获得电子级三氯氢硅的同时大大降低了能耗以及生产成本；通过两级减压精馏，明显提升了三氯氢硅产品的组分纯度，大幅度降低了B、P、Cu等金属痕量杂质的含量，获得适用于12寸硅片外延场景的三氯氢硅。
高纯三氯氢硅制备方法装置

[发明专利]三氯氢硅的提纯方法及多晶硅-CN202310190117.X在审
发明人：吴锋;张正阳;吴冬;赵春梅;田新;蒋文武;徐玲锋;袁北京 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种三氯氢硅的提纯方法及多晶硅，将三氯氢硅混料通入反应器中，所述三氯氢硅混料包括三氯氢硅和杂质，所述杂质包括二甲基氯硅烷和甲基二氯硅烷中的至少之一，所述反应器中放置有催化剂；将反应器加热至反应温度反应预定时间，使得所述二甲基氯硅烷和/或所述甲基二氯硅烷转化为三甲基氯硅烷，得到反应产物；对所述反应产物进行精馏处理，将所述三甲基氯硅烷去除，得到所述三氯氢硅。该方法不仅生产效率高，成本低，并且可以显著提高三氯氢硅提纯率，最终可得到高纯多晶硅产品。
三氯氢硅提纯方法多晶

[发明专利]一种四氯化硅氢化工艺和三氯氢硅制备高纯硅工艺-CN201710522320.7在审
发明人：于志远;何燕清;佘建峰;刘于航 -专利权人：于志远
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明为一种四氯化硅氢化工艺和三氯氢硅制备高纯硅工艺。一种三氯氢硅制备高纯硅工艺，包括(1)将三氯氢硅气体和氢气进入微通道混合加热器加热并混合，得加热后的混合气体；(2)将加热后的混合气体送入微通道反应器，加热并在催化剂的存在下反应，得反应后的混合物；(3)将反应后的混合物降温至后，进行固气分离，得高纯硅和冷却后的混合气体；将冷却后的混合气体中各个组分分离并回收利用。本发明所述的一种四氯化硅氢化工艺和三氯氢硅制备高纯硅工艺，与传统工艺相比，四氯化硅和三氯氢硅的转化率可以达到50％以上；该工艺与微化工工艺结合，从而可以提高转化率、生产工艺的安全性，降低能耗。
一种氯化氢化工艺三氯氢硅制备高纯

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