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[发明专利]一种多晶硅破碎装置及破碎方法-CN202010372762.X在审
发明人：周复礼;王永亮;谢岩;沈峰;胡永吉;徐永强 -专利权人：新疆协鑫新能源材料科技有限公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： B02C19/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅破碎装置及破碎方法，包括液态二氧化碳高压腔体，用于储存液态二氧化碳，并将腔体内液态二氧化碳转化为高压气体二氧化碳；多晶硅破碎室，用于储存破碎前的棒状多晶硅和破碎后的多晶硅碎片；气体脉冲破碎器，其一端与液态二氧化碳高压腔体连通，另一端密封并安装于多晶硅破碎室内，将液态二氧化碳高压腔体内产生的高压气体二氧化碳以脉冲方式释放于多晶硅破碎室内，将棒状多晶硅致裂成多晶硅碎片。该破碎装置破碎分选率高，棒状多晶硅破碎时受力均匀，可根据需求产出高分选率大小的硅块；棒状多晶硅破碎时受力平均，无易损部件，能够实现长时间运行；破碎原理为液态二氧化碳相变产生高压致裂过程，二氧化碳为非易燃易爆物质
一种多晶破碎装置方法

[实用新型]一种多晶硅破碎装置-CN202020721398.9有效
发明人：周复礼;王永亮;谢岩;沈峰;胡永吉;徐永强 -专利权人：新疆协鑫新能源材料科技有限公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： B02C19/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅破碎装置，包括液态二氧化碳高压腔体，用于储存液态二氧化碳，并将腔体内液态二氧化碳转化为高压气体二氧化碳；多晶硅破碎室，用于储存破碎前的棒状多晶硅和破碎后的多晶硅碎片；气体脉冲破碎器，其一端与液态二氧化碳高压腔体连通，另一端密封并安装于多晶硅破碎室内，将液态二氧化碳高压腔体内产生的高压气体二氧化碳以脉冲方式释放于多晶硅破碎室内，将棒状多晶硅致裂成多晶硅碎片。该破碎装置破碎分选率高，棒状多晶硅破碎时受力均匀，可根据需求产出高分选率大小的硅块；棒状多晶硅破碎时受力平均，无易损部件，能够实现长时间运行；破碎原理为液态二氧化碳相变产生高压致裂过程，二氧化碳为非易燃易爆物质
一种多晶破碎装置

[发明专利]纳米硅/石墨相氮化碳/石墨复合负极材料及其制备方法-CN201810651908.7有效
发明人：彭果戈;聂鹏茹 -专利权人：东莞东阳光科研发有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种纳米硅/石墨相氮化碳/石墨复合负极材料，包括石墨基体、分散在石墨基体的纳米硅颗粒及包覆在纳米硅颗粒表面的石墨相氮化碳。进一步地，本发明提供一种纳米硅/石墨相氮化碳/石墨复合负极材料的制备方法。采用石墨相氮化碳(g‑C3N4)对硅进行包覆，有效抑制硅体积膨胀，显著改善其电性能和循环性能。
纳米石墨氮化复合负极材料及其制备方法

[发明专利]一种超临界二氧化碳硅块清洗装置、硅块处理系统及方法-CN202110749231.2有效
发明人：吴锋;田新;孙江桥;吴鹏 -专利权人：江苏鑫华半导体材料科技有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种超临界二氧化碳硅块清洗装置，包括：槽体，提供硅块清洗的封闭空间；调压装置，在硅块清洗前将封闭空间内的压力调节至高于二氧化碳的超临界压力，且在清洗过程中保持压力不变；以及，在硅块清洗完毕后降低槽体内压力，而使得二氧化碳气化；控温装置，在硅块清洗前将封闭空间内的温度调节至高于二氧化碳的超临界温度，且在清洗过程中保持温度不变；压缩装置，对来自槽体内经气化后的二氧化碳进行压缩而形成液态的二氧化碳；二氧化碳储槽，对液态的二氧化碳进行存储、供给和回收。通过本发明，可有效将硅块微孔中的残留物冲出，使得硅块表面杂质合格。本发明中还请求保护一种硅块处理系统及方法。
一种临界二氧化碳清洗装置处理系统方法

[发明专利]一种氮化碳改性碳纳米管复合导热硅脂的制备方法-CN202111066436.7有效
发明人：李立东;崔倩玲;牛萍健 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C09K5/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化碳改性碳纳米管制备复合导热硅脂的方法。采用富氮化合物作为氮化碳前驱体，通过热缩聚的方法在碳纳米管表面原位生长氮化碳，制备得到氮化碳改性的碳纳米管，再和其他导热填料与硅油混合，制备导热硅脂。氮化碳的修饰改性可增强碳纳米管界面性能，提高碳纳米管在硅油中的分散度和添加量，有利于在导热硅脂内部形成导热通路，从而提高导热硅脂的导热能力。另一方面，氮化碳作为绝缘材料还可显著降低由碳纳米管引起的导热硅脂导电率的增加，有利于制备高导热高绝缘的导热硅脂。该发明中利用氮化碳对碳纳米管的修饰方法简单有效，成本低廉，有利于产业化。
一种氮化改性纳米复合导热制备方法

