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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电扼流圈-CN98804977.5无效
发明人： A·柯林斯;J·西尔盖利斯;P·法利;R·赫斯盖瓦 -专利权人：联合讯号公司
申请日： 1998-03-18 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： H01F3/14 文献下载
摘要：这样的局部体积结晶把磁心的导磁率从几千降低到200至800范围内的值。通过切割磁心并且插入垫片来引入分立间隙。随间隙宽度和退火后的导磁率而定，可以获得200至40范围内的有效导磁率。其优点是，降低了导磁率的磁心在直流偏置磁场激励条件下保持其起始导磁率，并且呈现低的磁心损耗，使得它特别适合于功率因子校正应用场合。
电扼流圈

[发明专利]具有分布气隙的扼流圈-CN97191661.6无效
发明人： A·科林斯;J·斯尔盖利斯;J·阿鲍－埃利尔斯;R·J·马蒂斯;R·哈瑟加瓦 -专利权人：联合讯号公司
申请日： 1997-01-08 - 公布日： 2003-07-09 - 主分类号： H01F17/06 文献下载
摘要：由于退火处理，磁芯的非晶金属合金被部分纯晶超过10％的体积，并且在10千赫下具有导磁率为100-400，低的磁芯损耗(即在100千赫和0.1特斯拉下小于70瓦/公斤)，以及优异的DC偏置性能(即在3980安/米的DC偏置磁场或50奥斯特下维持起始导磁率的至少40％)。
具有分布扼流圈

[发明专利]扼流线圈-CN200810008023.1有效
发明人：谢明家;黄逸珉;谢蓝青;王永健 -专利权人：乾坤科技股份有限公司
申请日： 2008-03-03 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01F17/04 文献下载
摘要：磁性中柱具有一第一导磁率，第一导磁率约介于350至1200之间；线圈缠绕于中柱；磁性材料包覆线圈且具有一第二导磁率，第一导磁率大于第二导磁率，第二导磁率约介于5至30之间。本发明的扼流线圈利用适当选用中柱与磁性材料的导磁率范围，可使扼流线圈具有较佳的饱和特性及较大的可应用电流。
流线

[发明专利]一种具有无磁轨道的可重构式磁屏蔽房-CN202210173967.4有效
发明人：徐学平;孙津济;任建伊;周伟勇 -专利权人：北京航空航天大学;北京航空航天大学宁波创新研究院
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： E04H1/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有无磁轨道的可重构式磁屏蔽房，包括高导电磁屏蔽层、高导磁率磁屏蔽层组、屏蔽层间限位装置、无磁导轨组和垫板组；所述高导磁率磁屏蔽层组包括多个高导磁率磁屏蔽层，用于对静磁场或极低频磁场进行屏蔽；所述高导电磁屏蔽层用于对交流磁场进行屏蔽；所述屏蔽层间限位装置用于保持高导电磁屏蔽层与高导磁率磁屏蔽层之间以及高导磁率磁屏蔽层之间的间距；所述无磁导轨组包括设置在对应的高导磁率磁屏蔽层底部的无磁导轨，用于带动对应的高导磁率磁屏蔽层进行移动；所述垫板组包括设置在对应的高导磁率磁屏蔽层上表面的多个垫板。
一种有无磁轨可重构式磁屏蔽

[发明专利]磁性薄膜及线圈模块-CN201780011069.6有效
发明人：古川佳宏 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01F1/147 文献下载
摘要：磁性薄膜具备：在10MHz下的复导磁率实部为50以上且复导磁率虚部小于30的第1层；和设置在第1层上的、在10MHz下的复导磁率实部为50以上且复导磁率虚部为30以上的第2层。
磁性薄膜线圈模块

[发明专利]高导磁率的微晶材料-CN201210398782.X无效
发明人：朱正才 -专利权人：张家港市清大星源微晶有限公司
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C03C10/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高导磁率的微晶材料，包括铁、铌、铜、硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82.44±0.05％、铌元素所占的质量百分比为7.51±0.03％、铜元素所占的质量百分比为1.67±0.02％、硅元素所占的质量百分比为8.38±0.1％，其导磁率为150000亨利/米，最大导磁率为420000亨利/米，其导磁率与最大导磁率较之前都得到了增加。
导磁率材料

[发明专利]锰锌基铁氧体单晶材料和高频磁头-CN98108325.0无效
发明人：松井进;常田富士夫 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 1998-05-21 - 公布日： 1998-12-16 - 主分类号： H01F1/34 文献下载
摘要：通过向锰锌基铁氧体添加特定量的氧化镍,在20MHz或更高的高频范围可将起始导磁率的降低减至最小并可将电阻率加大。
锰锌基铁氧体材料高频磁头

