专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果1025075个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]半导体器件制造方法-CN98102288.X无效
  • 白川巌 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 1998-06-19 - 2003-09-24 - H01L27/06
  • 在根据本发明的半导体器件中,通过不同方法在半导体器件的基片上形成两种或多种隔离氧化膜(4)和(11),从而对应于在同一半导体基片(1)上形成的器件类型(18)、(19)和(20)。另外,根据本发明的制造半导体器件方法包含:第一隔离氧化膜形成过程;及第二隔离氧化膜形成过程。其中第一过程中包含有形成第一掩膜层(10)及将其选择去除并选择氧化基片等步骤。
  • 半导体器件制造方法
  • [发明专利]制造双扩散MOS晶体管的方法-CN97111474.9无效
  • 车承峻 - 三星电子株式会社
  • 1997-06-02 - 2003-05-21 - H01L21/336
  • 一种制造双扩散MOS(DMOS)晶体管的改进方法,包括下列步骤,在进行POCl3掺杂之前,热氧化在半导体衬底上在先形成的氧化层以部分形成相对原的氧化层,在掺杂POCl3期间,使栅多晶硅层具有导电性,POCl3中的磷不能通过相对厚的氧化层,穿入衬底,制成的DMOS器件在P型体中具有沟道区,在源/漏区中有均匀的杂质浓度分布,导致了耐压的增加。
  • 制造扩散mos晶体管方法
  • [发明专利]制备水泥的加工助剂-CN01101643.4无效
  • O·W·马可 - 陶氏康宁公司
  • 2001-01-18 - 2003-03-26 - C04B24/10
  • 一种制备可流动的粘土泥浆的方法,包括在选自蔗糖、蜜三糖、木质素、甲基呋喃葡糖苷、乳糖、果糖、多磷酸钠或海藻糖的加工助剂存在的条件下,在含有60-70重量%水的粘土泥浆中加入含金属氧化物的生产氯硅的副产品,由此形成含氧化钙、氧化铝和二氧化硅的可流动的粘土泥浆。
  • 制备水泥加工助剂

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top