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[发明专利]提高单晶氧化锌纳米棒表面增强拉曼散射信号的方法-CN201410360550.4有效
发明人：佘广为;金亮亮;师文生 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： C30B7/12 文献下载
摘要：本发明涉及提高单晶氧化锌纳米棒表面增强拉曼散射信号的方法。本发明是通过在单晶ZnO纳米棒阵列上制备出一层多晶ZnO纳米颗粒薄膜，形成单晶ZnO纳米棒/多晶ZnO纳米颗粒薄膜核/壳结构的纳米棒阵列；以此单晶ZnO纳米棒/多晶ZnO纳米颗粒薄膜核/壳结构的纳米棒阵列作为表面增强拉曼散射基底本发明中的核/壳结构的纳米棒阵列的制备方法简单、条件温和并且时间短；与单晶ZnO纳米棒阵列相比，在对目标分子4-巯基吡啶进行拉曼散射信号的检测时，所述单晶ZnO纳米棒/多晶ZnO纳米颗粒薄膜核/壳结构的纳米棒阵列上可以检测到更强的目标分子
提高氧化锌纳米表面增强散射信号方法

[发明专利]一种基于倾斜纳米棒的圆二色性结构-CN201910627525.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：西安柯莱特信息科技有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于倾斜纳米棒的圆二色性结构，包括衬底层所述衬底层上设置有周期排列的结构单元，结构单元包括第一金属纳米棒、第二金属纳米棒；第一金属纳米棒的后侧面与第二金属纳米棒的前侧面相邻；所述第一金属纳米棒向左侧倾斜，所述第二金属纳米棒向右侧倾斜；该基于倾斜纳米棒的圆二色性结构，结构简单，制作工艺简单，便于大规模生产制作，具有很好的圆二色性，能够将圆二色性提高到10%～20%，使得圆二色性更加的突出，为圆二色性的应用奠定基础，最重要的一点，该基于倾斜纳米棒的圆二色性结构可以设置两个金属纳米棒不同角度的倾斜，使得两个金属纳米棒之间的夹度可调，从而实现圆二色性的调节。
圆二色性金属纳米棒纳米棒衬底层制作工艺周期排列后侧面前侧面夹度可调制作应用

[发明专利]构建纳米颗粒和纳米棒组合结构的方法及构建的组合结构-CN201210237377.X无效
发明人：王强斌;陈中 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了构建纳米颗粒和纳米棒组合结构的方法及构建的组合结构。该方法包括以下步骤：a、构建二维DNA基底；b、用单链DNA对纳米颗粒进行修饰，并用与修饰纳米颗粒的单链DNA不同的单链DNA对纳米棒进行修饰；c、将经单链DNA修饰过的纳米颗粒和纳米棒与二维DNA基底进行杂交，在二维DNA基底上形成纳米颗粒与纳米棒的组合结构，其中，二维DNA基底上连接有伸出二维DNA基底平面的与修饰纳米颗粒和纳米棒的单链DNA互补的单链DNA探针，与修饰同一个纳米棒的单链DNA互补的单链DNA本发明的构建纳米颗粒和纳米棒组合结构的方法可实现对纳米棒的可控操作，因此可构建所需结构的纳米颗粒和纳米棒组合结构。
构建纳米颗粒组合结构方法

[发明专利]一种平面金属纳米手性结构、制备方法和AT效应调控方法-CN201810354712.1有效
发明人：张中月;张永元;王菲;赵文静 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种平面金属纳米手性结构、制备方法和AT效应调控方法，该结构是由多个结构相同的纳米单元上下、左右组合阵列而成的手性结构；纳米单元包括金属纳米棒和位于金属纳米棒一侧的S形金属纳米结构；S形金属纳米结构具有手性特征；金属纳米棒为长方体，其宽度和厚度分别与S形金属纳米结构的宽度和厚度相等；金属纳米棒和S形金属纳米结构之间有间距；金属纳米棒和S形金属纳米结构均采用金材料。本发明结构由金属纳米棒和S形金属纳米结构两个单独的简单结构组合而成，能够在圆偏振光垂直照射下产生高效直入射非对称传输。此外，通过调节本发明的结构参数实现可预测的非对称传输频带光谱调整，对AT信号的强弱和峰值波段进行调控。
一种平面金属纳米手性结构制备方法 at 效应调控