[发明专利]晶片卡盘和形成晶片卡盘的方法-CN200810003849.9无效
发明人：马太·利普森;罗伯特·D·哈内德;杰弗里·奥康纳;蒂莫西·奥尼尔 -专利权人： ASML控股股份有限公司
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：描述了一种用于光刻设备的晶片卡盘，所述晶片卡盘包括：低热膨胀玻璃陶瓷衬底；硅化碳化硅层；和粘结层，所述粘结层包括强度为至少大约5兆帕的硅酸盐，所述粘结层将硅化碳化硅层与衬底结合。还描述了一种形成用于光刻设备的晶片卡盘的方法，所述方法包括：将粘结溶液涂覆在低热膨胀玻璃陶瓷衬底和硅化碳化硅层这两者或其中之一的一部分上；并使所述衬底和硅化碳化硅层接触，以将所述衬底和所述硅化碳化硅层结合在一起
晶片卡盘形成方法

[发明专利]检测硅熔汤外泄的方法-CN201310059559.7有效
发明人：杨镇豪 -专利权人：茂迪股份有限公司
申请日： 2013-02-26 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： G01M3/04 文献下载
摘要：一种检测硅熔汤外泄的方法，适用于检测炉体内的坩埚内的硅熔汤的外泄，此坩埚的外围包覆有多个石墨板材。此检测硅熔汤外泄的方法包含下列步骤。利用气体检测器进行检测步骤，以检测炉体内的一氧化碳的含量或二氧化碳的含量。将坩埚的加热温度维持在稳定状态时，所检测到的一氧化碳或二氧化碳的第一含量值作为一基准。进行判断步骤，以判断硅熔汤是否自坩埚外泄。当后续所检测到的一氧化碳或二氧化碳的第二含量值相对于第一含量值呈陡升状况时，判断硅熔汤外泄。
检测硅熔汤外泄方法

[发明专利]一种硅镶嵌氧化还原石墨烯/石墨相氮化碳复合材料及其制备和应用-CN201710847373.6有效
发明人：文钟晟;王冠琴;杨彦娥;李嵩;孙俊才;季世军 -专利权人：大连海事大学
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅镶嵌氧化还原石墨烯/石墨相氮化碳复合材料及其制备和应用，所述硅镶嵌氧化还原石墨烯/石墨相氮化碳复合材料，包括作为基体材料的氧化还原石墨烯/石墨相氮化碳复合基体、作为活性中心并均匀分散镶嵌在所述氧化还原石墨烯/石墨相氮化碳复合基体的层片间隙内的纳米硅球以及位于纳米硅球表面可增强活性中心和基体材料之间化学结合力的碳层。本发明所述的硅镶嵌氧化还原石墨烯/石墨相氮化碳复合材料具有良好的电化学循环性能，优异的相容性和结构稳定性，能够发挥组分间良好的协同效应，并具有高的批次稳定性，很容易实现规模生产。
一种镶嵌氧化还原石墨氮化复合材料及其制备应用

[发明专利]碳包覆氮化碳/硅‑氮化硅/二氧化硅复合材料的制备方法及应用-CN201410521896.8有效
发明人：李宏斌 -专利权人：李宏斌
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了碳包覆氮化碳/硅‑氮化硅/二氧化硅复合材料的制备方法及应用，所述方法为首先制备碳包覆硅/二氧化硅纳米复合材料，然后制备碳包覆氮化碳/硅‑氮化硅/二氧化硅复合材料。该纳米复合材料的结构为碳包覆含有热解碳和氮化碳；硅和氮化硅颗粒复合在二氧化硅颗粒表面；碳包覆层在硅‑氮化硅/二氧化硅复合材料的表面。该本发明制备的碳包覆氮化碳/硅‑氮化硅/二氧化硅复合材料具有高比容量和循环性能高特点，适合锂离子二次电池应用和工业化生产。
碳包覆氮化二氧化硅复合材料制备方法应用

