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- [发明专利]混合模式制程-CN02146218.6有效
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蔡庆辉
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联华电子股份有限公司
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2002-10-16
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2004-04-21
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H01L21/822
- 一种混合模式制程，通过蚀刻一基底表面堆叠的一第一多晶硅层、一多晶金属硅化物层与一第一多晶硅间氧化层，形成一栅极与一下电极结构，再沉积一第二多晶硅间氧化层与一第二多晶硅层，并将其蚀刻成一导线与一上电极，最后利用侧壁子以及离子布植和自行对准金属硅化物等制程，以于该基底表面完成导线、MOS晶体管以及电容的混合模式制程；本发明将导线、MOS晶体管与该容结构以最少的步骤制作于硅基底表面，故可以达到提升制程效率的目的；本发明的制作方法可应用于高积集度的集成电路的半导体产品的生产
- 混合模式
- [发明专利]开关模式电源-CN02106543.8有效
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R·G·瓦特森三世;W·V·小菲茨格拉德
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汤姆森许可公司
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2002-02-27
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2002-10-02
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H02M3/338
- 当零电压开关电源(100)的主开关晶体管(Q3)导通时,电压(VR1112)在耦合串联于晶体管的电流传感电阻(R12)中产生。电流传感电阻中的电压耦连到比较器晶体管(Q2)的控制端子(基极)。在主开关晶体管的一个给定导通时间间隔中,当电流传感电阻电压大到足够导通比较器晶体管时,比较器晶体管导通。比较器晶体管的输出(VGS)被耦连到主开关晶体管的控制端子以基于电流脉冲－紧随－电流脉冲来控制主开关晶体管的截止时刻。在主开关晶体管的主电流导通端子处产生的谐振电压脉冲(IC6)是容性地连接到比较器晶体管的控制端子,以在谐振电压脉冲的转换时间间隔中维持比较器晶体管导通。
- 开关模式电源
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