[发明专利]一种实心二氧化硅包覆金纳米棒复合纳米材料的制备方法-CN201710330381.3有效
发明人：赵军伟;李继利;王玉江;陈建;贾铁昆 -专利权人：洛阳理工学院
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： B22F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种实心二氧化硅包覆金纳米棒复合纳米材料的制备方法，先制备出CTAB稳定的金纳米棒，然后采用MPEG‑SH替换金纳米棒表面的CTAB，得到表面偶联有MPEG‑SH分子的金纳米棒，在弱碱性条件下，通过正硅酸乙酯水解，得到致密实心二氧化硅包覆的金纳米棒复合结构，最后将制备得到的金纳米棒复合结构经过不同的高温处理后，金纳米棒仍然保持棒状的结构。本发明用MPEG‑SH分子替换了原有金纳米棒表面的CTAB分子，制备得到了致密的实心二氧化硅壳层，然后通过退火处理，进一步提高了金纳米棒复合纳米结构的热稳定性，所得实心二氧化硅包覆金纳米棒复合纳米材料最高可以耐受
金纳米棒制备二氧化硅复合纳米材料包覆致密复合结构替换正硅酸乙酯水解二氧化硅壳层复合纳米结构弱碱性条件高温处理热稳定性退火处理包覆的棒状耐受偶联

[发明专利]一种SnO2/ZnO纳米复合材料及其制备方法-CN201610297801.8有效
发明人：闫军锋;阮雄飞;张志勇;许曼章;贠江妮;赵武;邓周虎;翟春雪;王雪文;赵青;严崇勇;吕欣铭 -专利权人：西北大学
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种SnO2/ZnO纳米复合材料及其制备方法，包括ZnO纳米棒和在ZnO纳米棒上生长的SnO2纳米棒，所述的ZnO纳米棒长度为8～20μm，直径约为1μm，长径比为8～20，SnO2纳米棒在ZnO纳米棒上均匀生长，SnO2纳米棒的长度为600～1000nm，直径为40～60nm，长径比为10～25；通过水热法制备纤锌矿结构的ZnO单晶纳米棒，然后在ZnO单晶纳米棒上水热生长金红石结构的SnO2单晶纳米棒，水热制备过程中无需任何模板和催化剂，工艺简单，产率高，且成本低廉，适合批量生产；在初级结构ZnO纳米棒的非极性面上直接生长次级结构SnO2纳米棒，所制备的纳米复合材料形态均一、包覆紧密，可以作为雷达红外兼容隐身材料
一种 sno sub zno 纳米复合材料及其制备方法

[发明专利]单电子晶体管核心结构制备方法及单电子晶体管核心结构-CN201210237333.7有效
发明人：王强斌;陈中 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L29/76 文献下载
摘要：本发明公开了单电子晶体管核心结构的制备方法及单电子晶体管核心结构。该方法包括以下步骤：构建二维DNA基底；用单链DNA对纳米颗粒进行修饰，并用与修饰纳米颗粒的单链DNA不同的单链DNA对第一金纳米棒、第二金纳米棒和第三金纳米棒进行修饰；将经单链DNA修饰过的第一金纳米棒、第二金纳米棒、第三金纳米棒和纳米颗粒与二维DNA基底进行杂交，从而形成单电子晶体管核心结构，其中，二维DNA基底上连接有伸出二维DNA基底平面的与修饰纳米颗粒、第一金纳米棒、第二金纳米棒和第三金纳米棒的单链DNA互补的单链DNA探针，与修饰第一金纳米棒、第二金纳米棒和第三金纳米棒中的一个金纳米棒的单链DNA互补的单链DNA探针是在二维DNA基底上成直线排列的多条单链DNA探针。
电子晶体管核心结构制备方法