[发明专利]一种具有导磁率的微晶材料-CN201210398748.2有效
发明人：朱正才 -专利权人：张家港市清大星源微晶有限公司
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C03C10/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有导磁率的微晶材料，包括铁、铌、铜、硅、硼五种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82.12±0.05％、铌元素所占的质量百分比为5.81±0.03％、铜元素所占的质量百分比为1.29±0.02％、硅元素所占的质量百分比为8.2±0.1％、硼元素所占的质量百分比为2.58±0.05％，其导磁率为170000亨利/米，最大导磁率为440000亨利/米，其导磁率与最大导磁率较之前都得到了增加。
一种具有导磁率材料

[发明专利]一种高导磁率的微晶材料-CN201210398750.X无效
发明人：朱正才 -专利权人：张家港市清大星源微晶有限公司
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C22C38/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种高导磁率的微晶材料，包括铁、铌、铜、硅、硼五种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82.23±0.05％、铌元素所占的质量百分比为5.34±0.03％、铜元素所占的质量百分比为2.12±0.02％、硅元素所占的质量百分比为8.31±0.1％、硼元素所占的质量百分比为2±0.05％，其导磁率为160000亨利/米，最大导磁率为430000亨利/米，其导磁率与最大导磁率较之前都得到了增加。
一种导磁率材料

[发明专利]磁场屏蔽结构-CN202011187628.9在审
发明人：吉川雅之;一之瀬健一;小里和久;西村宏行;加藤英俊 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：该屏蔽薄片(30)具有高导磁率薄片(34)和低导磁率薄片(36)层叠而成的成对层(32A)。该屏蔽薄片(30)以高导磁率薄片(34)位于相对于低导磁率薄片(36)的电机(14)侧也就是磁场产生源侧的姿态而被配置。
磁场屏蔽结构

[发明专利]一种微晶材料-CN201711049943.3在审
发明人：王各升 -专利权人：王各升
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C22C38/12 文献下载
摘要：硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82.34±0.05％、铌元素所占的质量百分比为6.77±0.03％、铜元素所占的质量百分比为1.49±0.02％、硅元素所占的质量百分比为9.4±0.1％，其导磁率为155000亨利/米，最大导磁率为422000亨利/米，其导磁率与最大导磁率较之前都得到了增加。
质量百分比最大导磁率微晶材料导磁率硅元素铁元素铜元素铌元素

[发明专利]一种微晶材料-CN201711054960.6在审
发明人：王各升 -专利权人：王各升
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： C22C38/12 文献下载
摘要：硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82.34±0.05％、铌元素所占的质量百分比为6.77±0.03％、铜元素所占的质量百分比为1.49±0.02％、硅元素所占的质量百分比为9.4±0.1％，其导磁率为155000亨利/米，最大导磁率为422000亨利/米，其导磁率与最大导磁率较之前都得到了增加。
质量百分比最大导磁率微晶材料导磁率硅元素铁元素铜元素铌元素

[发明专利]微晶材料-CN201210398781.5无效
发明人：朱正才 -专利权人：张家港市清大星源微晶有限公司
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： C22C45/02 文献下载
摘要：硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82.34±0.05％、铌元素所占的质量百分比为6.77±0.03％、铜元素所占的质量百分比为1.49±0.02％、硅元素所占的质量百分比为9.4±0.1％，其导磁率为155000亨利/米，最大导磁率为422000亨利/米，其导磁率与最大导磁率较之前都得到了增加。
材料

[发明专利]一种微晶材料-CN201210398749.7无效
发明人：朱正才 -专利权人：张家港市清大星源微晶有限公司
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C22C38/16 文献下载
摘要：83.31±0.05％、铌元素所占的质量百分比为5.69±0.03％、铜元素所占的质量百分比为1.29±0.02％、硅元素所占的质量百分比为7.9±0.1％、硼元素所占的质量百分比为1.81±0.05％，其导磁率为120000亨利/米，最大导磁率为360000亨利/米，其导磁率与最大导磁率较之前都得到了增加。
一种材料

[发明专利]电感元件及其制造方法-CN201310462621.7有效
发明人：山下保英;佐藤千绪美;会田智彦;石山茂树 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01F41/00 文献下载
摘要：本发明提供一种裂纹等的产生少、而且起始导磁率高、难以产生短路不良的电感元件以及能够低成本且容易地制造该电感元件的电感元件的制造方法。
电感元件及其制造方法

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