专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]酒石酸匹莫色林杂质及其制备方法-CN201710406997.4有效
  • 王绍杰;庞良胜 - 沈阳药科大学
  • 2017-06-02 - 2018-11-13 - C07C271/66
  • 本发明公开了酒石酸匹莫色林杂质,即N‑(4‑异丁氧基苄基)亚氨基二甲酸二苯酯(杂质A)、4‑异丁氧基苄基碳酸苯酯(杂质B)、4‑氟苄基(1‑甲基哌啶‑4‑基)碳酸‑4‑异丁氧基苄基酯(杂质C),N‑(4‑异丁氧基苄基)‑N’‑(4‑氟苄基)脲(杂质E),此外,还公开了酒石酸匹莫色林杂质A、杂质B、杂质C、杂质E、N,N’‑二(4‑异丁氧基苄基)脲(杂质D)的制备方法。本发明提供的酒石酸匹莫色林相关杂质作为酒石酸匹莫色林中间体、原料药及其复方制剂质量研究的对照品的用途,为酒石酸匹莫色林质量研究夯实了基础。
  • 酒石酸匹莫范色林杂质及其制备方法
  • [发明专利]一种二维非德瓦尔斯晶体及其制备方法-CN202111076688.8有效
  • 黄青松 - 四川大学
  • 2021-09-14 - 2023-03-31 - C30B29/68
  • 本发明提供了一种二维非德瓦尔斯晶体及其制备方法。该非二维非德瓦尔斯晶体表面具有摩尔超晶格结构,所述摩尔超晶格结构具有由晶体学周期原子排列成六边形或近似六边形组合叠加而成的摩尔超晶格周期图案。本发明首次在二维非德瓦耳斯晶体材料——二氧化钼表面制备摩尔超晶格结构的制备工艺。在其表面制备出不同扭转扭转错位角度的摩尔超晶格结构。二维非德瓦尔斯晶体表面具有摩尔超晶格结构;其可以改变二维非德瓦尔斯晶体表面的润湿性。
  • 一种二维非范德瓦尔晶体及其制备方法
  • [实用新型]一种循序渐进练习书写的器具-CN202120576480.1有效
  • 李鑫 - 李鑫
  • 2021-03-22 - 2021-12-24 - G09B11/04
  • 本实用新型公开一种循序渐进练习书写的器具,其包括了循序渐进的规范约束递减机制或功能,所述机制或功能由立体凹槽字和平面字顺序排列逐渐约束递减的过程来实现,以解决现有的练习书写器具缺乏循序渐进的约束递减机制或功能的困境所述器具设置有书写页面,书写页面设置有立体凹槽字和平面字,练习书写的过程中从立体凹槽的视觉和触觉双重定位,依次顺序转化到平面字的仅视觉定位,最终转化到无实物依傍的脑中定位,多元化、多维化的设计,促进手眼脑合作协调
  • 一种循序渐进练习书写器具

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