[发明专利]纳米颗粒螺旋和纳米棒组合结构及其构建方法-CN201710011211.9有效
发明人：王强斌;沈琛骐 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米颗粒螺旋和纳米棒组合结构的构建方法，其包括：构建二维DNA基底；以单链DNA修饰纳米颗粒，并以单链DNA修饰纳米棒；使修饰在纳米颗粒上的单链DNA和修饰在纳米棒上的单链DNA与二维DNA基底进行杂交，形成预结构；使所述预结构与辅助DNA杂交，从而使所述预结构中的二维DNA基底卷曲形成包裹结构，并使所述纳米棒被包裹于所述包裹结构内，以及使复数个纳米颗粒在所述包裹结构上呈三维螺旋形态分布。本发明通过对二维DNA基底上的捕获链位置进行设计，使之捕获与之互补配对的纳米颗粒、纳米棒和辅助DNA，能够实现对纳米颗粒和纳米棒的精确空间定位及二维DNA基底形变过程的精确控制，从而可以分别构建纳米颗粒与纳米棒的不同组合结构
纳米颗粒螺旋组合结构及其构建方法

[发明专利]一种氧化锌/氧化钛双层纳米棒阵列异质结结构及其制备方法-CN202011405526.X在审
发明人：汪竞阳;何子越;梁桂杰;李望南;王松;钟志成;屈少华 -专利权人：湖北文理学院
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化锌/氧化钛双层纳米棒阵列异质结结构及其制备方法。本发明中通过优化溅射参数，以在TiO2纳米棒阵列中每根纳米棒的顶部沉积获得ZnO纳米颗粒，后续再以如上ZnO纳米颗粒为晶种通过水热法在TiO2纳米棒的顶部再生长获得ZnO纳米棒，并最终经洗净、退火，即可获得一种具有一维氧化锌纳米棒阵列和一维二氧化钛纳米棒阵列的双层纳米棒阵列异质结复合结构。上述制备中由于ZnO晶种颗粒的存在使得后续ZnO纳米棒可以沿着TiO2纳米棒的生长方向继续生长，从而使得最终生长获得的两层纳米棒阵列因均垂直于基底生长而具有结构一致性好且取向高度有序的优点
一种氧化锌氧化双层纳米阵列异质结结构及其制备方法

[发明专利]一种SnO2/ZnO纳米复合材料及其制备方法-CN201610298192.8有效
发明人：张志勇;许曼章;闫军锋;贠江妮;赵武;翟春雪;王雪文;阮雄飞 -专利权人：西北大学
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种SnO2/ZnO纳米复合材料及其制备方法，包括ZnO纳米棒和在ZnO纳米棒上生长的SnO2纳米棒，主要在主干结构ZnO纳米棒上直接生长二级结构SnO2纳米棒，通过微波辅助水热法制备纤锌矿结构的ZnO纳米棒，然后再ZnO纳米棒上微波辅助水热生长金红石结构的SnO2纳米棒，微波辅助水热过程中无需任何模板和催化剂，速度快，工艺简单，产率高，且成本低廉，适合批量生产，所制备的纳米复合材料形态均一、包覆紧密
一种 sno sub zno 纳米复合材料及其制备方法

[发明专利]一种三层纳米棒阵列异质结结构及其制备方法-CN202111447082.0在审
发明人：汪竞阳;张文凯;梁桂杰;李望南;王松 -专利权人：湖北文理学院
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：本发明公开一种三层纳米棒阵列异质结结构及其制备方法，涉及某技术领域。其中，所述三层纳米棒阵列异质结结构包括依次层叠设置的SnO2纳米棒阵列层、TiO2纳米棒阵列层和ZnO纳米棒阵列层。本发明通过构建三层纳米棒阵列、以及对每层纳米棒阵列中材料的合理选择，一方面使所述异质结结构具有梯度能带结构，从而能加速光生电子和空穴的分离，另一方面通过将每层设计为一维的纳米棒阵列结构，为光生载流子的传输提供了高速通道，两者协同作用，共同提高了电荷传输效率，使所述三层纳米棒阵列异质结结构的光电化学性能优异；此外，该三层纳米棒阵列异质结结构还具有比表面积大的特点，因此其对光的利用率高。
一种三层纳米阵列异质结结构及其制备方法

