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- [发明专利]间隙填充方法-CN201811331123.8有效
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J·F·卡梅伦;K·张;崔莉;D·格林;山田晋太郎
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罗门哈斯电子材料有限责任公司
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2018-11-09
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2023-10-27
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H01L21/027
- 本发明提供一种制造半导体装置的方法，其包括：提供半导体装置衬底，所述衬底的表面上具有浮雕图像，所述浮雕图像具有多个待填充的间隙；将涂层组合物施加至所述浮雕图像以提供涂层，其中所述涂层组合物包含(i)聚亚芳基寡聚物，其包含一种或多种具有两个或更多个环戊二烯酮部分的第一单体，和一种或多种具有芳香族部分和两个或更多个炔基部分的第二单体作为聚合单元；其中所述聚亚芳基寡聚物具有1000至6000Da的Mw、1至2的PDI，以及1:1的总第一单体比总第二单体的摩尔比；和(ii)一种或多种有机溶剂；固化所述涂层以形成聚亚芳基膜；使所述聚亚芳基膜图案化；以及将所述图案转移至所述半导体装置衬底
- 间隙填充方法
- [实用新型]无接着剂型双面铜箔基板-CN200720138928.1有效
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刘明俊;黄正欣;王富民;陈建宏;李再兴
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台虹科技股份有限公司
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2007-08-20
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2008-09-10
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H05K1/02
- 本实用新型是一种无接着剂型双面铜箔基板，包括一热塑性聚亚酰胺层(TPI)、二热固性聚亚酰胺层(PI)分设于该热塑性聚亚酰胺层(TPI)上下表面，以及二铜箔层(Cu)分别设于该聚亚酰胺层(PI)外侧面，以此利用热膨胀系数(CTE)居中的二热固性聚亚酰胺层(PI)分设于外侧铜箔层(Cu)与该热塑性聚亚酰胺层(TPI)之间，由此，缩减相邻材料层间的热膨胀系数(CTE)差异，并于表面黏着电子组件时的高温操作下，令电子组件搭载于具玻璃转移温度(Tg)较高的热固性聚亚酰胺层(PI)及铜箔界面上，而不会因为搭载在Tg较低的聚亚酰胺层(TPI)铜箔界面上，因高温发生熔融或爆板的分层现象。
- 接着剂型双面铜箔
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