[发明专利]二氧化碳吸收剂及其使用方法-CN201080045025.3有效
发明人： R·J·佩里;L·N·路易斯;M·J·奥布里恩;G·L·索洛维奇克;S·克尼亚延斯基;T·H·林;J·L·李;M·I·鲁宾什塔恩 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2010-04-01 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：根据一个方面，本发明提供包含结构I、II、III、IV或V中至少一种的氨基-硅氧烷组合物，所述组合物可用于自气流比如电厂烟气捕获二氧化碳。另外，本发明提供制备提供的氨基-硅氧烷组合物的方法。还提供采用本发明的氨基-硅氧烷组合物作为与二氧化碳反应形成二氧化碳加合物的种类来减少过程流中二氧化碳量的方法。由本发明提供的氨基-硅氧烷组合物与二氧化碳的反应为可逆的，因此所述方法提供所述组合物的多循环使用。
二氧化碳吸收剂及其使用方法

[发明专利]一种氮化硅粉末的制备方法及其设备-CN202110915068.2有效
发明人：刘宗才;许建文;裴晨艺;许轶雯 -专利权人：上瓷宗材（上海）精密陶瓷有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅粉末的制备方法及其设备，包括对硅粉原料的输送，在反应箱的内部通入氮气，利用二氧化碳激光器对硅粉原料进行照射处理，硅粉和氮气产生光化学反应，得到氮化硅粉末，涉及化学合成技术领域，本发明是通过采用二氧化碳激光器发射二氧化碳激光，对硅粉进行照射，由于硅材料在10.7μm处有一个很强的红外吸收谱，通过二氧化碳激光10.6μm波长符合硅的吸收峰，利用硅材料10.7μm的吸收峰吸收二氧化碳激光的能量，在含有充分氮气的反应箱中产生光化学反应
一种氮化粉末制备方法及其设备

[发明专利]改性硅碳材料及其制备方法、应用-CN201811472643.0有效
发明人：刘孟;王木钦;任重民;王德宇 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种改性硅碳材料，包括硅碳主体、氟化碳保护层，所述氟化碳保护层包覆在所述硅碳主体的表面；所述氟化碳保护层选自具有如式Ⅰ所示化学式的化合物中的至少一种。
改性材料及其制备方法应用

[发明专利]一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法-CN201210007603.5有效
发明人：饶志鹏;夏洋;万军;李超波;陈波;刘键;江莹冰;石莎莉;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-01-11 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：(1)将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；(2)向原子层沉积设备反应腔中通入碳源气体，碳源气体作为第一反应前驱体在硅衬底表面进行碳化学吸附，碳源气体中的碳原子吸附在硅衬底上；(3)吸附在硅衬底上的碳原子与电离后的第二反应前驱体在氢气的辅助下发生反应，产生相应的产物，直到硅衬底表面的碳原子完全消耗；(4)重复步骤(2)和(3)，即可在衬底表面形成单晶立方形氮化碳薄膜。本发明利用原子层沉积技术制备单晶立方形氮化碳薄膜，该制备方法操作简单，转化率高，能耗小，且制得的单晶立方形氮化碳薄膜结构完整。
一种立方氮化薄膜制备方法

[发明专利]一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法-CN201110286896.0无效
发明人：夏洋;饶志鹏;万军;刘键;李超波;陈波;黄成强;石莎莉;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向原子层沉积设备反应腔中通入碳源气体，碳源气体作为第一反应前驱体在硅衬底表面进行碳化学吸附，碳源气体中的碳原子吸附在硅衬底上；吸附在硅衬底上的碳原子与通入含氮的第二反应前驱体发生卤代反应，并产生相应的产物，直到硅衬底表面的碳原子完全消耗，在衬底表面形成单晶立方型氮化碳薄膜。本发明利用原子层沉积技术制备单晶立方型氮化碳薄膜，该制备方法操作简单，转化率高，能耗小，且制得的单晶立方型氮化碳薄膜结构完整。
一种立方氮化薄膜制备方法

[发明专利]一种防水材料及其制备方法与应用-CN202111320845.5在审
发明人：郑静;王家馨;郭智敏 -专利权人：广东职业技术学院
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C09D183/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种防水材料及其制备方法与应用，该防水材料包括以下制备原料：含氟硅氧烷、氨基改性硅氧烷、氧化石墨烯和羧基化碳化硅。本发明通过将氨基改性硅氧烷和含氟硅氧烷在水解缩合的过程中，使得整个硅氧烷体系形成三维网状结构，氟元素分布于三维网络中，起到降低材料表面能的作用，从而使最终形成的防水材料具有优异的防水性能。氧化石墨烯和羧基化碳化硅表面含有大量活性基团，与三维硅氧烷体系中存在化学交联，进一步改善了氧化石墨烯和羧基化碳化硅与三维硅氧烷之间的界面性能，使羧基化碳化硅在三维硅氧烷体系中均匀分布，从而提高了材料的耐磨性能
一种防水材料及其制备方法应用

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