[发明专利]一种多孔矿物纳米棒的制备方法-CN201610520132.6有效
发明人：王菲;张卉;梁金生;汤庆国;于凯华;商增耀 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2016-07-03 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： C01B33/40 文献下载
摘要：本发明一种多孔矿物纳米棒的制备方法，涉及纳米结构的制造或处理，是对矿物纳米棒集聚体进行湿法机械解离，再用微波化学法进一步剥离矿物纳米棒集聚体并调控矿物纳米棒集聚体的孔结构，从而制得一种多孔矿物纳米棒的方法，制得平均粒径为30～60nm的多孔矿物纳米棒，该棒内部中心区孔径为15～25nm，棒内侧壁孔径为2～7nm。本发明方法克服了现有矿物纳米材料制备方法不适合低成本及批量进行工业生产，同时也无法对纳米矿物的孔结构进行调控的缺陷。
一种多孔矿物纳米制备方法

[实用新型]一种纳米银消炎棒-CN201720980764.0有效
发明人：林叶承;林焕东;甘鹊宁 -专利权人：广东爱沃硅胶科技有限公司
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： A61M31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种纳米银消炎棒，用于生理用品技术领域，包括棒体和设在所述棒体末端的牵引柄，所述棒体的顶端设有顶部引导结构，所述顶部引导结构的截面尺寸由下到上逐渐变小，所述棒体的末端设有底部引导结构，所述底部引导结构的截面尺寸由上到下逐渐变小，所述棒体和/或牵引柄中设有纳米银。本实用新型是将纳米银设置在中消炎棒中，这样可以获得有纳米银特效的消炎棒，使用时将纳米银消炎棒放置在女性阴道内，阴道内将这个包裹着纳米银消炎棒，阴道内部环境直接与纳米银消炎棒接触，此时纳米银消炎棒充分的发挥纳米银材料的抑菌杀菌的作用将阴道内部的大量细菌都杀灭
纳米银消炎引导结构棒体阴道本实用新型逐渐变小牵引柄纳米银材料棒体末端内部环境女性阴道生理健康生理用品由上到下抑菌杀菌细菌女性

[发明专利]微通道与纳米棒阵列的复合结构及其制备方法-CN201811028780.5在审
发明人：周文斌;胡学功;何雨 -专利权人：中国科学院工程热物理研究所
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： F28D15/04 文献下载
摘要：本公开提供一种微通道与纳米棒阵列的复合结构及其制备方法，该微通道与纳米棒阵列的复合结构包括：微通道结构以及纳米棒阵列结构；微通道结构设置在基板上，用于提供高渗透率；纳米棒阵列结构，设置在微通道结构的表面，用于提高微通道结构的毛细压力；其中，微通道结构中的微通道包括N条，N条微通道并列设置，N≥1。通过在微通道结构的表面原位生成特定的纳米棒阵列结构，提高了表面微纳米尺度下的粗糙度，在显著提高原始微通道结构的毛细压力的同时维持了微通道结构自身的高渗透率，表面微米结构和纳米结构特性的协同效应使得微通道与纳米棒阵列的复合结构具有很高的毛细性能
微通道结构微通道纳米棒阵列复合结构纳米棒阵列结构毛细压力高渗透制备表面原位生成微纳米尺度并列设置毛细性能纳米结构微米结构协同效应粗糙度基板

[实用新型]微通道与纳米棒阵列的复合结构-CN201821447470.2有效
发明人：周文斌;胡学功;何雨 -专利权人：中国科学院工程热物理研究所
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： F28D15/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种微通道与纳米棒阵列的复合结构，该微通道与纳米棒阵列的复合结构包括：微通道结构以及纳米棒阵列结构；微通道结构设置在基板上，用于提供高渗透率；纳米棒阵列结构，设置在微通道结构的表面，用于提高微通道结构的毛细压力；其中，微通道结构中的微通道包括N条，N条微通道并列设置，N≥1。通过在微通道结构的表面原位生成特定的纳米棒阵列结构，提高了表面微纳米尺度下的粗糙度，在显著提高原始微通道结构的毛细压力的同时维持了微通道结构自身的高渗透率，表面微米结构和纳米结构特性的协同效应使得微通道与纳米棒阵列的复合结构具有很高的毛细性能
微通道结构微通道纳米棒阵列复合结构纳米棒阵列结构毛细压力高渗透表面原位生成本实用新型微纳米尺度并列设置毛细性能纳米结构微米结构协同效应粗糙度基板

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